(株)マーケットリサーチセンター

グローバル市場調査レポート販売 www.marketresearch.jp

市場調査資料

集束イオンビーム(FIB)市場規模、シェア、成長予測、2025年 – 2032年

世界市場規模・動向資料のイメージ
※本ページの内容は、英文レポートの概要および目次を日本語に自動翻訳したものです。最終レポートの内容と異なる場合があります。英文レポートの詳細および購入方法につきましては、お問い合わせください。

*** 本調査レポートに関するお問い合わせ ***

集束イオンビーム(FIB)市場は、2025年には12億米ドルに達し、2032年までには21億米ドルに成長すると予測されています。この成長は、先進的な半導体製造への需要の増加と、バイオサイエンス研究における新しい応用の採用拡大によって推進されています。市場は2025年から2032年の予測期間中に年平均成長率(CAGR)7.1%で成長すると見られています。

市場の成長を促進する主要な要因は、マルチビームシステムとヘリウムイオン源の技術進化です。これにより、高解像度でサンプルへのダメージが少ない分析が可能になり、半導体製造施設への投資が加速しています。また、コネクトミクスと組織工学の進展も市場機会を生み出しています。

マルチビームシステムは、伝統的なガリウム(Ga+)源に加え、ヘリウム(He+)やネオン(Ne+)イオン源を統合しており、超高解像度イメージングとナノファブリケーション能力の新時代を切り開いています。これにより、従来のGa+セットアップに比べてサンプルへのダメージを大幅に軽減することができます。特にヘリウムイオン源は亜ナノメートルの解像度を提供し、バイオサイエンスや先進的な半導体の故障解析における詳細なサンプル分析を可能にしています。

政府の研究支援イニシアチブ、例えば米国国家科学財団(NSF)や欧州研究会議(ERC)からの助成金が、大学や国立研究所におけるFIB技術の向上を促進し、イノベーションを加速させています。欧州連合(EU)のホライズンヨーロッパプログラムのような国際産業パートナーシップは、ナノキャラクタリゼーション技術に焦点を当てた共同プロジェクトを資金提供することで、これらの開発をさらに促進しています。

しかし、FIB市場は有望な成長を遂げているものの、高度な集束イオンビームシステムの取得にかかる初期資本コストが高いため、構造的な制約にも直面しています。現代のデュアルおよびマルチビーム構成は1台あたり300万~800万米ドルの費用がかかり、小規模および中規模企業(SME)、新興国の学術機関にとって大きな投資障壁を呈しています。オペレーションの複雑さは、微細加工、電子/イオン顕微鏡法、故障解析に精通した専門人材の必要性を伴い、保守とトレーニングのコストを引き上げています。

供給チェーンの制約も存在し、特に世界的な半導体製造装置の部品不足が調達の課題を悪化させています。また、健康と安全管理機関からの規制要件がイオン源の操作や真空システムの取り扱いに厳格な管理を要求し、コンプライアンスへの投資が必要です。例えば、米国の労働安全衛生局(OSHA)や欧州化学品庁(ECHA)は、職業上の暴露を防ぐためにガリウムや希ガスイオン源の取り扱いに厳しい規則を設けています。このような障壁は市場の即時の拡大を抑制していますが、アウトソーシングサービスや契約研究機関の重要性が高まってきており、コスト意識の高いクライアントにとって好ましい選択肢となっています。

バイオサイエンスにおける新たな応用、特にコネクトミクスや三次元(3D)組織イメージングは、集束イオンビーム市場において有望で未開拓の機会を表しています。これらの最先端の応用は、集束イオンビームと走査型電子顕微鏡(FIB-SEM)を組み合わせて、ナノスケールの解像度で神経回路をマッピングし、複雑な細胞構造を再構築することを含んでいます。この機会は、脳マッピングプロジェクトへの世界的な研究資金の増加によって裏付けられており、例えば米国のBRAIN Initiativeや欧州のヒューマン・ブレイン・プロジェクトは、神経構造の詳細な研究に年間数十億ドルを割り当てています。

臨床応用も進展しており、抵抗性FIBセクショニングとAIを活用したイメージ解析を組み合わせることで、診断の改善が期待されています。投資は、特殊なクライオ対応FIBシステムと自動サンプル準備のためのソフトウェア統合に向けられる必要があります。集束イオンビーム(FIB)装置メーカーとライフサイエンス企業の間の戦略的パートナーシップが強化されており、先進的な標本準備とイメージングを含むサービスバンドルを提供し、収益の可能性をさらに開放しています。

2025年には、デュアルビームFIB-SEMシステムが集束イオンビーム市場の収益の約55%を占めると予測されています。この支配は、集束イオンビームミリングと高解像度走査型電子顕微鏡法を単一の装置で組み合わせ、リアルタイムでのミリング可視化と正確な欠陥位置特定を可能にする相関顕微鏡の独自の能力に基づいています。


Market Image 1
Market Image 2

Report Coverage & Structure

集束イオンビーム(FIB)市場レポートの概要

このレポートは、集束イオンビーム(FIB)市場の将来的な展望に関する包括的な分析を提供します。特に、2025年および2032年における市場のスナップショット、機会評価、市場動向、将来予測、プレミアムな市場インサイト、アプリケーションの発展、重要な市場イベント、そしてPMRの分析と推奨事項を含んでいます。

市場概要

このセクションでは、集束イオンビーム市場の範囲と定義を提供します。また、市場を動かす要因や制約、潜在的な機会、主要なトレンドについても詳しく説明されています。さらに、グローバルなセクターの見通しやGDP成長の見通しなどのマクロ経済的要因、COVID-19の影響分析、そして予測要因の関連性と影響についても触れています。

付加価値のあるインサイト

ツールの採用分析、規制の枠組み、バリューチェーンの分析、PESTLE分析、ポーターのファイブフォース分析を通じて市場の深い理解を提供します。これにより、市場の構造的な理解が促進され、戦略的な意思決定に役立つ情報が提供されます。

価格分析(2024年実績)

このセクションでは、展開コストに影響を与える主要な要因を特定し、エンドユーザー別の価格分析を行います。市場の価格変動の理解を深めるために、価格分析のハイライトを提供しています。

集束イオンビーム(FIB)市場のグローバル展望

市場のボリュームと成長率、絶対的なドルの機会を含む市場のハイライトを提供します。2019年から2024年までの市場規模の歴史的分析と、2025年から2032年までの予測を含む、システムタイプ、アプリケーション、エンドユーザーバーティカル別の詳細な市場展望が含まれています。

システムタイプ別市場展望

デュアルビームFIB-SEMシステム、マルチビーム先進システム、シングルビームFIBシステム、特殊構成に関する市場の魅力度分析が含まれます。

アプリケーション別市場展望

故障解析、ナノファブリケーション、回路編集とデバイス修正、サンプル準備、偽造検出、その他のアプリケーションについての市場の魅力度分析を提供します。

エンドユーザーバーティカル別市場展望

エレクトロニクスと半導体、材料科学、バイオサイエンスとライフサイエンス、産業科学と製造、航空宇宙と防衛、自動車の各業界における市場の魅力度を分析します。

地域別集束イオンビーム(FIB)市場の展望

北米、ヨーロッパ、東アジア、南アジアとオセアニア、ラテンアメリカ、中東とアフリカの市場展望を提供します。各地域の国別、システムタイプ別、アプリケーション別、エンドユーザーバーティカル別の市場規模の歴史的データと予測を含んでいます。

競争環境

市場シェア分析や市場構造、競争の激しさを示すマッピング、競争ダッシュボードを通じて、主要なプレーヤーの詳細なプロファイルを提供します。注目の企業には、Carl Zeiss Microscopy GmbH、Thermo Fisher Scientific Inc.、Hitachi High-Technologies Corporationなどが含まれています。


*** 本調査レポートに関するお問い合わせ ***


グローバル市場調査資料の総合販売サイト

[参考情報]
集束イオンビーム(FIB)とは、特定の材料に対して非常に細かいイオンビームを集束させ、その材料を加工、解析、または修正する技術のことを指します。この技術は、ナノメートルスケールでの微細加工を可能にするため、半導体製造、材料科学、電子デバイスの開発など、さまざまな分野で広く利用されています。FIBは特に、試料の表面を削ったり、特定の領域に材料を堆積させたりするために使用されます。

FIBには主に二つのタイプがあります。一つはガリウムイオンを使用するタイプで、もう一つはプラズマイオンを使用するタイプです。ガリウムイオンを使用するタイプは、非常に高い精度で微細加工が可能ですが、処理速度が比較的遅いという特徴があります。一方、プラズマイオンを使用するタイプは、より大きな領域を迅速に加工できるため、効率的に処理を行うことができますが、加工精度は若干劣ることが多いです。

この技術は、半導体デバイスの故障解析や、集積回路の内部構造の観察、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)の製造などにおいて不可欠なツールです。特に、半導体製造の分野では、FIBを用いることで、ナノスケールのプロトタイプの作成や、製造プロセス中の欠陥の修正が可能になります。また、材料科学においては、FIBを用いて断面を作成し、その構造を電子顕微鏡で観察することができます。このような断面観察は、材料の微細構造を解析するのに非常に有用です。

FIB技術は、電子ビームリソグラフィーや走査型電子顕微鏡(SEM)などの他の先端技術と組み合わせて使用されることが多いです。例えば、FIBを用いて試料の特定の領域を加工した後、SEMでその加工結果を観察することによって、より詳細な解析が可能です。また、電子ビームリソグラフィーを用いて作製したナノ構造をFIBでさらに修正することで、より高精度なデバイスを作成することができます。

このように、集束イオンビーム技術は、ナノテクノロジーの発展において非常に重要な役割を果たしており、その応用範囲は今後もますます広がることが予想されます。特に、より高精度かつ高効率な加工技術が求められる現代において、FIBはそのニーズを満たす技術として、ますます注目されているのです。