 | • レポートコード：MRCPM5NV366 • 出版社/出版日：Persistence Market Research / 2025年6月 • レポート形態：英文、PDF、250ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：半導体・電子 |
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レポート概要
パーシステンス・マーケット・リサーチは、IGBT・スーパージャンクションMOSFETの世界市場に関する包括的なレポートを最近発表しました。本レポートは、市場構造に関する詳細な洞察を提供するとともに、推進要因、トレンド、機会、課題を含む重要な市場動向を徹底的に評価しています。この調査報告書は、2025年から2032年にかけての世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場の予測成長軌道を概説する独占的なデータと統計を提示しています。
主な見解：
•IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模（2025年予測値）：137億米ドル
•予測市場規模（2032年見込）：287億米ドル
•世界市場成長率（2025～2032年CAGR）：11.1％
IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場 – レポート範囲：
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）・スーパージャンクションMOSFETデバイスは、高効率、高速スイッチング、優れた熱性能を提供する現代のパワーエレクトロニクスに不可欠です。これらの部品は、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーション、民生用電子機器で広く使用されています。エネルギー効率の高い技術への需要が加速する中、電力損失を最小限に抑え、システム性能を最適化するために、IGBT・スーパージャンクションMOSFETの採用がますます進んでいます。市場成長は、電化への移行、スマートグリッドインフラの拡大、クリーンエネルギー技術への投資増加によって牽引されている。
市場成長の推進要因：
世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場は、電動車両の普及拡大に牽引されている。電動車両はモーター駆動制御やバッテリー管理にパワー半導体を多用する。さらに、再生可能エネルギー設備（特に太陽光・風力）の急増が、IGBT・スーパージャンクションMOSFET技術を用いた先進的な電力変換システムの需要を後押ししている。産業オートメーションとスマート製造の拡大傾向も、効率的な電力管理部品の需要を押し上げている。加えて、電気システムにおける炭素排出削減とエネルギー効率向上の重要性が高まっていることが、長期的な市場拡大を支えている。
市場抑制要因：
成長見通しは良好であるものの、IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場は、製造の複雑さとコストの高さに関連する課題に直面している。これらの先進半導体の製造には高度な生産技術が必要であり、サプライチェーンの拡張性を制限し、価格競争力に影響を与える可能性がある。さらに、シリコンやその他の特殊材料を中心とした原材料コストの変動も市場に影響を与えている。IGBT・スーパージャンクションMOSFETを既存システムに統合する際の技術的障壁も、特定の産業分野での採用を遅らせる可能性があり、より互換性が高く後付け可能なソリューションの必要性を生み出している。
市場機会：
IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場は、従来のデバイス性能を補完・強化するシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体の進歩を通じて、大きな機会を提供している。さらに、EVインフラの拡大とグリーンエネルギー移行を支援する政府の取り組みが、市場浸透の新たな道を開いている。パッケージング技術と熱管理ソリューションの革新により、これらの部品は高出力かつコンパクトなフォームファクターでの応用範囲をさらに拡大している。半導体メーカー、自動車メーカー、エネルギー供給事業者間の戦略的連携は、世界市場における成長可能性を引き出す上で極めて重要となる。
本レポートで回答する主要な質問：
•IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場のグローバル成長を牽引する主な要因は何か？
•産業用・自動車用途において、どのデバイスタイプと電圧定格が最も高い需要を示しているか？
•技術的進歩は、この分野におけるコスト、性能、統合能力にどのような影響を与えているか？
•IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場に貢献する主要企業はどの企業か、また市場での存在感を維持するためにどのような戦略を採用しているか？
•世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場における新たな動向と将来の見通しは？
競争情報と事業戦略：
これらの企業は、自動車用トラクションインバーター、産業用ドライブ、スマートエネルギーシステムなど、幅広い用途に適した低損失・高信頼性デバイスの開発に向け、研究開発に多額の投資を行っています。EVメーカー、パワーエレクトロニクス統合業者、システム設計者との連携は、エコシステム開発と製品標準化を支えています。さらに、各社は進化する顧客ニーズに対応するため、従来のシリコンベースソリューションの性能向上を継続しつつ、SiC・GaN技術への投資を拡大しています。
主要企業プロファイル：
•インフィニオン・テクノロジーズAG
•Vishay Intertechnology Inc.
•三菱電機株式会社
•STマイクロエレクトロニクス N.V.
•富士電機株式会社
•東芝株式会社
•日立パワーデバイス株式会社
•オンセミ
•セミクロン・エレクトロニク・GmbH & Co. KG
•ABB株式会社
IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場調査のセグメンテーション：
製品タイプ別：
•IGBT
•ディスクリートIGBT
•IGBTモジュール
•SJMOSFET
•ディスクリート・スーパージャンクションMOSFET
•スーパージャンクションMOSFETモジュール
用途別:
•IGBT
•UPS
•風力タービン
•太陽光発電用インバーター
•鉄道牽引
•民生用アプリケーション
•EV/HEV
•SJ MOSFET
•UPS
•風力タービン
•太陽光発電用インバーター
•鉄道牽引
•民生用アプリケーション
•EV/HEV
•モーター駆動装置
•産業用アプリケーション
•コンバータ／アダプタ／充電器
•照明
•その他（サーバー、ネットワーク機器など）
地域別:
•北米
•ヨーロッパ
•アジア太平洋地域
•ラテンアメリカ
•中東・アフリカ
1. エグゼクティブサマリー
1.1. グローバル市場展望
1.2. 需要側の動向
1.3. 供給側の動向
1.4. 技術ロードマップ分析
1.5. 分析と提言
2. 市場概要
2.1. 市場範囲／分類
2.2. 市場定義／範囲／制限事項
3. 市場背景
3.1. 市場動向
3.1.1. 推進要因
3.1.2. 抑制要因
3.1.3. 機会
3.1.4. トレンド
3.2. シナリオ予測
3.2.1. 楽観シナリオにおける需要
3.2.2. 可能性の高いシナリオにおける需要
3.2.3. 慎重シナリオにおける需要
3.3. 機会マップ分析
3.4. 製品ライフサイクル分析
3.5. サプライチェーン分析
3.5.1. 供給側参加者とその役割
3.5.1.1. 生産者
3.5.1.2. 中間参加者（貿易業者／代理店／仲介業者）
3.5.1.3. 卸売業者と流通業者
3.5.2. サプライチェーンのノードにおける付加価値と価値創造
3.5.3. 原材料供給業者一覧
3.5.4. 既存・潜在的な買い手の一覧
3.6. 投資実現可能性マトリックス
3.7. バリューチェーン分析
3.7.1. 利益率分析
3.7.2. 卸売業者・流通業者
3.7.3. 小売業者
3.8. PESTLE分析とポーターの分析
3.9. 規制環境
3.9.1. 主要地域別
3.9.2. 主要国別
3.10. 地域別親市場の見通し
3.11. 生産・消費統計
3.12. 輸出入統計
4. グローバルIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019-2024年・予測 2025-2032年
4.1. 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）分析、2019-2024年
4.2. 現在・将来の市場規模（価値：10億米ドル）と数量（単位）予測、2025-2032年
4.2.1. 前年比成長率トレンド分析
4.2.2. 絶対的機会分析
5. 製品タイプ別グローバルIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）
5.1. 概要／主要調査結果
5.2. 製品タイプ別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）分析、2019-2024年
5.3. 製品タイプ別 現在の市場規模（価値：10億米ドル）と数量（単位）、・将来の市場規模（価値：10億米ドル）と数量（単位）の分析と予測、2025-2032年
5.3.1. IGBT
5.3.1.1. ディスクリートIGBT
5.3.1.2. IGBTモジュール
5.3.2. SJMOSFET
5.3.2.1. ディスクリート・スーパージャンクションMOSFET
5.3.2.2. スーパージャンクションMOSFETモジュール
5.4. 製品タイプ別前年比成長率分析、2019-2024年
5.5. 製品タイプ別絶対的機会分析（2025-2032年）
6. グローバルIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）、用途別
6.1. はじめに／主要な調査結果
6.2. アプリケーション別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（台数）分析、2019-2024年
6.3. 用途別 2025-2032年 市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（台数）の現状・将来予測分析
6.3.1. IGBT
6.3.1.1. UPS
6.3.1.2. 風力タービン
6.3.1.3. PVインバーター
6.3.1.4. 鉄道牽引
6.3.1.5. 民生用アプリケーション
6.3.1.6. EV/HEV
6.3.2. SJMOSFET
6.3.2.1. UPS
6.3.2.2. 風力タービン
6.3.2.3. PVインバーター
6.3.2.4. 鉄道牽引
6.3.2.5. 民生用アプリケーション
6.3.2.6. EV/HEV
6.3.2.7. モーター駆動装置
6.3.2.8. 産業用アプリケーション
6.3.2.9. コンバータ／アダプタ／充電器
6.3.2.10. 照明
6.3.2.11. その他（サーバー、ネットワーク機器など）
6.4. 用途別前年比成長率分析（2019-2024年）
6.5. 用途別絶対的機会分析（2025-2032年）
7. 地域別IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）
7.1. はじめに
7.2. 地域別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）分析、2019-2024年
7.3. 地域別現在の市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）分析と予測、2025-2032年
7.3.1. 北米
7.3.2. ラテンアメリカ
7.3.3. ヨーロッパ
7.3.4. アジア太平洋地域
7.3.5. 中東・アフリカ
7.4. 地域別市場魅力度分析
8. 北米IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019-2024年・予測 2025-2032年、国別
8.1. 市場分類別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）の推移分析、2019-2024年
8.2. 市場分類別市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）予測、2025-2032年
8.2.1. 国別
8.2.1.1. アメリカ合衆国
8.2.1.2. カナダ
8.2.2. 製品タイプ別
8.2.3. 用途別
8.3. 市場魅力度分析
8.3.1. 国別
8.3.2. 製品タイプ別
8.3.3. 用途別
8.4. 主要なポイント
9. ラテンアメリカにおけるIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）、国別
9.1. 市場分類別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）の推移分析、2019-2024年
9.2. 市場分類別市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）予測、2025-2032年
9.2.1. 国別
9.2.1.1. ブラジル
9.2.1.2. メキシコ
9.2.1.3. ラテンアメリカその他
9.2.2. 製品タイプ別
9.2.3. 用途別
9.3. 市場魅力度分析
9.3.1. 国別
9.3.2. 製品タイプ別
9.3.3. 用途別
9.4. 主要なポイント
10. 欧州IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析 2019-2024年・予測 2025-2032年、国別
10.1. 市場分類別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）の推移分析、2019-2024年
10.2. 市場分類別市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）予測、2025-2032年
10.2.1. 国別
10.2.1.1. ドイツ
10.2.1.2. イギリス
10.2.1.3. フランス
10.2.1.4. スペイン
10.2.1.5. イタリア
10.2.1.6. その他の欧州諸国
10.2.2. 製品タイプ別
10.2.3. 用途別
10.3. 市場魅力度分析
10.3.1. 国別
10.3.2. 製品タイプ別
10.3.3. 用途別
10.4. 主要なポイント
11. アジア太平洋地域におけるIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）
11.1. 市場分類別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）の推移分析、2019-2024年
11.2. 市場分類別市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）予測、2025-2032年
11.2.1. 国別
11.2.1.1. 中国
11.2.1.2. 日本
11.2.1.3. 韓国
11.2.1.4. シンガポール
11.2.1.5. タイ
11.2.1.6. インドネシア
11.2.1.7. オーストラリア
11.2.1.8. ニュージーランド
11.2.1.9. アジア太平洋地域その他
11.2.2. 製品タイプ別
11.2.3. 用途別
11.3. 市場魅力度分析
11.3.1. 国別
11.3.2. 製品タイプ別
11.3.3. 用途別
11.4. 主要なポイント
12. 中東・アフリカ地域におけるIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析（2019-2024年）・予測（2025-2032年）
12.1. 市場分類別 過去市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）の推移分析、2019-2024年
12.2. 市場分類別市場規模（価値：10億米ドル）及び数量（単位）予測、2025-2032年
12.2.1. 国別
12.2.1.1. GCC諸国
12.2.1.2. 南アフリカ
12.2.1.3. イスラエル
12.2.1.4. 中東・アフリカその他地域
12.2.2. 製品タイプ別
12.2.3. 用途別
12.3. 市場魅力度分析
12.3.1. 国別
12.3.2. 製品タイプ別
12.3.3. 用途別
12.4. 主要なポイント
13. 主要国におけるIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析
13.1. アメリカ合衆国
13.1.1. 価格分析
13.1.2. 市場シェア分析（2025年）
13.1.2.1. 製品タイプ別
13.1.2.2. 用途別
13.2. カナダ
13.2.1. 価格分析
13.2.2. 市場シェア分析、2025年
13.2.2.1. 製品タイプ別
13.2.2.2. 用途別
13.3. ブラジル
13.3.1. 価格分析
13.3.2. 市場シェア分析、2025年
13.3.2.1. 製品タイプ別
13.3.2.2. 用途別
13.4. メキシコ
13.4.1. 価格分析
13.4.2. 市場シェア分析、2025年
13.4.2.1. 製品タイプ別
13.4.2.2. 用途別
13.5. ドイツ
13.5.1. 価格分析
13.5.2. 市場シェア分析、2025年
13.5.2.1. 製品タイプ別
13.5.2.2. 用途別
13.6. イギリス
13.6.1. 価格分析
13.6.2. 市場シェア分析、2025年
13.6.2.1. 製品タイプ別
13.6.2.2. 用途別
13.7. フランス
13.7.1. 価格分析
13.7.2. 市場シェア分析、2025年
13.7.2.1. 製品タイプ別
13.7.2.2. 用途別
13.8. スペイン
13.8.1. 価格分析
13.8.2. 市場シェア分析、2025年
13.8.2.1. 製品タイプ別
13.8.2.2. 用途別
13.9. イタリア
13.9.1. 価格分析
13.9.2. 市場シェア分析、2025年
13.9.2.1. 製品タイプ別
13.9.2.2. 用途別
13.10. 中国
13.10.1. 価格分析
13.10.2. 市場シェア分析、2025年
13.10.2.1. 製品タイプ別
13.10.2.2. 用途別
13.11. 日本
13.11.1. 価格分析
13.11.2. 市場シェア分析、2025年
13.11.2.1. 製品タイプ別
13.11.2.2. 用途別
13.12. 韓国
13.12.1. 価格分析
13.12.2. 市場シェア分析、2025年
13.12.2.1. 製品タイプ別
13.12.2.2. 用途別
13.13. シンガポール
13.13.1. 価格分析
13.13.2. 市場シェア分析、2025年
13.13.2.1. 製品タイプ別
13.13.2.2. 用途別
13.14. タイ
13.14.1. 価格分析
13.14.2. 市場シェア分析、2025年
13.14.2.1. 製品タイプ別
13.14.2.2. 用途別
13.15. インドネシア
13.15.1. 価格分析
13.15.2. 市場シェア分析、2025年
13.15.2.1. 製品タイプ別
13.15.2.2. 用途別
13.16. オーストラリア
13.16.1. 価格分析
13.16.2. 市場シェア分析、2025年
13.16.2.1. 製品タイプ別
13.16.2.2. 用途別
13.17. ニュージーランド
13.17.1. 価格分析
13.17.2. 市場シェア分析、2025年
13.17.2.1. 製品タイプ別
13.17.2.2. 用途別
13.18. GCC諸国
13.18.1. 価格分析
13.18.2. 市場シェア分析、2025年
13.18.2.1. 製品タイプ別
13.18.2.2. 用途別
13.19. 南アフリカ
13.19.1. 価格分析
13.19.2. 市場シェア分析、2025年
13.19.2.1. 製品タイプ別
13.19.2.2. 用途別
13.20. イスラエル
13.20.1. 価格分析
13.20.2. 市場シェア分析、2025年
13.20.2.1. 製品タイプ別
13.20.2.2. 用途別
14. 市場構造分析
14.1. 競争ダッシュボード
14.2. 競合ベンチマーキング
14.3. 主要プレイヤーの市場シェア分析
14.3.1. 地域別
14.3.2. 製品タイプ別
14.3.3. 用途別
15. 競合分析
15.1. 競争の深掘り
15.1.1. インフィニオン・テクノロジーズAG
15.1.1.1. 概要
15.1.1.2. 製品ポートフォリオ
15.1.1.3. 市場セグメント別収益性
15.1.1.4. 販売拠点
15.1.1.5. 戦略概要
15.1.1.5.1. マーケティング戦略
15.1.1.5.2. 製品戦略
15.1.1.5.3. チャネル戦略
15.1.2. バイシェイ・インターテクノロジー社
15.1.2.1. 概要
15.1.2.2. 製品ポートフォリオ
15.1.2.3. 市場セグメント別収益性
15.1.2.4. 販売拠点
15.1.2.5. 戦略概要
15.1.2.5.1. マーケティング戦略
15.1.2.5.2. 製品戦略
15.1.2.5.3. チャネル戦略
15.1.3. 三菱電機株式会社
15.1.3.1. 概要
15.1.3.2. 製品ポートフォリオ
15.1.3.3. 市場セグメント別収益性
15.1.3.4. 販売拠点
15.1.3.5. 戦略概要
15.1.3.5.1. マーケティング戦略
15.1.3.5.2. 製品戦略
15.1.3.5.3. チャネル戦略
15.1.4. STマイクロエレクトロニクス N.V.
15.1.4.1. 概要
15.1.4.2. 製品ポートフォリオ
15.1.4.3. 市場セグメント別収益性
15.1.4.4. 販売拠点
15.1.4.5. 戦略概要
15.1.4.5.1. マーケティング戦略
15.1.4.5.2. 製品戦略
15.1.4.5.3. チャネル戦略
15.1.5. 富士電機株式会社
15.1.5.1. 概要
15.1.5.2. 製品ポートフォリオ
15.1.5.3. 市場セグメント別収益性
15.1.5.4. 販売拠点
15.1.5.5. 戦略概要
15.1.5.5.1. マーケティング戦略
15.1.5.5.2. 製品戦略
15.1.5.5.3. チャネル戦略
15.1.6. 東芝株式会社
15.1.6.1. 概要
15.1.6.2. 製品ポートフォリオ
15.1.6.3. 市場セグメント別収益性
15.1.6.4. 販売拠点
15.1.6.5. 戦略概要
15.1.6.5.1. マーケティング戦略
15.1.6.5.2. 製品戦略
15.1.6.5.3. チャネル戦略
15.1.7. 日立パワーセミコンダクターデバイス株式会社
15.1.7.1. 概要
15.1.7.2. 製品ポートフォリオ
15.1.7.3. 市場セグメント別収益性
15.1.7.4. 販売拠点
15.1.7.5. 戦略概要
15.1.7.5.1. マーケティング戦略
15.1.7.5.2. 製品戦略
15.1.7.5.3. チャネル戦略
15.1.8. オンセミ
15.1.8.1. 概要
15.1.8.2. 製品ポートフォリオ
15.1.8.3. 市場セグメント別収益性
15.1.8.4. 販売拠点
15.1.8.5. 戦略概要
15.1.8.5.1. マーケティング戦略
15.1.8.5.2. 製品戦略
15.1.8.5.3. チャネル戦略
15.1.9. セミクロン・エレクトロニク GmbH & Co. KG
15.1.9.1. 概要
15.1.9.2. 製品ポートフォリオ
15.1.9.3. 市場セグメント別収益性
15.1.9.4. 販売拠点
15.1.9.5. 戦略概要
15.1.9.5.1. マーケティング戦略
15.1.9.5.2. 製品戦略
15.1.9.5.3. チャネル戦略
15.1.10. ABB Ltd.
15.1.10.1. 概要
15.1.10.2. 製品ポートフォリオ
15.1.10.3. 市場セグメント別収益性
15.1.10.4. 販売拠点
15.1.10.5. 戦略概要
15.1.10.5.1. マーケティング戦略
15.1.10.5.2. 製品戦略
15.1.10.5.3. チャネル戦略
16. 前提条件と使用略語
17. 調査方法論
1.1. Global Market Outlook
1.2. Demand-side Trends
1.3. Supply-side Trends
1.4. Technology Roadmap Analysis
1.5. Analysis and Recommendations
2. Market Overview
2.1. Market Coverage / Taxonomy
2.2. Market Definition / Scope / Limitations
3. Market Background
3.1. Market Dynamics
3.1.1. Drivers
3.1.2. Restraints
3.1.3. Opportunity
3.1.4. Trends
3.2. Scenario Forecast
3.2.1. Demand in Optimistic Scenario
3.2.2. Demand in Likely Scenario
3.2.3. Demand in Conservative Scenario
3.3. Opportunity Map Analysis
3.4. Product Life Cycle Analysis
3.5. Supply Chain Analysis
3.5.1. Supply Side Participants and their Roles
3.5.1.1. Producers
3.5.1.2. Mid-Level Participants (Traders/ Agents/ Brokers)
3.5.1.3. Wholesalers and Distributors
3.5.2. Value Added and Value Created at Node in the Supply Chain
3.5.3. List of Raw Material Suppliers
3.5.4. List of Existing and Potential Buyer’s
3.6. Investment Feasibility Matrix
3.7. Value Chain Analysis
3.7.1. Profit Margin Analysis
3.7.2. Wholesalers and Distributors
3.7.3. Retailers
3.8. PESTLE and Porter’s Analysis
3.9. Regulatory Landscape
3.9.1. By Key Regions
3.9.2. By Key Countries
3.10. Regional Parent Market Outlook
3.11. Production and Consumption Statistics
3.12. Import and Export Statistics
4. Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast, 2025-2032
4.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis, 2019-2024
4.2. Current and Future Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Projections, 2025-2032
4.2.1. Y-o-Y Growth Trend Analysis
4.2.2. Absolute $ Opportunity Analysis
5. Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Product Type
5.1. Introduction / Key Findings
5.2. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis By Product Type, 2019-2024
5.3. Current and Future Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis and Forecast By Product Type, 2025-2032
5.3.1. IGBT
5.3.1.1. Discrete IGBT
5.3.1.2. IGBT Module
5.3.2. SJMOSFET
5.3.2.1. Discrete Super Junction MOSFET
5.3.2.2. Super Junction MOSFET Module
5.4. Y-o-Y Growth Trend Analysis By Product Type, 2019-2024
5.5. Absolute $ Opportunity Analysis By Product Type, 2025-2032
6. Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Application
6.1. Introduction / Key Findings
6.2. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis By Application, 2019-2024
6.3. Current and Future Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis and Forecast By Application, 2025-2032
6.3.1. IGBT
6.3.1.1. UPS
6.3.1.2. Wind Turbines
6.3.1.3. PV Inverters
6.3.1.4. Rail Traction
6.3.1.5. Consumer Applications
6.3.1.6. EV/HEV
6.3.2. SJMOSFET
6.3.2.1. UPS
6.3.2.2. Wind Turbines
6.3.2.3. PV Inverters
6.3.2.4. Rail Traction
6.3.2.5. Consumer Applications
6.3.2.6. EV/HEV
6.3.2.7. Motor Drives
6.3.2.8. Industrial Applications
6.3.2.9. Converters/ Adapters /Chargers
6.3.2.10. Lighting
6.3.2.11. Others (Servers, Networking Equipment, etc)
6.4. Y-o-Y Growth Trend Analysis By Application, 2019-2024
6.5. Absolute $ Opportunity Analysis By Application, 2025-2032
7. Global IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Region
7.1. Introduction
7.2. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis By Region, 2019-2024
7.3. Current Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Analysis and Forecast By Region, 2025-2032
7.3.1. North America
7.3.2. Latin America
7.3.3. Europe
7.3.4. Asia Pacific
7.3.5. Middle East & Africa
7.4. Market Attractiveness Analysis By Region
8. North America IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Country
8.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Trend Analysis By Market Taxonomy, 2019-2024
8.2. Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Forecast By Market Taxonomy, 2025-2032
8.2.1. By Country
8.2.1.1. USA
8.2.1.2. Canada
8.2.2. By Product Type
8.2.3. By Application
8.3. Market Attractiveness Analysis
8.3.1. By Country
8.3.2. By Product Type
8.3.3. By Application
8.4. Key Takeaways
9. Latin America IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Country
9.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Trend Analysis By Market Taxonomy, 2019-2024
9.2. Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Forecast By Market Taxonomy, 2025-2032
9.2.1. By Country
9.2.1.1. Brazil
9.2.1.2. Mexico
9.2.1.3. Rest of Latin America
9.2.2. By Product Type
9.2.3. By Application
9.3. Market Attractiveness Analysis
9.3.1. By Country
9.3.2. By Product Type
9.3.3. By Application
9.4. Key Takeaways
10. Europe IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Country
10.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Trend Analysis By Market Taxonomy, 2019-2024
10.2. Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Forecast By Market Taxonomy, 2025-2032
10.2.1. By Country
10.2.1.1. Germany
10.2.1.2. United Kingdom
10.2.1.3. France
10.2.1.4. Spain
10.2.1.5. Italy
10.2.1.6. Rest of Europe
10.2.2. By Product Type
10.2.3. By Application
10.3. Market Attractiveness Analysis
10.3.1. By Country
10.3.2. By Product Type
10.3.3. By Application
10.4. Key Takeaways
11. Asia Pacific IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Country
11.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Trend Analysis By Market Taxonomy, 2019-2024
11.2. Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Forecast By Market Taxonomy, 2025-2032
11.2.1. By Country
11.2.1.1. China
11.2.1.2. Japan
11.2.1.3. South Korea
11.2.1.4. Singapore
11.2.1.5. Thailand
11.2.1.6. Indonesia
11.2.1.7. Australia
11.2.1.8. New Zealand
11.2.1.9. Rest of Asia Pacific
11.2.2. By Product Type
11.2.3. By Application
11.3. Market Attractiveness Analysis
11.3.1. By Country
11.3.2. By Product Type
11.3.3. By Application
11.4. Key Takeaways
12. Middle East & Africa IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis 2019-2024 and Forecast 2025-2032, By Country
12.1. Historical Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Trend Analysis By Market Taxonomy, 2019-2024
12.2. Market Size Value (US$ Bn) & Volume (Units) Forecast By Market Taxonomy, 2025-2032
12.2.1. By Country
12.2.1.1. GCC Countries
12.2.1.2. South Africa
12.2.1.3. Israel
12.2.1.4. Rest of Middle East & Africa
12.2.2. By Product Type
12.2.3. By Application
12.3. Market Attractiveness Analysis
12.3.1. By Country
12.3.2. By Product Type
12.3.3. By Application
12.4. Key Takeaways
13. Key Countries IGBT and Super Junction MOSFET Market Analysis
13.1. USA
13.1.1. Pricing Analysis
13.1.2. Market Share Analysis, 2025
13.1.2.1. By Product Type
13.1.2.2. By Application
13.2. Canada
13.2.1. Pricing Analysis
13.2.2. Market Share Analysis, 2025
13.2.2.1. By Product Type
13.2.2.2. By Application
13.3. Brazil
13.3.1. Pricing Analysis
13.3.2. Market Share Analysis, 2025
13.3.2.1. By Product Type
13.3.2.2. By Application
13.4. Mexico
13.4.1. Pricing Analysis
13.4.2. Market Share Analysis, 2025
13.4.2.1. By Product Type
13.4.2.2. By Application
13.5. Germany
13.5.1. Pricing Analysis
13.5.2. Market Share Analysis, 2025
13.5.2.1. By Product Type
13.5.2.2. By Application
13.6. United Kingdom
13.6.1. Pricing Analysis
13.6.2. Market Share Analysis, 2025
13.6.2.1. By Product Type
13.6.2.2. By Application
13.7. France
13.7.1. Pricing Analysis
13.7.2. Market Share Analysis, 2025
13.7.2.1. By Product Type
13.7.2.2. By Application
13.8. Spain
13.8.1. Pricing Analysis
13.8.2. Market Share Analysis, 2025
13.8.2.1. By Product Type
13.8.2.2. By Application
13.9. Italy
13.9.1. Pricing Analysis
13.9.2. Market Share Analysis, 2025
13.9.2.1. By Product Type
13.9.2.2. By Application
13.10. China
13.10.1. Pricing Analysis
13.10.2. Market Share Analysis, 2025
13.10.2.1. By Product Type
13.10.2.2. By Application
13.11. Japan
13.11.1. Pricing Analysis
13.11.2. Market Share Analysis, 2025
13.11.2.1. By Product Type
13.11.2.2. By Application
13.12. South Korea
13.12.1. Pricing Analysis
13.12.2. Market Share Analysis, 2025
13.12.2.1. By Product Type
13.12.2.2. By Application
13.13. Singapore
13.13.1. Pricing Analysis
13.13.2. Market Share Analysis, 2025
13.13.2.1. By Product Type
13.13.2.2. By Application
13.14. Thailand
13.14.1. Pricing Analysis
13.14.2. Market Share Analysis, 2025
13.14.2.1. By Product Type
13.14.2.2. By Application
13.15. Indonesia
13.15.1. Pricing Analysis
13.15.2. Market Share Analysis, 2025
13.15.2.1. By Product Type
13.15.2.2. By Application
13.16. Australia
13.16.1. Pricing Analysis
13.16.2. Market Share Analysis, 2025
13.16.2.1. By Product Type
13.16.2.2. By Application
13.17. New Zealand
13.17.1. Pricing Analysis
13.17.2. Market Share Analysis, 2025
13.17.2.1. By Product Type
13.17.2.2. By Application
13.18. GCC Countries
13.18.1. Pricing Analysis
13.18.2. Market Share Analysis, 2025
13.18.2.1. By Product Type
13.18.2.2. By Application
13.19. South Africa
13.19.1. Pricing Analysis
13.19.2. Market Share Analysis, 2025
13.19.2.1. By Product Type
13.19.2.2. By Application
13.20. Israel
13.20.1. Pricing Analysis
13.20.2. Market Share Analysis, 2025
13.20.2.1. By Product Type
13.20.2.2. By Application
14. Market Structure Analysis
14.1. Competition Dashboard
14.2. Competition Benchmarking
14.3. Market Share Analysis of Top Players
14.3.1. By Regional
14.3.2. By Product Type
14.3.3. By Application
15. Competition Analysis
15.1. Competition Deep Dive
15.1.1. Infineon Technologies AG
15.1.1.1. Overview
15.1.1.2. Product Portfolio
15.1.1.3. Profitability by Market Segments
15.1.1.4. Sales Footprint
15.1.1.5. Strategy Overview
15.1.1.5.1. Marketing Strategy
15.1.1.5.2. Product Strategy
15.1.1.5.3. Channel Strategy
15.1.2. Vishay Intertechnology Inc.
15.1.2.1. Overview
15.1.2.2. Product Portfolio
15.1.2.3. Profitability by Market Segments
15.1.2.4. Sales Footprint
15.1.2.5. Strategy Overview
15.1.2.5.1. Marketing Strategy
15.1.2.5.2. Product Strategy
15.1.2.5.3. Channel Strategy
15.1.3. Mitsubishi Electric Corporation
15.1.3.1. Overview
15.1.3.2. Product Portfolio
15.1.3.3. Profitability by Market Segments
15.1.3.4. Sales Footprint
15.1.3.5. Strategy Overview
15.1.3.5.1. Marketing Strategy
15.1.3.5.2. Product Strategy
15.1.3.5.3. Channel Strategy
15.1.4. STMicroelectronics N.V.
15.1.4.1. Overview
15.1.4.2. Product Portfolio
15.1.4.3. Profitability by Market Segments
15.1.4.4. Sales Footprint
15.1.4.5. Strategy Overview
15.1.4.5.1. Marketing Strategy
15.1.4.5.2. Product Strategy
15.1.4.5.3. Channel Strategy
15.1.5. Fuji Electric Co. Ltd.
15.1.5.1. Overview
15.1.5.2. Product Portfolio
15.1.5.3. Profitability by Market Segments
15.1.5.4. Sales Footprint
15.1.5.5. Strategy Overview
15.1.5.5.1. Marketing Strategy
15.1.5.5.2. Product Strategy
15.1.5.5.3. Channel Strategy
15.1.6. Toshiba Corporation
15.1.6.1. Overview
15.1.6.2. Product Portfolio
15.1.6.3. Profitability by Market Segments
15.1.6.4. Sales Footprint
15.1.6.5. Strategy Overview
15.1.6.5.1. Marketing Strategy
15.1.6.5.2. Product Strategy
15.1.6.5.3. Channel Strategy
15.1.7. Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
15.1.7.1. Overview
15.1.7.2. Product Portfolio
15.1.7.3. Profitability by Market Segments
15.1.7.4. Sales Footprint
15.1.7.5. Strategy Overview
15.1.7.5.1. Marketing Strategy
15.1.7.5.2. Product Strategy
15.1.7.5.3. Channel Strategy
15.1.8. Onsemi
15.1.8.1. Overview
15.1.8.2. Product Portfolio
15.1.8.3. Profitability by Market Segments
15.1.8.4. Sales Footprint
15.1.8.5. Strategy Overview
15.1.8.5.1. Marketing Strategy
15.1.8.5.2. Product Strategy
15.1.8.5.3. Channel Strategy
15.1.9. Semikron Elektronik GmbH & Co. KG
15.1.9.1. Overview
15.1.9.2. Product Portfolio
15.1.9.3. Profitability by Market Segments
15.1.9.4. Sales Footprint
15.1.9.5. Strategy Overview
15.1.9.5.1. Marketing Strategy
15.1.9.5.2. Product Strategy
15.1.9.5.3. Channel Strategy
15.1.10. ABB Ltd.
15.1.10.1. Overview
15.1.10.2. Product Portfolio
15.1.10.3. Profitability by Market Segments
15.1.10.4. Sales Footprint
15.1.10.5. Strategy Overview
15.1.10.5.1. Marketing Strategy
15.1.10.5.2. Product Strategy
15.1.10.5.3. Channel Strategy
16. Assumptions & Acronyms Used
17. Research Methodology
| ※IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）とスーパージャンクションMOSFET（スーパージャンクション金属酸化物半導体場効果トランジスタ）は、パワーエレクトronicsにおいて重要な役割を担っています。これらは高電力の制御と変換が求められるアプリケーションで使用されます。 IGBTは、バイポーラトランジスタとMOSFETの特性を組み合わせたデバイスです。IGBTは、低いオン抵抗と高いスイッチング速度を持つため、電力損失を抑えられ、効率の良いエネルギー変換が可能です。このデバイスは、電源供給、モーター制御、溶接機、再生可能エネルギーシステムなど、広範な用途に使用されます。また、IGBTには、通常のIGBTと比較してより高性能なクラスのIGBTがあり、これらは「ハイパフォーマンスIGBT」と呼ばれます。この分類は、性能やスイッチング速度、耐圧などの特性によって行われます。 一方、スーパージャンクションMOSFETは、通常のMOSFETと比べて、より低いオン抵抗を実現するために特別な構造を持っています。ジャンクションの設計が特殊で、多層構造を持つことで、電圧耐性とスイッチング性能の向上が図られています。これにより、より高い電圧での動作が可能となり、効率的な電力変換が実現されます。スーパージャンクションMOSFETは適用範囲が広く、電源装置、電気自動車のインバーター、交流ドライブ、太陽光発電システムなどで活躍しています。特に、エネルギー効率が重視されるアプリケーションにおいて、その特性は非常に重要です。 IGBTとスーパージャンクションMOSFETの選定は、対象となるアプリケーションにおいて重要です。一般的に、IGBTは高電圧・大電流のアプリケーションにおいて選ばれることが多いですが、スーパージャンクションMOSFETは高スイッチング周波数を要する場合に有利です。選択の際には、耐圧、スイッチング速度、スイッチング損失、熱特性などの要因を考慮する必要があります。 これらのデバイスは、パワーエレクトronicsの発展に伴って、技術も進化しています。最近では、シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）といった次世代半導体材料が注目されており、これらは従来のSiベースのデバイスに比べて高温、高電圧、効率性を提供しています。これにより、高性能が求められるシステムにおいては、従来のIGBTやMOSFETの代替として期待されています。 さらに、IGBTやスーパージャンクションMOSFETを使用する際には、ドライビング回路やヒートシンク、冷却システムといった周辺技術も重要です。これらのデバイスは、スイッチング操作によって発生する熱を効果的に管理しなければなりません。適切な熱管理がなければ、デバイスは性能を発揮できず、故障の原因にもなります。冷却技術や材料の選定は、システム全体の性能に直結するため、重要なファクターです。 IGBTとスーパージャンクションMOSFETのボトムアップ技術は進化を続けており、今後も新しい技術やアプローチが求められています。これらのデバイスを使用することで、エネルギー変換の効率を向上させ、より持続可能な社会を実現するための手助けができると期待されています。パワーエレクトronicsの分野において、これらの半導体デバイスの理解と適切な活用がますます重要になっているのです。 |
• 日本語訳：IGBT＆スーパージャンクションMOSFET市場：製品タイプ別、エンドユーザー別、地域別、グローバル産業分析、規模、シェア、成長、動向、予測（2025年～2032年）
• レポートコード：MRCPM5NV366 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）