GaN産業用デバイス市場 (タイプ別:光電子GaNデバイス、パワーGaNデバイス、およびRF GaNデバイス;用途別:RFパワーアンプ、マイクロ波・ミリ波回路、レーダーセンシング機器、戦術無線機、衛星通信機器、モータードライバー、ワイヤレスインフラ、およびその他) – グローバル産業分析、市場規模、シェア、成長、トレンド、および予測、2025-2035年
窒化ガリウム(GaN)産業用デバイス市場は、半導体分野に属し、その広い直接バンドギャップと卓越した電気特性で注目されています。従来のシリコン(Si)と比較して多くの性能上の利点を提供し、将来のパワーエレクトロニクスにおいて極めて重要な価値をもたらすと期待されています。この市場は、2024年には32億米ドルと評価されており、2025年から2035年にかけて年平均成長率(CAGR)14.5%という力強い成長を遂げ、2035年末には175億米ドルに達すると予測されています。
市場の成長を牽引する主要な要因は多岐にわたります。まず、電気自動車(EV)および自動車産業におけるGaNデバイスの採用増加が挙げられます。GaNベースのパワーデバイスは、高効率、高速スイッチング速度、および低いエネルギー損失という特性により、EVの効率向上に不可欠です。例えば、GaNベースのインバーターや電源は、より高い周波数で動作できるため、部品の小型化と放熱量の削減を可能にし、結果としてより効率的でコンパクトなシステムを実現します。これは、重量、スペース、エネルギー効率が極めて重要となるEVやスマートファクトリーにおいて特に重要です。さらに、持続可能性と炭素排出量削減に向けた世界的な規制強化が、産業界に高効率技術の採用を強く促しており、GaNデバイスはこの要求に合致するため、その採用が急速に進んでいます。
次に、高効率デバイスへの需要増加も市場拡大の大きな推進力です。インダストリー4.0の進展に伴い、工場では精密で信頼性が高く、高速なパワーデバイスが求められています。GaN技術は、コンシューマーエレクトロニクスにおいても、従来のシリコンベースのソリューションに比べて、小型化、高効率化、軽量化、高速充電機能を提供することで、電力変換性能を大幅に向上させます。EPC社などのGaNデバイスは、低損失、高速スイッチング速度、高信頼性で評価されており、これらはエネルギー損失を最小限に抑え、より小型で軽量なシステム設計を可能にします。GaNデバイスを使用するシステムは、電力密度と信頼性が重視されるアプリケーションにおいて、より優れた性能と低い総運用コストを提供できるため、その需要は高まる一方です。
GaNは、従来のシリコンと比較して数多くの優れた特性を有しています。具体的には、より高い電圧に耐えられる「高い絶縁破壊強度」、エネルギー損失を低減し動作速度を向上させる「高速なスイッチング速度」が挙げられます。また、GaN産業用デバイスは「コスト効率が高く、軽量で、エネルギー効率に優れている」という利点があり、比類のない製品性能を提供します。熱特性においても優位性があり、「優れた熱伝導率」により、より良い熱放散を可能にし、システムサイズの小型化に貢献します。さらに、「低いオン抵抗」は、伝導損失を低減し、システム全体の性能を向上させます。これらの性能上の利点により、GaNデバイスは、電気自動車(EV)、再生可能エネルギー、データセンター、産業オートメーション、そして5G通信といった分野で不可欠な存在となっています。
GaN産業用デバイス市場は、タイプ別に「光電子GaNデバイス」、「パワーGaNデバイス」、「RF GaNデバイス」に分類されます。この中で、「パワーGaNデバイス」が市場において最大のシェアを占めています。これは、コンバーター、インバーター、モータードライブ、EV充電器、通信用電源など、幅広いアプリケーションで利用されているためです。パワーGaNデバイスは、シリコンと比較して本質的な利点を活用し、スイッチング損失を最大約50%削減し、より高い動作周波数を実現し、さらに20%から40%もコンパクトなフォームファクターを提供します。よりスマートで、より環境に優しく、より効率的な新エネルギーおよび産業技術への移行は、パワーGaNデバイスへの需要を絶えず増加させており、新世代のパワーエレクトロニクスの進化においてパワーGaNデバイスを不可欠なものとして位置づける新たな市場を開拓しています。
GaN産業用デバイスのアプリケーション分野は多岐にわたり、RFパワーアンプ、マイクロ波・ミリ波回路、レーダーセンシング機器、戦術無線機、通信衛星機器、モータードライバー、ワイヤレスインフラストラクチャなどが挙げられます。これらのデバイスは、航空宇宙・防衛、IT・通信、研究開発といった主要なエンドユーザー産業で広く利用されており、それぞれの分野で高性能と効率性への要求に応えています。
地域別に見ると、「アジア太平洋地域」が世界のGaN産業用デバイス市場を牽引する主要な地域となっています。この優位性は、新興技術の早期採用、確立された自動車インフラ、そして高いステークホルダー意識に起因しています。この地域は、技術革新への重点、政府の政策支援、そして研究開発活動への深い投資が、将来の市場発展に大きな推進力を生み出しています。例えば、中国、インド、日本、韓国といった国々では、強固な半導体エコシステムが構築されています。さらに、これらの経済圏における急速な都市化とデジタルトランスフォーメーション、具体的には5Gネットワークの展開、交通機関の電化、スマートマニュファクチャリングの拡大などが、高性能GaNデバイスに対する高く成長する需要を生み出しています。
GaN産業用デバイス市場における主要なプレーヤーは、イノベーション、戦略的パートナーシップ、および技術的進歩に積極的に投資しています。彼らは、製品の性能向上と製品ポートフォリオの拡大に重点を置き、進化する市場環境における持続的な成長とリーダーシップを確保しようと努めています。市場で活動する主要企業には、Transphorm, Inc.、富士通株式会社、GaN Systems Inc.、Infineon Technologies AG、日亜化学工業株式会社、NXP Semiconductors N.V.、RF Micro Devices Inc.、Texas Instruments Incorporated、株式会社東芝、ルネサスエレクトロニクス株式会社などが挙げられます。
最近の主要な動向として、2025年8月にはInfineon社がMarvell Technology社の車載イーサネット事業を買収し、ソフトウェア定義車両向けの車載半導体およびシステムソリューションにおけるリーダーシップを強化しました。また、2025年1月には、Infineon社とIntel社が300mm GaNウェハー技術を共同で開拓しました。この進歩は、生産効率を大幅に向上させ、製造コストを削減することで、GaNデバイスをシリコンベースのデバイスとのコストパリティに近づける重要な一歩となります。
この市場レポートは、GaN産業用デバイス市場に関する包括的な分析を提供しており、セグメント分析と地域レベルの分析が含まれています。定性分析として、市場の推進要因、阻害要因、機会、主要なトレンド、バリューチェーン分析などが詳細に検討されています。競争環境については、競争マトリックスが提示され、主要企業のプロファイルセクションでは、企業概要、財務概要、事業戦略、製品ポートフォリオ、販売拠点、最近の動向などが網羅されています。レポートは電子形式(PDF)とExcel形式で提供され、タイプ別、アプリケーション別、エンドユーザー別、および地域別に詳細なセグメンテーション分析が行われています。
よくあるご質問
2024年のGaN産業用デバイス市場規模はどのくらいでしたか?
2024年のGaN産業用デバイス市場は、32億米ドルの価値がありました。
2035年にはGaN産業用デバイス市場はどのくらいの規模になる見込みですか?
GaN産業用デバイス市場は、2035年末までに175億米ドルに達すると予測されています。
GaN産業用デバイス市場を牽引する要因は何ですか?
電気自動車(EV)および自動車の採用増加、高効率デバイスへの需要増加などが、GaN産業用デバイス市場を牽引する要因の一部です。
予測期間中のGaN産業用デバイス業界の年平均成長率(CAGR)はどのくらいになりますか?
2025年から2035年までのCAGRは14.5%になると予想されています。
予測期間中、GaN産業用デバイス分野で主要なシェアを占める地域はどこですか?
2025年から2035年にかけて、アジア太平洋地域が最大のシェアを占めると予想されています。
主要なGaN産業用デバイスプロバイダーはどこですか?
Transphorm, Inc.、富士通株式会社、GaN Systems Inc.、Infineon Technologies AG、日亜化学工業株式会社、NXP Semiconductors N.V.、RF Micro Devices Inc.、Texas Instruments Incorporated、株式会社東芝、ルネサスエレクトロニクス株式会社などが挙げられます。