 | • レポートコード：MRC-PRF26M0775 • 出版社/出版日：Prof Research / 2026年5月 • レポート形態：英語、PDF、123ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：電子 |
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レポート概要
SiCベースのパワーデバイス市場の概要
業界および製品の概要
パワーエレクトロニクスデバイスは、世界中の産業および民生分野における電力変換、スイッチング、および制御システムの基礎となる構成要素です。この分野における最新の技術的進化の一つとして、炭化ケイ素（SiC）半導体の商用化と急速な普及が挙げられます。SiCは、炭素とケイ素からなる化合物半導体材料です。典型的な第3世代半導体として特徴づけられ、ワイドバンドギャップ半導体のカテゴリーに属します。このワイドバンドギャップ特性により、SiCデバイスは従来のシリコン系デバイスと比較して、はるかに高い電圧、温度、およびスイッチング周波数で動作することが可能となります。
SiCパワーデバイスの製造プロセスでは、通常、高導電性のSiC基板上に特殊なSiCエピタキシャル層を成長させます。エピタキシャルウェハーが製造されると、複雑な製造工程を経て、様々なパワーデバイスへと加工されます。このエコシステムにおける主要な製品ラインナップには、SiCショットキーダイオード、SiC接合型電界効果トランジスタ（JFET）、SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）、SiC絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）、およびSiCゲートターンオフサイリスタ（GTO）が含まれます。これらの堅牢なデバイスは、次世代電気自動車（EV）、太陽光発電（PV）システム、鉄道輸送ネットワーク、高性能データセンター、および先進的な充電インフラにとって、不可欠な技術的基盤として機能します。
世界のSiCベースのパワーデバイス市場規模は、2026年に4億8,000万米ドルから5億3,000万米ドルの範囲になると推定されています。今後、世界的なエネルギー転換、自動車セクターの電動化、および電力網インフラの近代化を主な原動力として、2031年までの年間平均成長率（CAGR）は26％から33％の範囲と推定され、市場は極めて急速な拡大を遂げると予測されています。
地域別市場分析
SiCベースのパワーデバイス市場の地理的状況は、各地域の政策、産業能力、およびグリーン技術の消費者普及率によって牽引される、極めてダイナミックな環境を示しています。
* アジア太平洋（APAC）
アジア太平洋地域は、SiCベースのパワーデバイス市場にとって最も強力な成長エンジンであり、同地域のCAGRは28％から35％と推定されています。この急成長は、EV製造および再生可能エネルギーの導入における同地域の優位性に根本的に支えられています。アジア地域全体では、再生可能エネルギーの導入が前例のない加速を見せており、太陽光発電の設備容量は2022年以降2倍以上に増加しました。これには、2023年に追加された247.9GW、そして2024年に追加された驚異的な327.1GWが含まれます。中国は、この地域需要の紛れもない中心地であり、2024年だけで278.0GWの太陽光発電容量を追加し、世界最大の容量増加を記録しました。インドも24.5GWの追加により強い勢いを見せ、韓国も3.1GWの太陽光発電容量を追加し、過去数年と比較して大幅な増加を達成しました。並行して、APAC地域は世界のEV生産の大部分を占めています。これらのエンドマーケットを支える先進的な半導体製造エコシステムについて論じる際、台湾や中国に集中し、広範なAPACおよび世界の技術需要に継続的に応えている堅固なファウンドリネットワークと化合物半導体加工能力に焦点を当てることは不可欠である。
* 北米
北米市場は、24%から30%という堅調な年平均成長率（CAGR）を記録すると推定されています。米国が主要な牽引役となっており、半導体サプライチェーンの国内化を目的とした連邦政府のインセンティブや、大規模再生可能エネルギーへの積極的な投資が後押ししています。2024年、米国は38.3GWの太陽光発電容量を追加し、2023年と比較して前年比54.0%という大幅な増加となりました。さらに、この地域には高電圧アーキテクチャへの移行を牽引する主要なEVパイオニア企業が集まっており、これには航続距離の延伸や急速充電機能の実現に向けたSiCモジュールの広範な導入が不可欠である。
* 欧州
欧州市場は、推定年平均成長率（CAGR）22％から28％で拡大すると見込まれている。同地域は厳格なカーボンニュートラル目標の達成に深くコミットしており、これには内燃機関の急速な段階的廃止とグリーングリッドの拡大が求められている。ドイツは、2024年に15.1GWの太陽光発電容量を増設しており、この移行の中心的な拠点であり続けています。電気自動車への移行を進める老舗の自動車メーカーが存在することで、優れた車両効率を実現するための高品質なSiCパワーコンポーネントへの需要がさらに加速しています。
* 南米
南米市場は新興段階にあり、CAGRは14%から19%と推定されています。成長は主に商業用およびユーティリティ規模の太陽光発電プロジェクトによって牽引されています。ブラジルは2024年に15.2GWという驚異的な太陽光発電容量を増設し、大陸の再生可能エネルギー推進をリードしています。地域のインフラが成熟するにつれ、SiC部品を採用した高効率太陽光インバーターへの需要は着実に増加すると予想されます。
* 中東・アフリカ（MEA）
MEA地域は、推定CAGR12％～17％の成長が見込まれています。従来は化石燃料に依存してきましたが、中東の主要経済国は経済多角化戦略の一環として、大規模太陽光発電所への投資を積極的に進めています。この地域の極端な気温条件下では、SiCベースのインバーターの耐熱性が大きな利点となり、ワイドバンドギャップ技術向けの専門的でありながら急速に成長する市場が形成されています。
用途別市場分析
* 電気自動車（EV）
自動車セクターは、SiCデバイスにとって最大かつ最も急成長している用途分野である。世界の電気自動車（EV）販売台数は着実な上昇傾向を維持しており、2024年には1,700万台を突破し、世界全体の自動車販売台数の5台に1台以上を占める見込みです。この急成長の背景として、2023年の世界販売台数は1,400万台近くに達し（自動車総販売台数の18％を占め、2022年の14％から増加）、前年比で350万台（35％）という大幅な増加を示しています。SiCデバイスは、EVのパワートレインを根本的に変革しています。トラクションインバーター、車載充電器（OBC）、DC-DCコンバーターにおいて従来のシリコンIGBTに取って代わることで、SiC技術は400Vから800Vアーキテクチャへの移行を可能にします。この移行により、システムの軽量化、充電時間の短縮、そして航続距離の大幅な延伸が実現します。
* 太陽光発電用インバータ
太陽光発電用インバータは、SiC導入における重要な分野です。2024年末までに、世界の再生可能エネルギー発電容量は4,448GWに達し、そのうち太陽光発電が1,865GWと最大のシェアを占めています。2024年だけでも、再生可能エネルギー容量の増加分のほぼすべてを太陽光発電（PV）が占め、世界全体で451.9GWが増加しました。ストリングインバータや中央集約型インバータに搭載されたSiC部品は、電力スイッチング損失を大幅に低減し、熱管理を改善するとともに、チョークやコンデンサなどの受動部品の小型化を可能にし、それによって大規模太陽光発電所の総均等化発電原価（LCOE）を低減します。
* サーバー用電源
生成AIとハイパースケールデータセンターの爆発的な普及に伴い、サーバーの電力需要は急増しています。現在、AIラックは従来のコンピューティングラックに比べて指数関数的に多くの電力を消費しており、超効率的なサーバー用電源が不可欠となっています。SiCデバイスは、必要な高電力密度と高効率を提供し、発熱を最小限に抑えることで、現代のデータセンターに伴う莫大な冷却コストを大幅に削減します。
* UPS（無停電電源装置）および産業用電源
産業用設備や重要インフラには、フェイルセーフで高効率な電力供給が求められます。SiCベースのUPSシステムは、設置面積の縮小、運用コストの削減、そして優れた信頼性を提供します。産業用電源分野では、従来のシリコン部品に伴う深刻なエネルギー損失なしに、ロボット工学、自動化システム、重機などの高負荷に対応するため、SiCへの移行が進んでいます。
* その他
その他、急速に台頭している用途には、省エネと省スペース化のためにSiCを牽引用コンバータに利用する電化鉄道ネットワークや、SiCによってメガワット級の充電に必要なコンパクトで高出力のパワーモジュールを実現するEV用超高速DC充電スタンドなどがあります。
タイプ別市場分析
* SiC MOSFET
SiC MOSFETは、市場成長の最前線を担っています。これらは、高電圧シリコンIGBTの市場シェアを急速に奪い取っています。高いスイッチング周波数および高温環境下でも効率的に動作する能力により、EVのトラクションインバータにおいて最適な選択肢となっています。電流密度を最大化しオン抵抗を最適化するため、トレンチゲート構造の普及が進む傾向にあります。
* SiCパワーモジュール
ディスクリート部品は、統合型SiCパワーモジュールにパッケージ化される傾向が強まっています。この傾向は、最適化された熱管理、低寄生インダクタンス、および簡素化されたシステム設計を提供するプラグアンドプレイソリューションに対する自動車業界の需要によって牽引されています。これらのモジュールのパッケージングは非常に複雑であり、ベアSiCダイの高温耐性を十分に活用するために、高度な焼結技術が必要となる場合が多くあります。
* SiCショットキーダイオード
SiC製品の中で最も早く商用化された製品の一つであるショットキーダイオードは、成熟しつつも着実にシェアを拡大しています。これらは力率改善（PFC）回路、太陽光発電用インバータ、EV車載充電器などに広く普及しています。このセグメントのトレンドは、継続的なコスト削減と、Si IGBTとの統合による高効率ハイブリッドモジュールの形成に焦点が当てられています。
* ゲートドライバボード
SiC MOSFETのスイッチングを制御する「頭脳」として、ゲートドライバボードは極めて重要な市場サブセグメントです。SiCデバイスはシリコンよりもはるかに高速にスイッチングするため、寄生要素に対して非常に敏感であり、堅牢な短絡保護と電気的絶縁を提供しつつ、高い過渡電流を供給できる専用のゲートドライバを必要とします。
バリューチェーンとサプライチェーンの構造
SiCパワーデバイス市場のバリューチェーンは、特に上流工程において極めて高い技術的障壁を特徴としています。このエコシステムは、大きく分けて基板製造、エピタキシャル成長、デバイス製造、およびモジュールパッケージングに分類されます。
上流セグメントの最上位には、SiC単結晶基板（一般にSiCウェハーと呼ばれる）が位置する。この基板の製造は最も高い技術的障壁を有しており、エコシステム内の価値の圧倒的多数を占めている。物理気相転移（PVT）や高度な昇華法を利用し、SiC結晶は極めて高温（2,000℃を超える）環境下で極めて緩やかな速度で成長する。さらに、この材料の極めて高い硬度と脆さにより、スライシング、研削、研磨の過程で著しい歩留まりの低下が生じます。その結果、基板だけで完成したSiCデバイスの総コストの約47%を占めています。
基板の次に続くのはエピタキシャル層の成長であり、これは基板上に、高度に制御された欠陥のないSiC結晶層を堆積させる工程です。この工程は、パワーデバイスの最終的な電気的特性および電圧遮断能力を決定づける。エピタキシープロセスは、デバイス総コストの約23％を占める。これら上流工程である基板とエピタキシーを合わせると、コスト構造全体の約70％を占めており、これらが中核的なボトルネックであり、将来の大規模商用化において最も重要な課題となっている。
中流工程であるデバイス製造には、フォトリソグラフィー、イオン注入、メタライゼーションが含まれます。下流工程のパッケージングには独自の課題があります。従来のシリコンパッケージング材料は、SiCデバイスが到達し得る高い接合部温度に耐えられないため、新しい銀焼結技術や高度な封止技術の開発が必要となります。
主要市場プレイヤー
SiC市場の競争環境は、垂直統合型デバイスメーカー（IDM）、専門の基板プロバイダー、そして機動力のあるファブレス系イノベーターが混在する様相を呈している。
* Wolfspeed Inc：2021年10月4日にCree, Inc.から正式に社名を変更したWolfspeedは、上流サプライチェーンにおける支配的な存在である。同社は、SiC基板製造における比類なき市場シェアで歴史的に知られており、EVブームを活かすべくデバイス製造分野へ積極的に進出している。
* Infineon Technologies AG：パワー半導体の世界的リーダー。同社は、従来型およびワイドバンドギャップパワーエレクトロニクスの広範な製品ポートフォリオを活用し、先進的なSiCモジュールについて世界の自動車OEM各社と大規模な長期供給契約を締結している。
* STマイクロエレクトロニクスNV：注目度の高いEV用トラクションインバータ向けに、初期のSiC MOSFETを大量に供給し、自動車分野におけるSiCの早期採用を牽引した重要な企業。供給安定性を確保するため、高度な垂直統合戦略を維持している。
* オンセミ：エンドツーエンドのSiC能力を急速に拡大中。同社は自動車および産業分野に重点を置き、基板生産能力とフロントエンドデバイス製造の両方の拡大に数十億ドルを投資している。
* ROHM株式会社：SiC技術のパイオニアであるROHMは、ベアウェーハから完全統合型パワーモジュールに至る包括的なソリューションを提供しており、最高効率を実現するために設計された独自のダブルトレンチMOSFET構造を誇っている。
* Microchip Technology Inc：高信頼性アプリケーションに特化しており、航空宇宙、防衛、重工業システム向けに最適化された、極めて堅牢なSiCソリューションを提供している。
* 三菱電機株式会社：重工業および鉄道輸送用パワーモジュール分野における老舗大手企業であり、高出力シリコンIGBTパッケージングにおける膨大な専門知識を、高電圧SiCモジュールの展開へと積極的に転用している。
* 富士電機株式会社：産業オートメーションおよび再生可能エネルギーの電力変換に深く注力しており、グリッド規模の近代化を支える高効率SiCモジュールを提供している。
* 東芝デバイス＆ストレージ株式会社：デバイス構造の革新を継続しており、急速に拡大する送電網インフラおよび電動化交通分野をターゲットに、高電圧SiCコンポーネントを展開しています。
* Qorvo Inc：従来はRFソリューションで知られていましたが、先進的なSiC JFET技術を製品ポートフォリオに統合し、優れたスイッチング性能と電源設計者にとっての統合の容易さを兼ね備えた独自のカスケード構成を提供しています。
* ロバート・ボッシュ（Robert Bosch GmbH）：大手ティア1自動車部品サプライヤーとして事業を展開するボッシュは、半導体製造分野に積極的に参入し、SiCチップの自社供給体制を確立することで、EVパワートレインシステム全体における優位性を確保している。
* ナビタス・セミコンダクター（Navitas Semiconductor Corporation）：窒化ガリウム（GaN）パワーICのリーダーとしてスタートしたナビタスは、より高出力の領域をカバーするためSiC分野へ積極的に事業を拡大し、急速充電や先進的なEVアーキテクチャ向けの統合ソリューションを提供している。
* BYD Semiconductor Co Ltd：自社グループという巨大な内部市場を最大限に活用し、EV製造の世界的リーダーである親会社へ重要なSiCモジュールを供給することで、迅速な試作と大規模な展開を実現している。
* 湖南三安半導体株式会社：中国を代表する垂直統合型製造大手であり、結晶成長からチップ製造に至るバリューチェーン全体をカバーする最先端設備に多額の投資を行い、急成長する国内のEVおよび太陽光発電需要の獲得を目指している。
機会と課題
SiCベースのパワーデバイス市場は重要な転換点にあり、巨大な機会が提示される一方で、深刻な産業的課題も伴っている。
* 機会
世界的な脱炭素化の要請は、SiC産業にとって最大の追い風となっています。EVに対する消費者の急速な受容と、400Vから800Vの高電圧プラットフォームへのアーキテクチャの移行は、制御不能な熱損失を防ぐためにSiCの使用を事実上必須としています。さらに、世界的な大規模太陽光発電設備の急激な拡大は、高効率インバーターに対する持続的な需要を生み出しています。AIの登場とそれに伴うデータセンターの電力密度要件の急増も、自動車分野以外で極めて収益性の高い新たな収益源を開拓しています。技術面では、6インチから8インチのSiCウェハへの移行が進むことで、ダイ当たりのコストを劇的に低減する機会が生まれ、より広範な民生用電子機器において従来のシリコンデバイスの置き換えが加速する可能性があります。
* 課題
需要が急増しているにもかかわらず、業界は深刻なサプライチェーンの制約に直面している。SiC結晶の成長における物理的な限界が、構造的なボトルネックとなっている。SiCブールに固有のマイクロパイプや基底面転位といった高い欠陥密度が歩留まりの低下を招き、SiCデバイスのコストをシリコン製デバイスよりも大幅に高い水準に留めている。このコストプレミアムが、価格に敏感な低電力アプリケーションへのSiCの普及を妨げている。さらに、SiCチップの高温・高周波特性を最大限に引き出すためには、業界は深刻なパッケージング上の課題を克服しなければならない。従来のワイヤボンディングやはんだ付け技術は、SiCの過酷な動作条件下では急速に劣化するため、高コストを伴う先進的なパッケージング材料や製造設備への移行が必要となる。
目次
第1章 レポートの概要 1
1.1 調査範囲 1
1.2 調査方法 2
1.2.1 データソース 2
1.2.2 前提条件 3
1.3 略語および頭字語 4
第2章 世界のSiCベースのパワーデバイス市場の概要 6
2.1 世界のSiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 6
2.2 世界のSiCベースのパワーデバイス市場数量（2021-2031年） 7
2.3 マクロ経済的要因とSiCベースのパワーデバイス産業への影響 8
第3章 タイプ別世界のSiCベースのパワーデバイス市場 11
3.1 タイプ別世界SiCパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 11
3.1.1 SiCショットキーダイオード 12
3.1.2 MOSFET 13
3.1.3 パワーモジュール 14
3.1.4 ゲートドライバーボード 15
3.1.5 その他 16
3.2 タイプ別世界SiCベースのパワーデバイス市場数量（2021-2031年） 17
第4章 用途別世界SiCベースのパワーデバイス市場 18
4.1 用途別世界SiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 18
4.1.1 電気自動車 19
4.1.2 サーバー用電源 20
4.1.3 太陽光発電用インバータ 21
4.1.4 UPS 22
4.1.5 産業用電源 23
4.1.6 その他 24
4.2 用途別世界SiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 25
第5章 地域別世界SiCベースのパワーデバイス市場 26
5.1 地域別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場規模（2021-2031） 26
5.2 地域別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場数量（2021-2031） 27
5.3 北米 SiC ベースのパワーデバイス市場 28
5.3.1 米国 29
5.3.2 カナダ 30
5.3.3 メキシコ 31
5.4 欧州のSiCベースのパワーデバイス市場 32
5.4.1 ドイツ 33
5.4.2 英国 34
5.4.3 フランス 35
5.4.4 イタリア 36
5.5 アジア太平洋地域のSiCベースのパワーデバイス市場 37
5.5.1 中国 37
5.5.2 日本 38
5.5.3 韓国 39
5.5.4 台湾（中国） 39
5.5.5 インド 40
5.6 その他の地域における SiC ベースのパワーデバイス市場 40
第 6 章 SiC ベースのパワーデバイス市場の競争状況 41
6.1 企業別世界SiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 41
6.2 企業別世界SiCベースのパワーデバイス販売数量シェア（2021-2026年） 42
6.3 世界SiCベースのパワーデバイス市場の集中度 43
6.4 市場でのポジショニングと戦略的提携 44
第7章 SiCベースのパワーデバイス主要企業プロファイル 45
7.1 Wolfspeed Inc 45
7.1.1 会社概要 45
7.1.2 SiCベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 45
7.1.3 SiCベースのパワーデバイス事業データの分析 46
7.1.4 研究開発およびマーケティング戦略 47
7.1.5 SWOT分析 48
7.2 Infineon Technologies AG 49
7.2.1 会社概要 49
7.2.2 SiC ベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 49
7.2.3 SiC ベースのパワーデバイス 経営データ分析 50
7.2.4 研究開発およびマーケティング戦略 51
7.2.5 SWOT 分析 52
7.3 Microchip Technology Inc 53
7.3.1 会社概要 53
7.3.2 SiC ベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 53
7.3.3 SiC ベースのパワーデバイス 経営データ分析 54
7.3.4 研究開発およびマーケティング戦略 55
7.3.5 SWOT 分析 56
7.4 三菱電機株式会社 57
7.4.1 会社概要 57
7.4.2 SiC ベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 57
7.4.3 SiC ベースのパワーデバイス 経営データ分析 58
7.4.4 研究開発およびマーケティング戦略 59
7.4.5 SWOT 分析 60
7.5 オンセミ 61
7.5.1 会社概要 61
7.5.2 SiC ベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 61
7.5.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データ分析 62
7.5.4 研究開発およびマーケティング戦略 63
7.5.5 SWOT 分析 64
7.6 ROHM Co Ltd 65
7.6.1 会社概要 65
7.6.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 65
7.6.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データの分析 66
7.6.4 研究開発およびマーケティング戦略 67
7.6.5 SWOT 分析 68
7.7 STMicroelectronics NV 69
7.7.1 会社概要 69
7.7.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 69
7.7.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データ分析 70
7.7.4 研究開発およびマーケティング戦略 71
7.7.5 SWOT 分析 72
7.8 富士電機株式会社 73
7.8.1 会社概要 73
7.8.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 73
7.8.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データ分析 74
7.8.4 研究開発およびマーケティング戦略 75
7.8.5 SWOT 分析 76
7.9 東芝エレクトロニクスデバイス＆ストレージ株式会社 77
7.9.1 会社概要 77
7.9.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 77
7.9.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データ分析 78
7.9.4 研究開発およびマーケティング戦略 79
7.9.5 SWOT 分析 80
7.10 Qorvo Inc 81
7.10.1 会社概要 81
7.10.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 81
7.10.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データの分析 82
7.10.4 研究開発およびマーケティング戦略 83
7.10.5 SWOT 分析 84
7.11 Robert Bosch GmbH 85
7.11.1 会社概要 85
7.11.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 85
7.11.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データ分析 86
7.11.4 研究開発およびマーケティング戦略 87
7.11.5 SWOT 分析 88
7.12 Navitas Semiconductor Corporation 89
7.12.1 会社概要 89
7.12.2 SiC ベースのパワーデバイス 製品ポートフォリオ 89
7.12.3 SiC ベースのパワーデバイスの営業データ分析 90
7.12.4 研究開発およびマーケティング戦略 91
7.12.5 SWOT 分析 92
7.13 BYD Semiconductor Co Ltd 93
7.13.1 会社概要 93
7.13.2 SiC ベースのパワーデバイスの製品ポートフォリオ 93
7.13.3 SiC ベースのパワーデバイス 営業データの分析 94
7.13.4 研究開発およびマーケティング戦略 95
7.13.5 SWOT 分析 96
7.14 湖南三南半導体株式会社 97
7.14.1 会社概要 97
7.14.2 SiC ベースのパワーデバイス製品ポートフォリオ 97
7.14.3 SiC ベースのパワーデバイスの営業データ分析 98
7.14.4 研究開発およびマーケティング戦略 99
7.14.5 SWOT 分析 100
第 8 章 SiC ベースのパワーデバイスの製造プロセスおよび特許分析 101
8.1 SiC ベースのパワーデバイスの製造プロセスフロー 101
8.2 主要な製造技術およびプロセスの革新 102
8.3 製造コスト構造の分析 103
8.4 特許ランドスケープ分析 104
8.5 主要特許保有者と技術動向 105
第9章 SiCベースのパワーデバイスのバリューチェーン分析 106
9.1 バリューチェーンの概要 106
9.2 上流の原材料サプライヤー分析（SiCウェハー、エピタキシー） 107
9.3 中流の製造およびパッケージング 108
9.4 下流の販売業者およびエンドユーザー 109
第10章 世界のSiCベースのパワーデバイスの輸出入分析 110
10.1 世界のSiCベースのパワーデバイスの輸入量および輸入額（2021-2026年） 110
10.2 世界の SiC ベースのパワーデバイスの輸出量および輸出額（2021-2026 年） 111
10.3 主要な貿易障壁および関税 112
10.4 主要地域別の輸出入政策 113
第 11 章 SiC ベースのパワーデバイス市場の動向 114
11.1 市場の推進要因 114
11.2 市場の制約要因 115
11.3 市場の機会 116
11.4 業界の技術動向 117
第12章 世界のSiCベースのパワーデバイス市場予測（2027-2031年） 118
12.1 世界のSiCベースのパワーデバイス市場規模予測（2027-2031年） 118
12.2 世界のSiCベースのパワーデバイス市場数量予測（2027-2031年） 119
12.3 地域別世界市場規模予測（2027-2031年） 120
12.4 タイプ別世界市場規模予測（2027-2031年） 121
12.5 用途別世界市場規模予測（2027-2031年） 122
第13章 調査結果と結論 123
表一覧
表1 タイプ別世界SiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2026年） 11
表 2 タイプ別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場規模予測（2027-2031年） 12
表 3 タイプ別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場数量（2021-2026年） 17
表 4 タイプ別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場数量予測（2027-2031年） 17
表 5 用途別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場規模（2021-2026） 18
表 6 用途別世界 SiC ベースのパワーデバイス市場規模予測（2027-2031） 19
表 7 用途別世界 SiC ベースのパワーデバイス出荷数量（2021-2026） 25
表8 用途別世界SiCベースのパワーデバイス市場数量予測（2027-2031年） 25
表9 地域別世界SiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2026年） 26
表10 地域別世界SiCベースのパワーデバイス市場数量（2021-2026年） 27
表11 北米SiCベースのパワーデバイス市場規模（国別）（2021-2026年） 28
表12 欧州SiCベースのパワーデバイス市場規模（国別）（2021-2026年） 32
表13 アジア太平洋SiCベースのパワーデバイス市場規模（国別）（2021-2026年） 37
表 14 企業別グローバル SiC ベースのパワーデバイス売上高（2021-2026） 41
表 15 企業別グローバル SiC ベースのパワーデバイス販売数量（2021-2026） 42
表 16 Wolfspeed Inc の SiC ベースのパワーデバイス販売、価格、コスト、粗利益率（2021-2026） 46
表17 Infineon Technologies AGのSiCベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 50
表18 Microchip Technology IncのSiCベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 54
表19 三菱電機株式会社 SiCベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 58
表20 オンセミ（onsemi） SiCベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 62
表 21 ROHM Co Ltd SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026） 66
表 22 STMicroelectronics NV SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026） 70
表 23 富士電機株式会社の SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026） 74
表 24 東芝エレクトロニクスデバイス＆ストレージ株式会社の SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、粗利益率（2021-2026） 78
表 25 Qorvo Inc. SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、コスト、粗利益率（2021-2026） 82
表 26 Robert Bosch GmbH SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、コスト、粗利益率（2021-2026） 86
表 27 Navitas Semiconductor Corporation の SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、および粗利益率（2021-2026） 90
表 28 BYD Semiconductor Co Ltd の SiC ベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価、および粗利益率（2021-2026） 94
表29 湖南三安半導体株式会社のSiCベースのパワーデバイスの売上高、価格、原価および粗利益率（2021-2026年） 98
表30 世界のSiCベースのパワーデバイスの主要特許の分布 104
表31 SiCウェハーおよび材料の主要上流サプライヤー一覧 107
表32 地域別世界SiCベースパワーデバイス輸入データ（2021-2026年） 110
表33 地域別世界SiCベースパワーデバイス輸出データ（2021-2026年） 111
図一覧
図1 世界SiCベースパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 6
図2 世界のSiCベースのパワーデバイス市場規模（2021-2031年） 7
図3 2026年の世界のSiCベースのパワーデバイス市場におけるタイプ別シェア 11
図4 2026年の世界のSiCベースのパワーデバイス市場における用途別シェア 18
図5 2026年の地域別世界SiCベースパワーデバイス市場規模シェア 26
図6 北米SiCベースパワーデバイス市場規模の成長率（2021-2031年） 28
図7 欧州SiCベースパワーデバイス市場規模の成長率（2021-2031年） 32
図8 アジア太平洋地域のSiCベースのパワーデバイス市場規模の成長率（2021-2031年） 37
図9 2026年の売上高別世界トップ5企業の市場シェア 43
図10 Wolfspeed IncのSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 48
図11 Infineon Technologies AGのSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 52
図12 Microchip Technology IncのSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 56
図13 三菱電機株式会社のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 60
図14 オンセミ（onsemi）のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026） 64
図15 ローム（ROHM Co Ltd）のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026） 68
図16 STマイクロエレクトロニクス（STMicroelectronics NV）のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026） 72
図17 富士電機株式会社のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 76
図18 東芝エレクトロニクスデバイス＆ストレージ株式会社のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 80
図19 Qorvo IncのSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 84
図20 ロバート・ボッシュGmbHのSiCベースパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 88
図21 ナビタス・セミコンダクター社のSiCベースパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 92
図22 BYDセミコンダクター社のSiCベースパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 96
図23 湖南三安半導体株式会社のSiCベースのパワーデバイス市場シェア（2021-2026年） 100
図24 SiCベースのパワーデバイス製造プロセスフローチャート 101
図25 SiCベースのパワーデバイス製造コスト構造の内訳 103
図26 SiCベースのパワーデバイス産業のバリューチェーン 106
図27 世界のSiCベースのパワーデバイス市場規模予測（2027-2031年） 118
図28 世界のSiCベースのパワーデバイス市場数量予測（2027-2031年） 119
| ※SiCベースパワーデバイスは、シリコンカーバイド（SiC）を基材とするパワーエレクトロニクスのデバイスのことを指します。この種のデバイスは、高温、高電圧、高周波数において優れた性能を発揮するため、従来のシリコンベースのデバイスに代わる選択肢として注目されています。 SiCベースパワーデバイスには、主にMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、バイポーラトランジスタ（BJT）、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの種類があります。これらのデバイスは、特定のアプリケーションに応じて異なる特性を持っています。例えば、SiC MOSFETは高いスイッチング速度と低い導通損失を実現しており、特にエネルギー効率が求められる用途に適しています。一方で、SiC BJTは、より高い耐圧と高い温度での操作が可能で、特定の産業用アプリケーションに最適です。また、IGBTは高出力のアプリケーションにおいてコストパフォーマンスの面で優れています。 SiCベースパワーデバイスは、様々な用途で使用されています。例えば、電気自動車（EV）やハイブリッド車では、モーター駆動や充電装置においてSiC MOSFETが多く採用されています。これにより、車両のエネルギー効率が向上し、航続距離の延長が実現されています。また、再生可能エネルギーのインバータや、データセンターの電力管理システムでもSiCデバイスが利用されており、電力転送の効率を高めています。その他、産業用機械や空調システムなど、広範な分野での応用が進んでいます。 SiCベースパワーデバイスを支える関連技術には、ウエハ製造技術、パッケージング技術、および熱管理技術があります。SiCウエハは、シリコンに比べて高いバンドギャップを持ち、高温でも性能が維持されるため、高温環境でも安定した動作を提供します。ただし、SiCのウエハ製造はシリコンよりも難易度が高く、コストがかかるため、今後の技術革新が求められています。 パッケージング技術は、デバイス性能を最大限に引き出すために重要です。SiCデバイスは熱的管理が求められるため、効率的な熱放散を実現するための先進的なパッケージデザインが欠かせません。熱拡散特性の良い材料を用いることで、高温でも安定した性能が得られます。 さらに、熱管理技術は、SiCデバイスの重要な技術要素です。高い出力密度と効率を実現するためには、優れた冷却システムによりデバイスの温度を管理することが必要です。液冷やヒートシンク技術を駆使し、デバイスの温度を適切に制御することで、長寿命化や高信頼性を実現します。 SiCベースパワーデバイスの市場は、近年急速に拡大しています。これは、エネルギー効率の向上や温暖化対策、安全性向上などのグローバルな課題に対するソリューションが求められているためです。多くの企業がSiCテクノロジーへの投資を強化しており、将来的にはさらなる性能向上やコスト削減が期待できます。 その一方で、SiCベースパワーデバイスの普及には幾つかの課題も存在します。製造コストがシリコンベースのデバイスに比べて高く、競争力を持つためにはさらなる技術革新が不可欠です。また、信頼性の確保や製品の標準化も重要なテーマとなっており、業界全体での取り組みが求められます。 これらの課題に取り組むことで、SiCベースパワーデバイスの将来はより明るいものとなり、より多くの産業での応用が進むことが期待されます。エネルギー効率や耐久性、温度特性に優れたSiCベースパワーデバイスは、今後の技術革新によって、より幅広い分野での利用が進むでしょう。これにより、持続可能な未来に貢献することが可能になると考えられています。 |
• 日本語訳：SiCベースパワーデバイスの世界市場2026年
• レポートコード：MRC-PRF26M0775 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）