 | • レポートコード：MRC-PRF26M0233 • 出版社/出版日：Prof Research / 2026年5月 • レポート形態：英語、PDF、105ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：Semiconductor Device |
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レポート概要
半導体リソグラフィ装置市場の概要
業界および製品の概要
半導体リソグラフィ装置市場は、広範なウェハー製造装置業界において、最も重要かつ技術的に複雑で、資本集約的な分野です。リソグラフィーは半導体製造プロセスの絶対的な中核に位置し、ムーアの法則の物理的限界を決定づけ、集積回路の継続的な微細化を可能にしています。リソグラフィー装置は、精密な波長の光を用いてフォトレジストを塗布したシリコンウェハーに複雑な回路パターンを投影することで、現代のマイクロチップのトランジスタ密度、性能、および電力効率を決定づけます。
リソグラフィ装置の莫大な価値により、売上高ベースで半導体製造装置市場における最大のカテゴリーとなっている。業界データによると、2024年の世界の半導体製造装置の総売上高は約1,090億米ドルに達した。この広大なエコシステムにおいて、リソグラフィ、エッチング、および薄膜成膜が最も重要な中核プロセスを構成している。リソグラフィ装置だけで最大のシェアを占め、装置総支出の約24％を占めた。先進的なプロセスノードへの絶え間ない追求と人工知能（AI）アプリケーションの普及に牽引され、半導体リソグラフィ装置の市場規模は2026年までに推定300億米ドルから320億米ドルに達すると予測されています。この市場は堅調な勢いを維持し、2031年までの年間平均成長率（CAGR）は9％から10％の範囲になると見込まれています。
この分野における製品の分類は、主に光源の波長によって定義され、これが装置の解像能力を決定する。市場は、深紫外（DUV）リソグラフィシステムと極紫外（EUV）リソグラフィシステムの2つの主要な技術層によって支配されている。
極めて高度な技術的複雑さ、天文学的な研究開発コスト、そして膨大な納入課題に牽引され、リソグラフィ装置の単価は他のあらゆる半導体製造装置の価格を大幅に上回っている。フッ化アルゴン（ArF）またはフッ化クリプトン（KrF）エキシマレーザーを利用するDUVシステムは、通常、1台あたり2,000万米ドルから5,000万米ドルの価格帯となっている。これらのシステムは依然として業界の主力であり、マルチパターニング技術を通じて、成熟したノードや一部の先進ノードで広く利用されている。対照的に、レーザー生成プラズマによって生成される波長13.5ナノメートルの光を利用するEUVシステムは、人類の工学技術の頂点を極めるものである。市場をリードする企業の標準的なEUVシステムの価格は、1台あたり1億5,000万米ドルから2億米ドルの間である。さらに、次世代の2ナノメートル未満の製造への移行により、高NA（開口数）EUV装置の導入が進んでおり、最新世代の価格は1台あたり3億5,000万米ドルから4億1,000万米ドルという前例のない高値に達している。
地域別市場分析
半導体リソグラフィ装置の需要は、大規模な専業ファウンドリや統合デバイスメーカー（IDM）が存在する地域に偏っている。サプライチェーンのレジリエンス（回復力）を高めるための地政学的圧力も、装置調達の地域的なシフトを加速させている。
– アジア太平洋（APAC）：APAC地域は引き続き世界市場を支配しており、装置導入の大部分を占めている。同地域の市場は、予測期間中に10％から12％と推定される堅調な年平均成長率（CAGR）を記録すると見込まれている。この成長は、先進的なファウンドリサービスの世界的な拠点として不動の地位を築いている台湾・中国に集中している。台湾・中国の主要ファウンドリ各社は、5nm未満および3nm未満の製造における優位性を確保するため、標準型および高NA EUV装置の両方に対して膨大な需要を生み出している。韓国は、主要なIDM企業が先進DRAM生産をEUVリソグラフィへ移行させていることに加え、ロジックファウンドリの生産能力への多額の投資により、もう一つの巨大な調達拠点となっています。中国本土は、主に国内の自動車、民生用電子機器、IoTセクターへの供給を目的とした成熟ノード（28nm以上）の生産能力拡大に注力しつつ、国内製装置への代替投資を積極的に行うことで、DUVシステムの重要な需要源であり続けています。
– 北米：米国「CHIPS and Science Act」をはじめとする積極的な政府補助金と、先進的な半導体製造の国内回帰という戦略的要請に後押しされ、北米市場は復活の兆しを見せている。同地域は8%から10%と推定される高い年平均成長率（CAGR）を記録すると予想される。主要な国内IDM各社は、複数の先進ノードを短縮されたスケジュールで投入するなど、積極的なロードマップを推進しており、高NA EUV装置の大量導入が必要となっている。さらに、アリゾナ州、テキサス州、オハイオ州などで国内外のファウンドリがメガファブを建設していることから、リソグラフィ装置の需要は持続的に見込まれます。
– 欧州：欧州市場は、推定7％から9％の安定したCAGRで成長すると予測されています。欧州は、世界有数のリソグラフィ装置メーカーの本拠地であり、高度に専門化された光学およびメカトロニクスのサプライチェーンを有している点で独特です。欧州内の需要は、主にアナログ、ミックスドシグナル、パワー半導体、および自動車用チップに注力するIDM（垂直統合型半導体メーカー）によって牽引されている。「欧州チップ法」は、現地のファブ生産能力の拡大をさらに促進しており、主にDUVおよび特殊な成熟ノード向けリソグラフィ装置に対する健全な需要を維持するとともに、現地での先進ロジック製造能力の確立を目指す合弁事業も進められている。
– 中東・アフリカ（MEA）：従来、フロントエンドのウェハー製造においてはマイナーな存在であったMEA地域ですが、推定年平均成長率（CAGR）4%～6%で、戦略的な成長軸として台頭しつつあります。政府系ファンドによる国家AIインフラへの投資や、石油化学産業からの脱却に向けた先端技術の多角化に牽引され、アラブ首長国連邦やサウジアラビアなどの国々は、先端半導体製造およびパッケージングハブの設立を積極的に模索しています。この長期的な戦略的ビジョンにより、同地域はリソグラフィシステムにとって、まだ発展途上ではあるが有望な市場としての地位を確立しつつある。
– 南米：南米市場は、3％から5％と推定される緩やかなCAGRで成長すると見込まれている。同地域の半導体エコシステムは、資本集約的なフロントエンドのウェハー製造よりも、バックエンドの組立、テスト、パッケージングに依然として重点が置かれている。この地域での需要は、一般的に、高度なパッケージングに使用される特殊なバックエンド用リソグラフィ装置や、ニッチな電子機器組立向けのレガシーシステムに限定されています。
用途および製品タイプの分類
半導体リソグラフィ装置の導入は、製造されるマイクロチップの最終用途、およびチップ自体の基本的なアーキテクチャと密接に関連しています。
半導体アーキテクチャ別：
– ロジックチップ：ロジックチップの生産はリソグラフィ装置の主要な需要源であり、市場全体の用途の60％以上を常に占めています。中央処理装置（CPU）、グラフィックス処理装置（GPU）、システムオンチップ（SoC）などのロジックチップは、より高い演算密度とエネルギー効率を実現するために、最も積極的なトランジスタ微細化を必要とします。その結果、最先端のEUVおよび高NA EUVシステムの初期導入者は、ほぼ例外なく先進的なロジックファウンドリとなっています。
– メモリチップ：DRAMやNANDフラッシュを含むメモリ分野は、第2の主要な用途です。NANDフラッシュは、最先端のリソグラフィーよりも高度な成膜やエッチング技術に依存して垂直方向に微細化（3D NAND）が進んでいますが、DRAM分野ではEUVへの依存度が高まっています。コンデンサの微細化に伴う物理的限界を克服し、ビット密度を向上させるため、主要なメモリメーカーは、最新世代のプロセス（1-alpha、1-beta、1-gammaノードなど）にEUVを積極的に導入している。
最終用途別：
– 携帯電話：スマートフォン市場、特にハイエンド層は、最先端のリソグラフィ装置にとって最も安定した需要源である。フラッグシップ級のモバイルアプリケーションプロセッサは、高性能コンピューティングと厳しいバッテリー駆動時間の制約とのバランスを取るため、最先端のノード（現在は3nmから2nmアーキテクチャへ移行中）を必要とする。これにより、膨大なEUV生産能力が不可欠となる。
– PCおよびタブレットPC：「AI PC」の台頭や、ノートPC市場への高度なARMベースプロセッサの浸透に牽引され、パーソナルコンピューティング分野における高性能半導体の需要が急増しています。これらのプロセッサは、ニューラルプロセッシングユニット（NPU）と膨大なトランジスタ数を効率的に集積するために、最先端のEUVリソグラフィーに依存しています。
– ネットワークカメラおよびスマートホーム：これらのIoTおよび民生用電子機器分野では、通常、成熟したレガシーノード（28nmから90nm以下）で製造されたマイクロコントローラ、イメージセンサー、および接続用チップが利用されています。これらのアプリケーションは、高スループットのDUV（KrF、ArF）およびi-lineリソグラフィ装置に対して、巨大かつ安定的で収益性の高い基盤需要を提供しています。
– その他：自動車用電子機器、産業用オートメーション、通信インフラが、残りのアプリケーション分野を占める。特に自動車セクターは、電動化と自動運転に向けた構造的変化の真っ只中にあり、1台あたりのシリコン搭載量が大幅に増加している。これにより、電源管理IC、マイクロコントローラ、および先進運転支援システム（ADAS）用シリコンを製造するためのDUV装置に対する需要が大幅に高まっている。
バリューチェーンと産業チェーンの構造
半導体リソグラフィ装置産業チェーンは、極めて高い参入障壁、比類のない高度な技術、そして高度に統合され深く連携したグローバルバリューチェーンを特徴としています。
上流：精密部品および材料
上流セグメントは、リソグラフィ装置の構築に必要な重要なサブシステムを提供する、高度に専門化されたサプライヤーで構成されています。例えば、EUVシステムには10万個以上の高度に設計された部品が含まれています。主要な上流要素には以下が含まれる：
– 精密光学系：最も重要なコンポーネントであり、EUV用には原子レベルで平滑な鏡（EUVはガラスを含むあらゆる物質を吸収するため、透過レンズではなく複雑な反射光学系が必要となる）が、DUV用には超精密レンズシステムが用いられる。光学サプライチェーンは、高度に専門化された欧州および日本の光学エンジニアリング企業によって事実上独占されている。
– 光源：13.5nmのEUV光を生成するには、真空中で高速落下する微細な溶融スズ滴に高出力の二酸化炭素レーザーを照射する必要があります。このようなレーザー生成プラズマ光源を設計できる企業は稀であり、通常、主要な装置メーカーとの買収を通じて深く統合されています。
– メカトロニクスおよびステージ：ウェーハステージは戦闘機よりも速く加速し、ナノメートル単位の精度で停止できなければなりません。これには、高度な磁気浮上技術と超精密なモーション制御システムが必要です。
– 消耗品：このエコシステムは、特殊なフォトレジスト（ウェハに塗布される感光性化学薬品）、高度なフォトマスク（回路設計を含むテンプレート）、およびペリクル（マスク用の保護膜）を提供する上流の化学・材料サプライヤーにも大きく依存しています。
中流：リソグラフィ装置インテグレーター
中流セグメントは、これら数十万もの部品を統合し、機能的で信頼性が高く、高スループットな製造装置を作り上げることができる、ごく少数の企業で構成されています。これには、複雑なソフトウェアエンジニアリング、独自の計測技術、そして大規模なクリーンルームでの組立能力が求められます。中流セグメントは寡占市場が特徴であり、サプライチェーンの複雑さや綿密なキャリブレーション要件のため、装置のリードタイムは12ヶ月から24ヶ月に及ぶことがあります。
ダウンストリーム：ウェハー製造施設（ファブ）
ダウンストリームセグメントは、装置を購入、設置、運用する半導体ファウンドリおよびIDM（垂直統合型半導体メーカー）で構成されています。これらの装置を運用するには、専用のクリーンルームインフラ、膨大な電力消費能力、そして高度な技術を持つエンジニアリング人材が必要です。ダウンストリームのプレーヤーは、将来の半導体ノードに必要な仕様を定義することで、ミッドストリームサプライヤーの技術ロードマップを決定づけます。
競争環境と企業情報
世界の半導体リソグラフィ装置市場は、極めて安定しており、高度に集中した競争環境を特徴としており、3つの業界大手が支配する長期的な寡占市場として機能している。ASML、キヤノン、ニコンは、歴史的に世界市場シェアの上位3社を占めてきた。
– ASML Holding NV：オランダに本社を置くASMLは、半導体リソグラフィ分野における誰もが認める世界的なリーダーであり、絶対的な先駆者である。同社は極端紫外線（EUV）技術分野において100％の独占的地位を占めており、その装置は7ナノメートル（nm）以下の先進チップの製造を目指すファウンドリにとって、唯一かつ不可欠な選択肢となっている。台湾のTSMC、中国、そしてサムスンやインテルを含む主要な先進ノードのファブが、ASMLのEUV技術の主要な顧客である。この技術の急速な普及を裏付けるように、業界全体のEUV装置の出荷台数は、2017年のわずか11台から、2025年には推定48台へと劇的に増加した。その巨大な市場シェアを示すように、2025年のASMLのリソグラフィシステムによる総売上高は驚異的な266億9000万米ドルに達し、同社は全技術レベルを合わせて世界中で327台のリソグラフィ装置を出荷した。ASMLは現在、次世代High-NA EUVプラットフォームの展開により、業界を牽引している。
– ニコン株式会社：日本に本社を置くニコンは、リソグラフィ分野における歴史的なパイオニアである。先進的なEUV技術の競争ではASMLに敗れたものの、ニコンはDUV分野、特にArF液浸（ArFi）スキャナーにおいて依然として強力なプレイヤーであり続けている。ニコンはIDMやメモリメーカーの間で忠実な顧客基盤を維持しており、成熟ノードの製造やメモリ製造における特定の重要層向けに、信頼性が高くコスト効率に優れた代替ソリューションを提供している。
– キヤノン株式会社：同じく日本に本社を置くキヤノンは、i-line、KrF、および広範囲のDUVリソグラフィシステムに重点を置いている。キヤノンは、パワー半導体、イメージセンサー、IoTデバイスの製造に使用されるリソグラフィ装置市場を支配している。さらに、キヤノンはナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術に多額の投資を行い、特定の特殊な半導体製造プロセスにおいて、EUVに代わる低コストかつ低消費電力の選択肢として提示することで、市場の変革を積極的に図っている。
– 東京エレクトロン（TEL）およびスクリーンホールディングス：露光装置そのものを製造しているわけではないが、これらの日本の大手企業はリソグラフィ市場と密接に結びついている。TELとスクリーンは、露光前にシリコンウェハーにフォトレジストを塗布し、露光直後に現像を行う極めて複雑なシステムである半導体トラック装置市場を完全に支配している。これらのトラックシステムは、ASML、ニコン、キヤノンのリソグラフィースキャナーと物理的に接続されており、シームレスなソフトウェアおよびハードウェアの統合が求められる。
– 中国国内のエコシステム：グローバルなサプライチェーンの動向や輸出規制に対応し、中国国内のリソグラフィーエコシステムは急速な進化と戦略的な再編を遂げている。2025年には、国内の技術力を加速させるため、上海微電子設備集団有限公司（SMEE）が戦略的に3つの専門企業に分割されるという重要な出来事が発生した：
– 上海微電子設備集団有限公司（SMEE）：分割後、SMEEはフロントエンド露光システムの高度に複雑な統合に専念し、国内EUV技術の最先端研究開発を主導している。
– 上海裕量盛科技株式会社（YLS）：この新設された事業体は、成熟ノードの生産能力に対する国内の膨大な需要に応えるべく、フロントエンドDUVリソグラフィ装置および重要な半導体計測・測定装置の商用化と継続的な改良に専念する。
– AMIES Technology Co Ltd：この専門部門は、急成長する半導体バックエンドのエコシステムに注力し、電気自動車や高出力電子機器に不可欠な、先進的なパッケージング用リソグラフィ装置、レーザーアニールシステム、および化合物半導体（炭化ケイ素や窒化ガリウムなど）向けの専用リソグラフィツールを開発しています。
市場機会
– 生成AIとハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）のブーム：
大規模言語モデルや生成AIの指数関数的な成長により、最先端のロジックチップ（GPUやAIアクセラレータ）および高帯域幅メモリ（HBM）に対する飽くなき需要が生まれています。このAIスーパーサイクルは、これらの複雑で大型ダイのシリコンエンジンを製造するための、高スループットEUVおよび次世代高NA EUVシステムに対する即時的かつ持続的な需要に直結しています。
– 先進パッケージングの普及：フロントエンドの微細化においてムーアの法則の進展が鈍化する中、業界はチプレットやヘテロジニアス統合を活用した「ムーアを超える（More-than-Moore）」ソリューションへと軸足を移しています。この転換は、バックエンドの露光装置にとって巨大な機会をもたらします。高密度な相互接続やインターポーザーを形成するには高精度なパッケージング用露光技術が必要であり、露光装置市場において急速に拡大するサブセグメントが生まれています。
– 地政学的要因によるサプライチェーンのローカライゼーション：北米、欧州、アジア全域で数十億ドル規模の補助金プログラムを通じた前例のない政府介入により、世界的にファブ（半導体製造工場）の冗長化建設が相次いでいます。各国が自動車、防衛、通信のサプライチェーンを確保するために半導体の自給自足を目指していることから、リソグラフィ装置の総潜在市場規模は、純粋な市場主導の需要を超えて人為的に拡大しています。
– 電動化と化合物半導体：電気自動車（EV）および再生可能エネルギーインフラへの移行により、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といった化合物半導体で作られたパワーエレクトロニクスに対する膨大な需要が生まれています。これにより、非シリコン系といった特殊な基板の処理に最適化された、特殊なDUVおよびi-lineリソグラフィシステムにとって、収益性の高い成長の道が開かれています。
市場の課題
– 莫大な研究開発コストと物理的限界：リソグラフィ産業は、応用物理学と材料科学の限界領域で活動している。次世代光源、超大開口数光学系、ナノメートル精度の制御システムの開発には、数十億ドル規模の継続的な研究開発投資が必要となる。ロードマップの遅延や技術的行き詰まりのリスクは、確立された既存企業にとっても深刻な財務的脅威となる。
– サプライチェーンの脆弱性と集中：EUV装置の生産は、極めて脆弱で単一障害点（SPOF）を抱えるサプライチェーンに依存している。ドイツ製の特定の光学レンズや米国製の特殊バルブといった重要部品を単独のサプライヤーに依存していることは、たった1社の二次サプライヤーで混乱が生じれば、世界で最も重要な半導体製造装置の生産が停止してしまうことを意味する。
– 地政学的輸出規制と貿易摩擦：リソグラフィ市場は、地政学的影響力を行使するための主要な手段となっている。ますます厳格化する輸出規制により、最先端のEUVシステムや高度なDUVシステムさえも、特定の地域への販売が制限されている。このような規制環境は、装置メーカーに複雑なコンプライアンスの網をくぐり抜けることを強いるとともに、潜在市場規模を人為的に制限し、世界的な技術エコシステムを分断している。
– 天文学的な設備投資の要件： 高度なリソグラフィ装置（高NAシステムの場合、3億5,000万米ドルを超える）そのもののコストと、それに伴うファブインフラのコストが、下流の顧客基盤を著しく制限している。最先端技術に参加できるのは、莫大な資本力を有するごく少数のファウンドリやIDMのみである。もし民生用電子機器やHPC市場が低迷した場合、この高度に集中した顧客基盤は設備投資を劇的に削減する可能性があり、その結果、装置メーカーの収益は激しい変動に見舞われることになる。
目次
第1章 レポートの概要 1
1.1 調査範囲 1
1.2 調査方法 2
1.2.1 データソース 2
1.2.2 前提条件 3
1.3 略語および頭字語 5
第2章 世界の半導体リソグラフィ装置市場の概要 7
2.1 世界の半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 7
2.2 世界の半導体リソグラフィ装置市場数量（2021-2031年） 9
2.3 市場の推進要因と機会 11
2.4 市場の制約要因と課題 12
第3章 タイプ別半導体リソグラフィ装置市場 13
3.1 タイプ別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 13
3.2 タイプ別世界半導体リソグラフィ装置市場数量（2021-2031年） 14
3.3 極端紫外線（EUV）リソグラフィ 15
3.4 深紫外線（DUV）リソグラフィ 16
3.5 i-lineおよびその他 18
第4章 用途別半導体リソグラフィ装置市場 19
4.1 用途別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 19
4.2 用途別世界半導体リソグラフィ装置出荷台数（2021-2031年） 20
4.3 携帯電話 21
4.4 タブレットPC 22
4.5 PC 22
4.6 ネットワークカメラ 23
4.7 スマートホーム 23
4.8 その他 24
第5章 地域別半導体リソグラフィ装置市場 25
5.1 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 25
5.2 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 26
5.3 北米 27
5.3.1 米国 28
5.4 欧州 29
5.4.1 オランダ 29
5.4.2 ドイツ 30
5.5 アジア太平洋 31
5.5.1 中国 31
5.5.2 日本 32
5.5.3 韓国 33
5.5.4 台湾（中国） 34
第6章 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置の競争状況 35
6.1 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置の販売台数（2021-2026年） 35
6.2 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置売上高（2021-2026年） 37
6.3 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置平均価格（2021-2026年） 39
6.4 メーカーの生産拠点の分布と本社 40
6.5 市場集中率 41
第7章 企業概要および主要指標 43
7.1 ASML Holding NV 43
7.1.1 会社概要 43
7.1.2 研究開発投資および技術力 44
7.1.3 SWOT分析 45
7.1.4 半導体リソグラフィ装置事業のデータ分析 46
7.2 ニコン株式会社 47
7.2.1 会社概要 47
7.2.2 研究開発投資と技術力 48
7.2.3 SWOT分析 49
7.2.4 半導体リソグラフィ装置事業のデータ分析 50
7.3 キヤノン株式会社 51
7.3.1 会社概要 51
7.3.2 研究開発投資と技術力 52
7.3.3 SWOT分析 53
7.3.4 半導体露光装置事業のデータ分析 54
7.4 東京エレクトロン株式会社 55
7.4.1 会社概要 55
7.4.2 研究開発投資と技術力 56
7.4.3 SWOT分析 57
7.4.4 半導体露光装置事業のデータ分析 58
7.5 スクリーンホールディングス株式会社 59
7.5.1 会社概要 59
7.5.2 研究開発投資と技術力 60
7.5.3 SWOT分析 61
7.5.4 半導体露光装置事業のデータ分析 62
7.6 上海微電子設備集団有限公司（SMEE） 63
7.6.1 会社概要 63
7.6.2 研究開発投資と技術力 64
7.6.3 SWOT分析 65
7.6.4 半導体リソグラフィ装置事業のデータ分析 66
7.7 上海裕良盛科技有限公司 67
7.7.1 会社概要 67
7.7.2 研究開発投資と技術力 68
7.7.3 SWOT分析 68
7.7.4 半導体露光装置事業のデータ分析 69
7.8 AMIES Technology Co Ltd 70
7.8.1 会社概要 70
7.8.2 研究開発投資と技術力 71
7.8.3 SWOT分析 72
7.8.4 半導体露光装置事業のデータ分析 73
第8章 サプライチェーンおよびバリューチェーン分析 74
8.1 半導体リソグラフィ装置のサプライチェーン分析 74
8.2 主要原材料および部品サプライヤー 76
8.3 上流のコスト構造分析 78
8.4 下流の顧客分析 79
第9章 製造プロセスおよび特許分析 80
9.1 半導体露光装置の製造プロセス 80
9.2 技術的ボトルネックとイノベーション 82
9.3 世界の半導体露光装置の特許動向 84
第10章 輸出入分析 86
10.1 地域別世界の半導体露光装置の輸入（2021-2026年） 86
10.2 地域別世界半導体リソグラフィ装置輸出（2021-2026年） 88
10.3 貿易政策および輸出規制の分析 90
第11章 市場のダイナミクスと開発動向 92
11.1 将来の技術動向（高NA EUVなど） 92
11.2 エンドユーザー需要の変化 94
11.3 規制および地政学的な影響 95
第12章 世界の半導体リソグラフィ装置市場予測（2027-2031年） 97
12.1 世界の市場規模および数量予測（2027-2031年） 97
12.2 タイプ別市場予測（2027-2031年） 99
12.3 用途別市場予測（2027-2031年） 101
12.4 地域別市場予測（2027-2031年） 103
第13章 調査結果と結論 105
図表一覧
図1 世界の半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 7
図2 世界の半導体リソグラフィ装置出荷台数（2021-2031年） 9
図3 世界の半導体リソグラフィ装置市場規模のタイプ別シェア（2021-2031年） 13
図4 世界の半導体リソグラフィ装置市場数量のタイプ別シェア（2021-2031年） 14
図5 世界の半導体リソグラフィ装置市場規模の用途別シェア（2021-2031年） 19
図6 用途別世界半導体リソグラフィ装置市場規模シェア（2021-2031年） 20
図7 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場規模シェア（2021-2031年） 25
図8 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場の出荷台数シェア（2021-2031年） 26
図9 北米半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 27
図10 欧州半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 29
図11 アジア太平洋地域の半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 31
図12 世界の半導体リソグラフィ装置市場の集中度 41
図13 ASML Holding NVのリソグラフィ装置市場シェア（2021-2026年） 46
図14 ニコン株式会社のリソグラフィ装置市場シェア（2021-2026年） 50
図15 キヤノン株式会社のリソグラフィ装置市場シェア（2021-2026年） 54
図16 東京エレクトロン株式会社のリソグラフィ装置市場シェア（2021-2026年） 58
図17 スクリーンホールディングス株式会社の露光装置市場シェア（2021-2026年） 62
図18 SMEEの露光装置市場シェア（2021-2026年） 66
図19 上海裕良盛科技有限公司の露光装置市場シェア（2021-2026年） 69
図20 AMIES Technology Co Ltd リソグラフィ装置市場シェア（2021-2026年） 73
図21 半導体リソグラフィ装置のバリューチェーン 75
図22 半導体リソグラフィ装置の製造プロセスフローチャート 81
図23 世界の半導体リソグラフィ装置特許公開動向（2021-2026年） 85
表一覧
表1 タイプ別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 13
表2 タイプ別世界半導体リソグラフィ装置市場数量（2021-2031年） 14
表3 用途別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 19
表4 用途別世界半導体リソグラフィ装置市場数量（2021-2031年） 20
表5 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場規模（2021-2031年） 25
表6 地域別世界半導体リソグラフィ装置市場数量（2021-2031年） 26
表7 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置販売台数（2021-2026年） 35
表8 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置売上高（2021-2026年） 37
表9 メーカー別世界半導体リソグラフィ装置平均価格（2021-2026年） 39
表10 メーカー別生産拠点の分布および本社所在地 40
表11 ASML Holding NVのリソグラフィ装置の販売台数、価格、原価、および粗利益率（2021-2026年） 46
表12 ニコン株式会社のリソグラフィ装置の販売台数、価格、原価、および粗利益率（2021-2026年） 50
表13 キヤノン株式会社の露光装置の売上高、価格、原価および粗利益率（2021-2026年） 54
表14 東京エレクトロン株式会社の露光装置の売上高、価格、原価および粗利益率（2021-2026年） 58
表15 スクリーンホールディングス株式会社の露光装置の売上高、価格、原価および粗利益率（2021-2026年） 62
表16 SMEEの露光装置の売上高、価格、原価および粗利益率（2021-2026年） 66
表17 上海裕良盛科技株式会社 リソグラフィ装置の販売、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 69
表18 AMIES Technology Co Ltd リソグラフィ装置の販売、価格、原価、粗利益率（2021-2026年） 73
表19 主要原材料および部品サプライヤー一覧 77
表20 主要下流顧客リスト 79
表21 世界の半導体リソグラフィ装置主要特許リスト 84
表22 地域別世界の半導体リソグラフィ装置輸入量（2021-2026年） 87
表23 地域別世界の半導体リソグラフィ装置輸出量（2021-2026年） 89
表24 タイプ別世界市場規模予測（2027-2031年） 99
表25 用途別世界市場規模予測（2027-2031年） 101
表26 地域別世界市場規模予測（2027-2031年） 103
| ※半導体リソグラフィ装置は、半導体製造プロセスにおいて基盤となる重要な機器であり、主に回路パターンをシリコンウェーハなどの基板上に転写するために使用されます。この装置は、極めて高い精度と解像度が求められ、半導体デバイスの小型化や高性能化に寄与します。 リソグラフィ装置にはいくつかの種類があります。主に、ホットリソグラフィ、紫外線リソグラフィ、極紫外線（EUV）リソグラフィ、さらには電子ビームリソグラフィといった方法が存在します。ホットリソグラフィは、比較的古い技術で、アナログおよびデジタル回路の製造に用いられています。一方で、紫外線リソグラフィは、特に730ナノメートル以下の光波長を使用し、高速かつ高解像度なパターン形成が可能です。極紫外線リソグラフィは、10ナノメートル以下の回路を生成するために必要な技術で、これにより次世代の半導体デバイスが実現されます。また、電子ビームリソグラフィは、特定の用途に特化した高精度なパターン形成を行うことができ、主にマスク作製や特殊なデバイスの製造に使用されます。 半導体リソグラフィ装置の用途は非常に広範です。最も重要な用途は、マイクロプロセッサやメモリチップ、そしてパワーデバイスなどに見られるさまざまな半導体デバイスの製造です。また、自動車産業や携帯電話、家電製品に至るまで、ほとんどの電子機器に使用される半導体の基礎技術としても役立っています。さらに、ソーシャルメディアやクラウドコンピューティングの発展に伴い、データセンター向けの高性能プロセッサに対する需要も高まっており、リソグラフィ技術はますます重要になっています。 関連技術としては、フォトレジストやマスクが挙げられます。フォトレジストは、リソグラフィプロセスにおいて光に反応する化合物で、露光された部分と露光されていない部分の化学的特性が異なります。これにより、基板上に所望のパターンを形成することが可能です。マスクは、回路パターンをフィルターする役割を果たし、光を通して基板にそのパターンを転写します。さらに、リソグラフィ装置には、精密な位置決めやナノスケールのパターン形成を実現するための高度な光学技術やコンピュータ技術が組み込まれています。 最近では、リソグラフィ技術の進化とともに、ナノインプリントやブロックコポリマーを用いた新たな技術の研究開発も進められています。これにより、従来のリソグラフィ手法だけでは達成できなかった高い解像度が求められる今後の半導体市場においても、新たな可能性が広がっています。 総じて、半導体リソグラフィ装置は、日々進化を続ける半導体産業において不可欠な要素であり、その技術革新は、新型電子デバイスの創出や日常生活における電子機器の進化に大きく影響を与えています。これにより、私たちの社会や経済における情報通信技術の発展を支えているのです。将来的には、さらなる高精度化や低コスト化が求められ、それに応じた新しい技術の開発が期待されます。リソグラフィ技術の進展は、今後の半導体業界の方向性を決定づける重要な要素となることでしょう。 |
• 日本語訳：半導体リソグラフィ装置の世界市場2026年
• レポートコード：MRC-PRF26M0233 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）