複合半導体材料市場の規模、動向、市場シェア、2025年から2032年の成長予測

グローバルな複合半導体材料市場は、2025年にはUS$38.7億と評価され、2032年までにUS$63.0億に達すると予測され、2025年から2032年の予測期間中に年平均成長率（CAGR）7.2%で成長すると見込まれています。この成長は、GaN（ガリウムナイトライド）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ材料の電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、5Gインフラストラクチャへの採用拡大によって推進されています。従来のシリコンとは異なり、複合半導体は、優れた効率性、高速なスイッチング、高パフォーマンスを提供し、要求の厳しいアプリケーションにおいて優れた性能を発揮します。

複合半導体材料市場の成長を支える重要な要因として、5Gインフラの展開と電化トレンドが挙げられます。GaNやGaAs（ガリウムヒ素）といった材料は、5G基地局における高周波数で電力効率の良いRFコンポーネントに不可欠であり、より速いデータ伝送と低遅延を可能にします。同時に、EVからの需要も加速しており、SiCベースのパワーエレクトロニクスは、バッテリーマネジメントシステムやドライブインバータの効率を向上させる上で重要な役割を果たしています。例えば、Wolfspeedは、自動車と通信セクターの両方に供給するために、SiCとGaNウェーハの生産を拡大するために大規模な投資を行っています。このような次世代通信ネットワークと電動モビリティからの二重の需要は、複合半導体材料の持続的な成長環境を作り出し、エネルギー効率と高性能エレクトロニクスへの移行において中心的な役割を果たしています。

複合半導体材料市場における主要な制約は、高い生産と製造コストです。これは複雑なプロセス、高価な原材料、高度な設備の必要性によって引き起こされています。例えば、6インチのGaN on SiCウェーハは、同等のシリコンウェーハの3倍から5倍のコストがかかることがあり、コストに敏感な産業での採用が難しくなっています。さらに、メーカーは原材料調達の供給チェーンの不安定性に直面しており、近年ではコストの上昇とリードタイムの延長を報告しています。技術的な障害もスケーラビリティを制限しており、格子構造や熱特性の不一致が高い欠陥率をもたらすことがあります。業界の推定によれば、GaNデバイスの5分の1以上が統合時に故障しています。これらの財務的および技術的な課題は、特に消費者エレクトロニクスやコスト効率が重要なアプリケーションでのより広範な使用を制限しています。

自動車のLiDARや航空宇宙センサーにおけるフォトニクス技術の採用拡大は、複合半導体にとって大きな機会を提供しています。自動車分野では、GaAsやInP（インジウムリン）材料を基にしたLiDARシステムの出荷量が2023年に50万台を超え、高度運転支援システムや自動運転車プラットフォームへの強力な統合を反映しています。さらに、複合半導体に大きく依存するフォトニック集積回路は、防衛や宇宙アプリケーションで注目を集めており、北アメリカやヨーロッパでユニットボリュームが急速に拡大しています。これらの材料は、高精度のセンシング、より速い光通信、極端環境での性能向上を可能にし、シリコンでは対応しきれない場面で優位性を発揮します。産業が安全性、接続性、効率性の向上に向かう中で、複合半導体は自動車および航空宇宙分野における長期的な機会を捉える位置にあります。

ガリウムナイトライドは、2025年には複合半導体材料市場で約45％の強いシェアを保持する主力製品タイプとして際立っています。その高い耐圧、優れた熱安定性、超高速スイッチングで知られるGaNは、パワーエレクトロニクス、RFデバイス、高輝度LEDにおいて不可欠です。従来のシリコンと比較して、小型化と優れたエネルギー効率を提供できるGaNは、多くの産業においてその優位性を確立しています。一方で、シリコンカーバイド（SiC）は、EVインバータや再生可能エネルギーのような高出力の用途で急速に台頭していますが、高周波数で電力効率の良いアプリケーションでの実績ある性能優位性により、GaNが最大のシェアを維持しています。

通信は、複合半導体材料市場における主要なアプリケーションセグメントであり、2024年には約36％のシェアを獲得しています。5Gネットワークの急速な拡大とモバイルデータ消費の急増により、GaAs、InP、SiGe、GaNといった材料は、高速で信頼性のある通信を実現するために不可欠です。複合半導体は、シリコンと比較して優れた電子移動度、より高速なスイッチング、高い帯域幅容量を提供し、RFフロントエンドモジュール、基地局、光トランシーバーで重要な役割を果たします。全球データトラフィックが倍増し続け、次世代の接続基準が進化する中で、通信は複合半導体材料の大規模な採用を推進する基盤的なアプリケーションとして残っています。

北アメリカは、政府および民間の強力な投資によって複合半導体のイノベーションの拠点となっています。2023年には、米国国防総省（DoD）がMicroelectronics Commonsプログラムを開始し、複合半導体（GaAsおよびGaNを含む）の研究開発を進めるために約US$280 Mnを割り当てました。これはCHIPS法のUS$2 BnのDoD予算の一部として実施されました。この地域は、GaAsを基にしたフォトニックシステムで先導し、航空宇宙および防衛のためのコンポーネントの60％以上を生産し、通信技術を強化しています。アメリカでのチップ販売は、2025年5月の前年同期比で43.6％増加し、US$16.6 Bnに達し、5GおよびAIアプリケーションの需要によって後押しされています。GlobalFoundriesは、CHIPS法の資金支援を受けて、ニューヨークとバーモントでのGaNおよびシリコンフォトニクスの生産拡大にUS$3.1 Bnを投資しています。これらの取り組みは、北アメリカがパワーエレクトロニクスと次世代通信インフラでのリーダーシップを確立する要因となっています。

ヨーロッパは、持続可能性、イノベーション、産業のレジリエンスに強く焦点を当て、複合半導体市場で着実に進展しています。2023年には、ドイツとフランスがヨーロッパのSiCデバイス出力の3分の1以上を占め、フランスはGaN onシリコン技術に焦点を当てた14以上の新しい製造ラインの計画を発表しました。ヨーロッパ宇宙機関は、衛星通信や宇宙探査のための複合半導体ソリューションに積極的に資金を提供しており、先進的なフォトニクスおよび航空宇宙技術への地域のコミットメントを示しています。ルノーやフォルクスワーゲンといった自動車大手は、効率性と航続距離を向上させるために、電気車両プラットフォームにSiCコンポーネントをますます採用しています。これらの開発は、持続可能で高性能な技術でリードするというヨーロッパの戦略を反映しており、地域をモビリティ、航空宇宙、およびエネルギーアプリケーションにおける先進的な複合半導体の採用の拠点として位置づけています。

アジア太平洋地域は、大規模な生産と急速な技術採用によって複合半導体市場を支配しており、65％の市場シェアを持っています。2023年には、中国が新たなGaNおよびSiCファウンドリープロジェクトにUS$3.5 Bn以上をコミットし、半導体基盤を強化するために70以上のイニシアティブを立ち上げました。台湾は、SiCウェーハの進展に焦点を当てた18の新しい研究開発センターにUS$600 Mn以上を投資し、重要なサプライヤーとしての役割を強化しています。韓国や日本などの国々もまた、5Gインフラと光通信ネットワークのためのGaAsやInPの取り組みを拡大しています。この地域がEV、高速接続、消費者エレクトロニクスの世界的な採用を牽引している中で、その複合半導体生産における支配力は、需要と生産能力の両方によって強化されています。この相乗効果により、アジア太平洋地域は、世界的な複合半導体技術の成長エンジンとなっています。

世界の複合半導体材料市場は、確立されたプレーヤーと新興の革新者の混合によって形成されています。Wolfspeedは、シリコンカーバイド基板の進展を推進し、大規模なウェーハ生産と自動車メーカーやパワーエレクトロニクスメーカーとの長期的なパートナーシップによってサポートされています。STMicroelectronicsは、電気自動車のサプライチェーンにおける地位を強化するために、統合されたSiC生産施設に多大な投資を行っています。Infineon Technologiesは、再生可能エネルギーと産業アプリケーション向けのワイドバンドギャップソリューションに焦点を当て、SiCとガリウムナイトライドの両方にわたるポートフォリオを拡大し続けています。Onsemiは、上流のウェーハ資産を確保することで垂直統合を追求し、自社のSiCバリューチェーンへのより大きなコントロールを確保しています。Navitas Semiconductorは、急速充電器やデータセンター向けにGaN技術を推進しており、InnoScienceは、消費者および産業アプリケーションからの需要に応えるために、GaN-on-シリコン製造を急速に拡大しています。これらの戦略が、革新を加速させ、世界の複合半導体エコシステムを強化しています。

複合半導体材料市場は、2025年にはUS$38.7 Bnに達すると見込まれており、EV、再生可能エネルギー、5Gインフラにおけるワイドバンドギャップ材料の強力な採用によって推進されています。2032年までに、複合半導体材料市場はUS$63.0 Bnに成長し、2025年から2032年の間に7.2％のCAGRを記録する見込みです。アジア太平洋地域は、GaNおよびSiCファウンドリープロジェクトへの大規模な投資、中国、台湾のSiC研究開発センター、およびEV、5G、消費者エレクトロニクスからの需要の増加によって市場をリードしています。北アメリカは、米国国防総省のUS$280 MnのMicroelectronics Commonsプログラムと、GlobalFoundriesのGaNおよびフォトニクス生産のUS$3.1 Bnの拡大によって、最も急速に成長している地域です。ガリウムナイトライド（GaN）は、RFデバイス、LED、パワーエレクトロニクスにおける優れた効率性により、2024年に45％の市場シェアを占め、通信や高性能エレクトロニクスにとって重要とされています。通信は、2024年に36％のシェアを占める主要なアプリケーションであり、GaAs、InP、SiGe、GaNが5G基地局、RFモジュール、光トランシーバーを強化する上で重要な役割を果たしています。主要な推進要因には、5Gインフラ展開とEV電化トレンドが含まれ、GaNとSiCは次世代の通信およびモビリティに向けたより高速で効率的な電力およびRFコンポーネントを可能にします。自動車のLIDAR、航空宇宙フォトニクス、防衛センシング技術には、GaAs、InP、SiCが先進的な光通信、センシング、高精度システムを可能にする大きな機会があります。

Report Coverage & Structure

市場概要

このレポートの冒頭では、複合半導体材料市場の全体像が示されています。市場の範囲と定義から始まり、バリューチェーン分析を通じて業界の構造が詳述されます。また、世界のGDPの見通しや半導体業界の現状、消費者向けエレクトロニクスの需要、電気自動車の販売動向、通信業界の成長など、複合半導体材料市場に影響を与えるマクロ経済要因が考察されています。

さらに、予測因子の関連性と影響、COVID-19の影響評価、PESTLE分析、ポーターのファイブフォース分析、地政学的緊張が市場に与える影響、規制と技術の動向についても詳しく分析されています。

市場動態

市場動態のセクションでは、複合半導体材料市場の成長を促進する要因と制約要因が詳細に検討され、将来的な機会と市場トレンドについても考察されています。この分析により、市場の現在の動向と将来の成長可能性を理解するための基礎が提供されます。

価格動向分析 (2019–2032)

2019年から2032年までの価格動向が、地域ごとやセグメントごとに分析されています。また、価格に影響を与える要因についても詳説されており、価格変動がどのように市場のダイナミクスに影響を与えるかが示されています。

グローバル複合半導体材料市場の見通し

このセクションでは、2019年から2024年の歴史的データと2025年から2032年の予測データに基づく市場の概要が提供されます。製品タイプ別の市場サイズとボリュームが詳述され、II-VI、III-V、IV-IVなどの様々な化合物半導体が取り上げられています。各製品タイプには、カドミウムテルル、硒化カドミウム、セレン化亜鉛、ガリウムリン、窒化ガリウムなどが含まれます。

用途別市場の見通し

複合半導体材料の用途別市場分析では、消費者エレクトロニクス、エネルギーと電力、自動車、航空宇宙と防衛、通信など、さまざまなアプリケーションがカバーされています。これにより、各用途における市場の魅力度が評価され、どの分野で最も成長が期待されているかを把握できます。

地域別市場の見通し

地域別の市場展望では、北米、ヨーロッパ、東アジア、南アジア・オセアニア、ラテンアメリカ、中東・アフリカの市場動向が詳述されています。各地域における市場のキーハイライトや価格分析、国別の市場規模予測が含まれ、地域ごとの成長機会を理解するための洞察が提供されています。

競争環境

競争環境のセクションでは、2024年の市場シェア分析や競争の激しさのマッピング、主要企業のダッシュボードが紹介されています。企業プロファイルでは、Nichia Corporation、Wolfspeed, Inc.、Qorvo、住友電気工業株式会社、JX金属株式会社、信越化学工業株式会社、昭和電工株式会社、STMicroelectronics NVなどの主要プレーヤーが取り上げられ、それぞれの企業概要、製品ポートフォリオ、財務状況、SWOT分析、企業戦略が詳述されています。