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世界のシリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の規模、成長、シェア、動向と予測、2025年 – 2032年

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シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の世界的な規模は、2025年には22.7億米ドルに達する見込みで、2032年までには82.9億米ドルに成長し、2025年から2032年の予測期間中に年平均成長率(CAGR)20.3%で成長すると予測されています。この成長は、グローバルな電気自動車(EV)販売の増加や、産業用電力システム、消費者向け電子機器によるパワーエレクトロニクスの需要の高まりによって促進されています。シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは、高性能な半導体デバイスを製造するために使用される薄く平らな結晶シリコンカーバイド材料のスライスであり、広いバンドギャップ(約3.26 eV)、高い熱伝導率、高い耐圧電場、迅速な電子移動度を持ち、高電力、高温、高周波のアプリケーションに最適です。

シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは、通常のシリコンウェハーに比べてエネルギー効率が高く、より小型で堅牢なパワーエレクトロニクスを実現します。これらはEVのインバータ、再生可能エネルギーシステム、産業用ドライブ、航空電子機器、5Gインフラなどで広く使用されています。主要な製造業者にはWolfspeed、株式会社ローム、富士電機などがあります。

EVの普及が進む中、シリコンカーバイド(SiC)ウェハーの需要が急増しています。シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは、インバータ、車載充電器、DC-DCコンバータなどの重要なEVコンポーネントに不可欠であり、従来のシリコンに比べて高い効率、熱性能、そして高電圧での動作能力を提供します。800ボルトの充電アーキテクチャの使用がトレンドとなっており、これにより充電速度が向上します。例えば、ポルシェ・タイカン、ヒュンダイ・アイオニック5、キア・EV6などのEVは、20分未満で充電可能です。シリコンカーバイド(SiC)ベースのパワーエレクトロニクスは、これらの高電圧に対応し、エネルギー損失や熱を軽減することができます。

2025年5月には、世界で160万台のEVが販売され、前年に比べて24%の増加を記録しました。アジア太平洋地域は主要市場であり、中国は2024年に1287万台の乗用EVを販売し、世界のEV販売の約60%を占めています。高出力車両、高速充電能力、性能の向上に対する需要が高まる中、シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは非常に求められています。

シリコンカーバイド(SiC)ウェハーの生産には高い製造コストが伴い、これは市場の制約となっています。シリコンカーバイド(SiC)の製造は物理蒸気輸送(PVT)という非常に高温(2000°C以上)で時間のかかるプロセスを必要とし、この複雑さから高コストが発生します。また、材料の硬さと脆さにより加工が難しく、通常のシリコンウェハーに比べて歩留まりが低く、ウェハーの破損や欠陥の率が高くなります。これにより、廃棄物が増加しスループットが遅くなり、コストが上昇します。高温プロセスであるため、高額で専門的な設備が必要で、資本支出が増加します。デバイス性能を確保するためのエピタキシャル成長やドーピングプロセスも生産コストを増加させます。

現在、シリコンカーバイド(SiC)ウェハーの需要はパワーエレクトロニクスやLED照明において非常に高まっています。次世代スイッチ(MOSFETやダイオード)を用いた高性能アプリケーションにおいて、シリコンカーバイド(SiC)は特に有用です。2024年にはボッシュが市場の需要に応えるためにシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の量産を開始しました。

シリコンカーバイド(SiC)ウェハーの市場は非常に競争が激しく、世界的および地域的なプレーヤーが多数存在し、さまざまな製品を提供しながら市場シェアを高めるために競い合っています。主要なプレーヤーは、8インチおよび12インチのシリコンカーバイド(SiC)ウェハーの開発に注力しています。

2025年までのシリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場は、22.7億米ドルに達する見込みで、パワーエレクトロニクスの需要が高まっており、強いグローバルなEV販売、産業用電力システム、消費者向け電子機器が市場を後押ししています。市場は2025年から2032年の間に20.3%のCAGRで成長すると見込まれています。

主要なプレーヤーには、Wolfspeed Inc.、Coherent Corp.(II-VI Incorporated)、厦門パワーウェイアドバンスドマテリアル社、STマイクロエレクトロニクス(Norstel AB)、Resonacホールディングスなどが含まれます。


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Report Coverage & Structure

エグゼクティブサマリー

このレポートのエグゼクティブサマリーでは、シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の全体像を把握するための重要なポイントが提供されます。2025年と2032年の市場スナップショットでは、市場の機会の評価が行われ、その規模が数十億米ドル単位で示されます。市場の主要なトレンド、将来の市場予測、プレミアムな市場インサイト、業界の発展や重要な市場イベント、PMRの分析および推奨事項が含まれ、シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の成長の可能性と課題が明確に示されています。

市場概要

このセクションでは、シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の範囲と定義が説明されており、業界の動向を理解するための基礎が提供されます。市場のダイナミクスには、ドライバー、制約、機会、課題、および主要トレンドが含まれており、各要素が市場に与える影響を詳細に分析しています。特に、マクロ経済要因と世界的なセクターの見通し、GDP成長の見通しが取り上げられ、コロナウイルスの影響分析も行われています。このように、シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の現状と未来を見据えるための包括的な視点が提供されています。

付加価値インサイト

このセクションでは、規制の状況、パイプライン分析、製品の採用状況、バリューチェーン分析、製造業者による主要なプロモーション戦略が探求されています。さらに、PESTLE分析やポーターのファイブフォース分析を通じて、外部環境や競争状況の詳細な洞察が得られます。これにより、業界関係者は市場の動向を把握し、戦略的な意思決定を行うための情報を得ることができます。

シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場の見通し

市場の主要なハイライトには、市場規模(米ドル単位)および前年比成長率、絶対的な市場機会が含まれます。歴史的な市場規模の分析(2019-2024年)と2025年から2032年の予測が示され、ウェハーサイズ、エンドユーザー、アプリケーションごとに詳細に分析されています。特に、2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチのウェハーサイズの市場動向が詳述されています。また、航空宇宙・防衛、自動車・電気自動車(EV)、太陽光発電・電力供給・エネルギー貯蔵、産業用(UPSおよびモータードライブなど)といったエンドユーザーセグメントの市場分析も行われます。

地域別市場の見通し

地域ごとの市場の重要なハイライトと、歴史的な市場規模の分析が行われ、北米、欧州、アジア太平洋、南アジアおよびオセアニア、ラテンアメリカ、中東およびアフリカといった地域が詳細に取り上げられています。各地域の市場規模の分析と予測により、地域ごとの競争力や成長の可能性が可視化され、地域の市場魅力の評価が行われます。

競争環境

競争環境セクションでは、2025年の市場シェア分析や市場構造の詳細が提供され、競争の激しさがマッピングされます。企業プロフィールには、Wolfspeed Inc.をはじめとする主要企業の概要、財務状況、戦略、最近の発展が詳述されており、市場における各企業の立ち位置が明確にされます。競争ダッシュボードでは、業界内での各企業の役割や競争戦略が示され、シリコンカーバイド(SiC)ウェハー市場における主要プレーヤーの動向が把握できます。


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[参考情報]
シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは、半導体材料の一種で、シリコンとカーバイドから成る結晶構造を持っています。シリコンカーバイドは非常に高い耐熱性、耐腐食性、及び電気的特性を有しており、特に高温環境や高電圧、高周波数の用途に適しています。SiCウェハーは、通常、直径が100mmや150mm、さらには200mmのサイズで製造されます。このようなウェハーは、パワーエレクトロニクスや高性能な光デバイス、さらには高温センサーなど、さまざまな分野で使用されています。

SiCウェハーにはいくつかの種類があり、主に単結晶SiC、ポリタイプSiC、及び異方性SiCが存在します。単結晶SiCは、最も一般的に使用されるタイプで、電子デバイスやパワーエレクトロニクスの基盤として非常に高い性能を発揮します。ポリタイプSiCは、異なる結晶方向を持つ多結晶材料であり、特定の応用においてコストを抑えるために用いられることがあります。また、異方性SiCは、特定の方向に特化した電気的特性を持つため、特定のデバイス設計において優位性を発揮します。

シリコンカーバイドウェハーの主な用途は、パワー半導体デバイスやLED、センサーなどに広がっています。特に、パワー半導体デバイスは、電力変換やモーター制御、電気自動車の充電器などにおいて重要な役割を果たしています。SiCデバイスは、高いスイッチング周波数と効率を持ち、従来のシリコンデバイスに比べてより小型化、軽量化が可能です。また、SiCを利用したLED技術も進化しており、高輝度で省エネルギーな照明技術の開発に寄与しています。

さらに、シリコンカーバイドは、関連技術として、エピタキシャル成長やダイシング技術、研磨技術などが挙げられます。エピタキシャル成長は、SiCウェハー上に薄膜を成長させる技術で、高品質なデバイスの製造に不可欠です。ダイシング技術は、ウェハーを個々のチップに切り分けるプロセスであり、精密な切断が求められます。研磨技術は、ウェハー表面を滑らかにするための工程で、デバイスの性能を向上させるために重要です。

このように、シリコンカーバイド(SiC)ウェハーは、現代の電子機器やエネルギー効率の向上に欠かせない材料であり、その高い特性を活かしたさまざまな応用が進められています。今後も、SiC技術はさらなる発展が期待されており、特に電気自動車や再生可能エネルギーの分野において重要な役割を果たすでしょう。