 | • レポートコード：MRC24BR-AG62271 • 出版社/出版日：Market Monitor Global / 2024年6月 • レポート形態：英語、PDF、約80ページ • 納品方法：Eメール（納期：3日） • 産業分類：電子＆半導体 |
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レポート概要
本調査レポートは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の包括的な分析を提供し、現在の動向、市場力学、将来の見通しに焦点を当てています。北米、欧州、アジア太平洋、新興市場などの主要地域を含む世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場を調査しています。また、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの成長を促進する主な要因、業界が直面する課題、市場プレイヤーの潜在的な機会についても考察しています。
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場は、2023年にxxxx米ドルと評価され、予測期間中に年平均成長率xxxx%で、2030年までにxxxx米ドルに達すると予測されています。
*** 主な特徴 ***
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場に関する本調査レポートには、包括的なインサイトを提供し、関係者の意思決定を支援するためのいくつかの主要な特徴が含まれています。
[エグゼクティブサマリー]
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の主要な調査結果、市場動向、主要なインサイトの概要を提供しています。
[市場概要]
当レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の定義、過去の推移、現在の市場規模など、包括的な概観を提供しています。また、タイプ別（ディスクリート＆IC、基板ウエハー、その他）、地域別、用途別（産業・電力、通信インフラ、その他）の市場セグメントを網羅し、各セグメントにおける主要促進要因、課題、機会を明らかにしています。
[市場ダイナミクス]
当レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の成長と発展を促進する市場ダイナミクスを分析しています。政府政策や規制、技術進歩、消費者動向や嗜好、インフラ整備、業界連携などの分析データを掲載しています。この分析により、関係者は窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の軌道に影響を与える要因を理解することができます。
[競合情勢]
当レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場における競合情勢を詳細に分析しています。主要市場プレイヤーのプロフィール、市場シェア、戦略、製品ポートフォリオ、最新動向などを掲載しています。
[市場細分化と予測]
当レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場をタイプ別、地域別、用途別など様々なパラメータに基づいて細分化しています。定量的データと分析に裏付けされた各セグメントごとの市場規模と成長予測を提供しています。これにより、関係者は成長機会を特定し、情報に基づいた投資決定を行うことができます。
[技術動向]
本レポートでは、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場を形成する主要な技術動向（タイプ1技術の進歩や新たな代替品など）に焦点を当てます。これらのトレンドが市場成長、普及率、消費者の嗜好に与える影響を分析します。
[市場の課題と機会]
技術的ボトルネック、コスト制限、高い参入障壁など、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場が直面する主な課題を特定し分析しています。また、政府のインセンティブ、新興市場、利害関係者間の協力など、市場成長の機会も取り上げています。
[規制・政策分析]
本レポートは、政府のインセンティブ、排出基準、インフラ整備計画など、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場に関する規制・政策状況を分析しました。これらの政策が市場成長に与える影響を分析し、今後の規制動向に関する洞察を提供しています。
[提言と結論]
このレポートは、消費者、政策立案者、投資家、インフラストラクチャプロバイダーなどの利害関係者に対する実用的な推奨事項で締めくくられています。これらの推奨事項はリサーチ結果に基づいており、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場内の主要な課題と機会に対処する必要があります。
[補足データと付録]
本レポートには、分析と調査結果を実証するためのデータ、図表、グラフが含まれています。また、データソース、調査アンケート、詳細な市場予測などの詳細情報を追加した付録も含まれています。
*** 市場区分 ****
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場はタイプ別と用途別に分類されます。2019年から2030年までの期間において、セグメント間の成長により、タイプ別、用途別の市場規模の正確な計算と予測を提供します。
■タイプ別市場セグメント
ディスクリート＆IC、基板ウエハー、その他
■用途別市場セグメント
産業・電力、通信インフラ、その他
■地域別・国別セグメント
北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
アジア
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
南米
ブラジル
アルゼンチン
中東・アフリカ
トルコ
イスラエル
サウジアラビア
アラブ首長国連邦
*** 主要メーカー ***
Aixtron、Azzurro Semiconductors、Cree、Epigan、Fujitsu、International Quantum Epitaxy (IQE)、Koninklijke Philips、Qorvo、Texas Instruments、Toshiba、Mitsubishi Chemical
*** 主要章の概要 ***
第1章：窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの定義、市場概要を紹介
第2章：世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模
第3章：窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハメーカーの競争環境、価格、売上高、市場シェア、最新の開発計画、M&A情報などを詳しく分析
第4章：窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場をタイプ別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載
第5章：窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場を用途別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載
第6章：各地域とその主要国の市場規模と発展可能性を定量的に分析
第7章：主要企業のプロフィールを含め、企業の販売量、売上、価格、粗利益率、製品紹介、最近の開発など、市場における主要企業の基本的な状況を詳しく紹介
第8章 世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの地域別生産能力
第9章：市場力学、市場の最新動向、推進要因と制限要因、業界のメーカーが直面する課題とリスク、業界の関連政策を分析
第10章：産業の上流と下流を含む産業チェーンの分析
第11章：レポートの要点と結論
レポート目次1 当調査分析レポートの紹介
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場の定義
・市場セグメント
タイプ別：ディスクリート＆IC、基板ウエハー、その他
用途別：産業・電力、通信インフラ、その他
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
調査方法
調査プロセス
基準年
レポートの前提条件と注意点
2 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場規模
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場規模：2023年VS2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高：2019年～2030年
3 企業の概況
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ上位企業
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの企業別売上高ランキング
・世界の企業別窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの製品タイプ
・グローバル市場における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのティア1、ティア2、ティア3メーカー
グローバル窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのティア1企業リスト
グローバル窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのティア2、ティア3企業リスト
4 製品タイプ別分析
・概要
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場規模、2023年・2030年
ディスクリート＆IC、基板ウエハー、その他
・タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高と予測
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、2019年～2024年
タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、2025年～2030年
タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
5 用途別分析
・概要
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場規模、2023年・2030年
産業・電力、通信インフラ、その他
・用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高と予測
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、2019年～2024年
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、2025年～2030年
用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
6 地域別分析
・地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高と予測
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高、2019年～2024年
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高、2025年～2030年
地域別 – 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ売上高・販売量、2019年～2030年
米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ売上高・販売量、2019年〜2030年
ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
イギリスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
イタリアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
ロシアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
・アジア
アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ売上高・販売量、2019年～2030年
中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
韓国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
・南米
南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ売上高・販売量、2019年～2030年
ブラジルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
アルゼンチンの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ売上高・販売量、2019年～2030年
トルコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
イスラエルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
サウジアラビアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場規模、2019年～2030年
UAE窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの市場規模、2019年～2030年
7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：Aixtron、Azzurro Semiconductors、Cree、Epigan、Fujitsu、International Quantum Epitaxy (IQE)、Koninklijke Philips、Qorvo、Texas Instruments、Toshiba、Mitsubishi Chemical
・Company A
Company Aの会社概要
Company Aの事業概要
Company Aの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの主要製品
Company Aの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル販売量・売上
Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
Company Bの会社概要
Company Bの事業概要
Company Bの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの主要製品
Company Bの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル販売量・売上
Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…
8 世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ生産能力分析
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ生産能力
・グローバルにおける主要メーカーの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ生産能力
・グローバルにおける窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの地域別生産量
9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因
10 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのサプライチェーン分析
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ産業のバリューチェーン
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの上流市場
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
マーケティングチャネル
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの販売業者と販売代理店
11 まとめ
12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのタイプ別セグメント
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの用途別セグメント
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの世界市場規模：2023年VS2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル販売量：2019年～2030年
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル価格
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル価格
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場シェア、2019年～2030年
・米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・国別-ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場シェア、2019年～2030年
・ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・英国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・イタリアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・ロシアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・地域別-アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場シェア、2019年～2030年
・中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・韓国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・国別-南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・アルゼンチンの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・国別-中東・アフリカ窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場シェア、2019年～2030年
・トルコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・イスラエルの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・サウジアラビアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・UAEの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの売上高
・世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの生産能力
・地域別窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハの生産割合（2023年対2030年）
・窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
| 【窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハについて】 窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスと基板ウェハについて、以下にその概念を詳述いたします。 まず、窒化ガリウム（GaN）は、化学式がGaNである化合物半導体の一種です。この材料は、三重点族（III-V）半導体に分類され、高い絶縁破壊電界、優れた熱伝導性、および高い電子移動度などの特性を有しています。そのため、GaNは、高温、高電圧、高周波数での動作が求められるアプリケーションにおいて特に注目されています。 GaNの特徴として、まずその広いバンドギャップがあります。GaNのバンドギャップは約3.4 eVで、シリコンの約3倍のエネルギーを持っています。これにより、GaNは高温環境でも安定した動作が可能です。また、高い絶縁破壊電界は、GaNを用いたデバイスが高出力、高電圧の条件下でも動作できる理由となっています。 さらに、GaNは高い電子移動度を有しているため、高周波数での動作が求められる無線通信システムやレーダー技術においても優れた性能を発揮します。これにより、GaNは特に高周波デバイスやパワーエレクトロニクスの分野での重要な材料とされています。 GaNのデバイスには、主にトランジスタとダイオードがあります。トランジスタに関しては、GaN FET（フィールド効果トランジスタ）が代表的です。GaN FETは、高いスイッチング速度と低いオン抵抗を実現しており、電力変換器や電子機器に広く用いられています。連続的な出力が必要な場合でも、GaN FETは高い効率を保持することができ、従来のシリコンベースのデバイスと比較しても、大きな利点があります。 ダイオードでは、ショットキーダイオードが注目されています。GaNショットキーダイオードは、低い順方向電圧降下と高いスイッチング速度を実現し、高効率な電力変換が可能です。これにより、GaN基盤の電力変換システムは、特に電気自動車や再生可能エネルギーシステムなど、効率と性能が求められる分野での利用が進んでいます。 基板ウェハについては、GaNの単結晶基板が一般的に使用されます。GaN基板は、他の材料と比較しても高い耐熱性と機械的強度を持っており、デバイスの信頼性を向上させることができます。また、GaN基板は、特に高出力デバイスにおいて、デバイスの冷却性能を高めるためにも重要です。現在、GaN基板の製造には、サファイアやシリコンカーバイド（SiC）基板が利用されており、特にSiC基板との相性が良く、性能向上が期待されています。 GaNは、多くの用途に利用されており、その応用は多岐にわたります。具体的には、無線通信、電力エレクトロニクス、LED照明、レーザー、センサー、さらには宇宙産業に至るまで、さまざまな分野での使用が進んでいます。特に、無線通信においては、GaNを用いたパワーアンプが高頻度で使用されており、効率的かつ高出力の信号伝送を実現しています。また、電力エレクトロニクスでは、GaNの特性を活かした高効率のコンバータやインバータが開発されています。 関連技術については、GaNデバイスの最適化にはさまざまな技術が関与しています。例えば、エピタキシャル成長技術は、GaN単結晶基板の品質向上に寄与しています。また、薄膜技術やナノテクノロジーの進展により、デバイスの微細化が進められています。これにより、GaNデバイスの大規模集積が可能となり、さらなる高性能化が期待されます。 さらに、GaN技術は、環境配慮の観点からも注目されています。GaNを用いたデバイスは、高いエネルギー効率を提供するため、運用コストの削減や環境への負荷軽減が可能です。特に、電気自動車や再生可能エネルギーシステムにおいて、GaNは持続可能な技術の一環として位置付けられています。 総じて、窒化ガリウムは、その特性と利点から、多様なアプリケーションに対応した半導体デバイスの基盤となっており、今後の技術革新にも大きな影響を及ぼすことが期待されています。 GaNデバイスの進展により、エレクトロニクス業界全体の発展が促進され、より効率的で持続可能な社会の実現につながっていくでしょう。 |
• 日本語訳：窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェハ市場：グローバル予測2024年-2030年
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