 | • レポートコード：MRCLPR8NB11523 • 出版社/出版日：LP Information / 2026年11月 • レポート形態：英文、PDF、129ページ • 納品方法：Eメール（納期：2-3営業日） • 産業分類：Electronics & Semiconductor |
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レポート概要
【調査レポートの概要】
グローバルGaN-On-SiCデバイス市場規模は、2025年の13億8,500万米ドルから2032年には22億4,000万米ドルへ成長すると予測されており、2026年から2032年の年間平均成長率（CAGR）は7.0％と見込まれています。
GaN-On-SiCデバイスは一般的に、半絶縁SiC基板上にGaN/AlGaNヘテロ構造を成長（主にMOCVDによる）させ、商用製品に加工したRF/microwave/mmWaveデバイスおよびICを指します。実際の市場範囲では、個別のRF GaNパワートランジスタ（GaN HEMT、裸チップまたはパッケージ品）、GaN MMIC（パワーアンプ・ドライバー・低雑音増幅器・スイッチ機能を統合したモノリシックマイクロ波IC）、およびPAや送受信ブロック内で使用されるシステム向けチップが含まれます。この技術の根拠は、GaNの高い電力密度性能とSiCの高熱伝導性および低いRF損失を組み合わせることであり、そのためGaN-On-SiCは長らく高出力密度のRF性能において最適な基板スタックとして位置づけられています。
技術的には、GaN-On-SiCはGaN HEMTの2DEGチャネルを利用して、より高い破壊電圧／動作電圧、高電流密度、高周波能力を実現し、これが高効率かつ高出力での小型ダイサイズに直結しています。一方、SiC基板の熱処理能力は電力密度やデバイスの寿命における第一の制約要素であり、熱設計（熱抵抗／ホットスポット）、トラップ関連の動的挙動、パッケージの寄生要素と熱経路がデバイス～MMIC～モジュール統合における重要な差別化要因となっています。製造面の重要なトレンドはプラットフォームとウェハサイズの拡大であり、歴史的に多くのGaN-On-SiCプロセスは100mmウェハで行われていましたが、主要なエコシステムは規模とコスト経済性向上のため150mm（6インチ）へ拡大しています。業界調査ではQorvoやNXPの150mm移行、100mmフルライン稼働と150mmラインの低稼働時のコスト負荷のトレードオフについて明確に論じられており、技術文献でもウェハスケール（100mm → 150mm）がGaN MMICのユニットコスト削減の直接的手段として強調されています。
用途、バリューチェーン、市場動向の観点から、GaN-On-SiCデバイスは主に無線インフラ、衛星通信（satcom）、航空宇宙・防衛（レーダー、電子戦（EW）、AESAT/Rモジュール）に牽引されており、特殊産業／マイクロ波システム分野への浸透も進んでいます。パブリックな資料では、GaN MMIC／HEMTのパワーアンプ（PA）および低雑音増幅器（LNA）がレーダーシステムのコアビルディングブロックとして示されています。上流チェーンは半絶縁SiC基板、エピタキシー（MOCVD）、デバイス／MMIC製造（IDMや特殊RFファウンドリを含む信頼性の高い生産ライン）、RFパッケージング＆テストを経てシステムOEMへと繋がっています。業界では、製品ポートフォリオの集中と統合が進んでおり、例えばWolfspeedは2023年にRF事業をMACOMに売却し、純粋なSiC半導体メーカーとなったと発表しています。主要なトレンドとドライバーには、防衛や衛星通信の成長、より高帯域幅のRFアーキテクチャ（5G/6G）による高出力／高線形性の需要、基板プラットフォームのセグメンテーション（GaN-On-Siはコストセンシティブな大量生産RAN向け、GaN-On-SiCは超高出力密度・高信頼性のニッチ向け）、および上流SiCエコシステムの150mmから200mmへの進展が含まれます。これは、新しいオープンR&Dラインにより将来的なスケールアップとコストダウンを支えるものです。
LPインフォメーション社（LPI）の最新調査レポート「GaN-On-SiC Devices Industry Forecast」では、過去の販売実績を踏まえ2025年の世界GaN-On-SiCデバイスの販売を分析し、2026年から2032年までの地域別および市場セクター別のGaN-On-SiCデバイスの販売予測を包括的に提供しています。地域、セクター、サブセクター別に分解したGaN-On-SiCデバイスの販売について、世界市場の詳細な分析を米ドルベースで行っています。
本インサイトレポートは、グローバルGaN-On-SiCデバイスの動向を幅広く分析し、製品セグメント、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A動向をハイライトしています。また、主要企業のGaN-On-SiCデバイスのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開を分析し、加速するグローバルGaN-On-SiCデバイス市場におけるこれらの企業の独自の立ち位置を理解する助けとなる内容です。
本レポートは、グローバルGaN-On-SiCデバイスの市場の見通しを左右する主要な市場トレンド、ドライバー、影響要因を評価し、タイプ別、アプリケーション別、地域別、市場規模別に予測を分類し、新たな成長機会を明確に示しています。数百のボトムアップ調査による定性的および定量的市場インプットに基づく透明な手法で、グローバルGaN-On-SiCデバイスの現状と将来の展開を詳細に理解できる内容です。
本レポートは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、GaN-On-SiCデバイス市場の全体像、市場占有率、成長機会を提供します。
【タイプ別セグメンテーション】
– GaN HEMT
– GaN MMICs
【ウェハサイズ別セグメンテーション】
– 6インチGaN-On-SiCデバイス
– 4インチGaN-On-SiCデバイス
【用途別セグメンテーション】
– 通信インフラ
– 軍事・防衛
– 衛星通信（Satcom）
– その他
【地域別セグメンテーション】
– アメリカ大陸
– アメリカ合衆国
– カナダ
– メキシコ
– ブラジル
– アジア太平洋（APAC）
– 中国
– 日本
– 韓国
– 東南アジア
– インド
– オーストラリア
– ヨーロッパ
– ドイツ
– フランス
– イギリス
– イタリア
– ロシア
– 中東・アフリカ
– エジプト
– 南アフリカ
– イスラエル
– トルコ
– GCC加盟国（湾岸諸国）
【分析対象企業】
本レポートでは、業界の第一線の専門家のインプットや企業のカバレッジ、製品ポートフォリオ、市場浸透状況に基づき、以下企業をプロファイルしています。
– 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）
– MACOM
– Qorvo
– NXP
– RFHIC Corporation
– Raytheon
– Dynax Semiconductor
– 三菱電機
– CETC 55
– Northrop Grumman
– Ampleon
– UMS RF
– CETC 13
– ReliaSat（Arralis）
– WAVICE Inc
– Microchip Technology
– Youjia Technology（Suzhou） Co., Ltd
– Shenzhen Taigao Technology
– Hebei Sinopack Electronic Technology
【本レポートで回答する主要質問】
– グローバルGaN-On-SiCデバイス市場の10年展望はどのようなものか？
– GaN-On-SiCデバイス市場の成長要因は、世界および地域別に何か？
– どの技術が市場および地域別で最も急速に伸びる見込みか？
– GaN-On-SiCデバイスの市場機会は最終用途市場規模によってどのように異なるか？
– GaN-On-SiCデバイスはタイプ別、用途別にどのように分類されるか？
1 レポートの範囲
1.1 市場紹介
1.2 対象年
1.3 調査目的
1.4 市場調査方法論
1.5 調査プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 通貨単位
1.8 市場推定に関する注意点
2 エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場概要
2.1.1 GaN-On-SiCデバイスの世界年間販売額 2021-2032
2.1.2 地域別GaN-On-SiCデバイスの現状と将来分析（2021年、2025年、2032年）
2.1.3 国・地域別GaN-On-SiCデバイスの現状と将来分析（2021年、2025年、2032年）
2.2 GaN-On-SiCデバイスの種類別セグメント
2.2.1 光電型
2.2.2 無線周波数型
2.2.3 電力型
2.2.4 種類別GaN-On-SiCデバイスの販売状況
2.2.4.1 種類別の世界GaN-On-SiCデバイス販売市場シェア (2021-2026)
2.2.4.2 種類別の世界GaN-On-SiCデバイス収益および市場シェア (2021-2026)
2.2.4.3 種類別の世界GaN-On-SiCデバイス販売価格 (2021-2026)
2.3 GaN-On-SiCデバイスの用途別セグメント
2.3.1 5G通信
2.3.2 自動車
2.3.3 産業用
2.3.4 その他
2.3.5 用途別GaN-On-SiCデバイス販売状況
2.3.5.1 用途別の世界GaN-On-SiCデバイス販売市場シェア (2021-2026)
2.3.5.2 用途別の世界GaN-On-SiCデバイス収益および市場シェア (2021-2026)
2.3.5.3 用途別の世界GaN-On-SiCデバイス販売価格 (2021-2026)
3 グローバル企業別分析
3.1 企業別GaN-On-SiCデバイスの内訳データ
3.1.1 企業別GaN-On-SiCデバイス年間販売額 (2021-2026)
3.1.2 企業別GaN-On-SiCデバイス販売市場シェア (2021-2026)
3.2 企業別GaN-On-SiCデバイス年間収益 (2021-2026)
3.2.1 企業別GaN-On-SiCデバイス収益 (2021-2026)
3.2.2 企業別GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア (2021-2026)
3.3 企業別GaN-On-SiCデバイス販売価格
3.4 主要メーカーのGaN-On-SiCデバイス生産地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーのGaN-On-SiCデバイス製品所在地域分布
3.4.2 企業別GaN-On-SiCデバイス製品ラインナップ
3.5 市場集中度分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 Concentration Ratio（CR3、CR5、CR10）と (2024-2026)
3.6 新製品と潜在的参入企業
3.7 市場のM&A活動と戦略
4 地域別GaN-On-SiCデバイスの世界歴史的レビュー
4.1 地域別GaN-On-SiCデバイス市場規模の世界歴史的推移 (2021-2026)
4.1.1 地域別GaN-On-SiCデバイス世界年間販売額 (2021-2026)
4.1.2 地域別GaN-On-SiCデバイス世界年間収益 (2021-2026)
4.2 国・地域別GaN-On-SiCデバイス市場規模の世界歴史的推移 (2021-2026)
4.2.1 国・地域別GaN-On-SiCデバイス世界年間販売額 (2021-2026)
4.2.2 国・地域別GaN-On-SiCデバイス世界年間収益 (2021-2026)
4.3 アメリカ地域GaN-On-SiCデバイス販売成長
4.4 アジア太平洋地域GaN-On-SiCデバイス販売成長
4.5 ヨーロッパ地域GaN-On-SiCデバイス販売成長
4.6 中東・アフリカ地域GaN-On-SiCデバイス販売成長
5 アメリカ地域
5.1 アメリカ地域GaN-On-SiCデバイス国別販売状況
5.1.1 アメリカ地域国別GaN-On-SiCデバイス販売額 (2021-2026)
5.1.2 アメリカ地域国別GaN-On-SiCデバイス収益 (2021-2026)
5.2 アメリカ地域GaN-On-SiCデバイス種類別販売状況 (2021-2026)
5.3 アメリカ地域GaN-On-SiCデバイス用途別販売状況 (2021-2026)
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋地域（APAC）
6.1 APAC GaN-On-SiCデバイス地域別販売状況
6.1.1 APAC地域GaN-On-SiCデバイス販売額 (2021-2026)
6.1.2 APAC地域GaN-On-SiCデバイス収益 (2021-2026)
6.2 APAC地域GaN-On-SiCデバイス種類別販売状況 (2021-2026)
6.3 APAC地域GaN-On-SiCデバイス用途別販売状況 (2021-2026)
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 台湾（中国）
7 ヨーロッパ
7.1 ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス国別販売状況
7.1.1 ヨーロッパ国別GaN-On-SiCデバイス販売額 (2021-2026)
7.1.2 ヨーロッパ国別GaN-On-SiCデバイス収益 (2021-2026)
7.2 ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス種類別販売状況 (2021-2026)
7.3 ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス用途別販売状況 (2021-2026)
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス国別販売状況
8.1.1 中東・アフリカ国別GaN-On-SiCデバイス販売額 (2021-2026)
8.1.2 中東・アフリカ国別GaN-On-SiCデバイス収益 (2021-2026)
8.2 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス種類別販売状況 (2021-2026)
8.3 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス用途別販売状況 (2021-2026)
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場推進要因、課題およびトレンド
9.1 市場推進要因と成長機会
9.2 市場課題とリスク
9.3 産業トレンド
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料およびサプライヤー
10.2 GaN-On-SiCデバイスの製造コスト構造分析
10.3 GaN-On-SiCデバイスの製造プロセス分析
10.4 GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン構造
11 マーケティング、流通および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 GaN-On-SiCデバイス流通業者
11.3 GaN-On-SiCデバイス顧客
12 地域別GaN-On-SiCデバイスの世界予測レビュー
12.1 地域別世界GaN-On-SiCデバイス市場規模予測
12.1.1 地域別世界GaN-On-SiCデバイス予測 (2027-2032)
12.1.2 地域別世界GaN-On-SiCデバイス年間収益予測 (2027-2032)
12.2 アメリカ地域国別予測 (2027-2032)
12.3 APAC地域予測 (2027-2032)
12.4 ヨーロッパ国別予測 (2027-2032)
12.5 中東・アフリカ国別予測 (2027-2032)
12.6 タイプ別世界GaN-On-SiCデバイス予測 (2027-2032)
12.7 用途別世界GaN-On-SiCデバイス予測 (2027-2032)
13 主要企業分析
13.1 SEDI
13.1.1 SEDI企業情報
13.1.2 SEDI GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.1.3 SEDI GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.1.4 SEDI主要事業概要
13.1.5 SEDI最新動向
13.2 MACOM
13.2.1 MACOM企業情報
13.2.2 MACOM GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.2.3 MACOM GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.2.4 MACOM主要事業概要
13.2.5 MACOM最新動向
13.3 Qorvro
13.3.1 Qorvro企業情報
13.3.2 Qorvro GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.3.3 Qorvro GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.3.4 Qorvro主要事業概要
13.3.5 Qorvro最新動向
13.4 Skyworks
13.4.1 Skyworks企業情報
13.4.2 Skyworks GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.4.3 Skyworks GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.4.4 Skyworks主要事業概要
13.4.5 Skyworks最新動向
13.5 NXP
13.5.1 NXP企業情報
13.5.2 NXP GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.5.3 NXP GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.5.4 NXP主要事業概要
13.5.5 NXP最新動向
13.6 富士通
13.6.1 富士通企業情報
13.6.2 富士通GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.6.3 富士通GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.6.4 富士通主要事業概要
13.6.5 富士通最新動向
13.7 東芝
13.7.1 東芝企業情報
13.7.2 東芝GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.7.3 東芝GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.7.4 東芝主要事業概要
13.7.5 東芝最新動向
13.8 三菱電機
13.8.1 三菱電機企業情報
13.8.2 三菱電機GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.8.3 三菱電機GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.8.4 三菱電機主要事業概要
13.8.5 三菱電機最新動向
13.9 Innoscience
13.9.1 Innoscience企業情報
13.9.2 InnoscienceGaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.9.3 InnoscienceGaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.9.4 Innoscience主要事業概要
13.9.5 Innoscience最新動向
13.10 河北通広半導体
13.10.1 河北通広半導体企業情報
13.10.2 河北通広半導体GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.10.3 河北通広半導体GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.10.4 河北通広半導体主要事業概要
13.10.5 河北通広半導体最新動向
13.11 天科合達（Tianke Heda）
13.11.1 天科合達企業情報
13.11.2 天科合達GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.11.3 天科合達GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.11.4 天科合達主要事業概要
13.11.5 天科合達最新動向
13.12 山東天岳（Shandong Tianyue）
13.12.1 山東天岳企業情報
13.12.2 山東天岳GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオおよび仕様
13.12.3 山東天岳GaN-On-SiCデバイス販売、収益、価格および粗利率 (2021-2026)
13.12.4 山東天岳主要事業概要
13.12.5 山東天岳最新動向
14 調査結果および結論
【調査レポートの図表一覧】表一覧
表1. GaN-On-SiCデバイス地域別年間売上CAGR（2021, 2025 & 2032）＆（百万米ドル）
表2. GaN-On-SiCデバイス国別/地域別年間売上CAGR（2021, 2025 & 2032）＆（百万米ドル）
表3. 光電タイプ主要プレイヤー
表4. 無線周波数タイプ主要プレイヤー
表5. 電力タイプ主要プレイヤー
表6. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上（2021-2026）＆（千台）
表7. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
表8. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表9. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
表10. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス販売価格（2021-2026）＆（米ドル/台）
表11. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス販売数（2021-2026）＆（千台）
表12. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス販売市場シェア（2021-2026）
表13. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表14. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
表15. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス販売価格（2021-2026）＆（米ドル/台）
表16. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス売上（2021-2026）＆（千台）
表17. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
表18. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表19. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
表20. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス販売価格（2021-2026）＆（米ドル/台）
表21. 主要メーカーGaN-On-SiCデバイス製造地域分布および販売地域
表22. プレイヤーGaN-On-SiCデバイス提供製品
表23. GaN-On-SiCデバイス集中度比率（CR3、CR5、CR10）＆（2024-2026）
表24. 新製品および潜在参入者
表25. 市場M&A活動および戦略
表26. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上（2021-2026）＆（千台）
表27. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
表28. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表29. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
表30. 国別/地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上（2021-2026）＆（千台）
表31. 国別/地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
表32. 国別/地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表33. 国別/地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
表34. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス国別売上（2021-2026）＆（千台）
表35. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス国別売上市場シェア（2021-2026）
表36. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス国別収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表37. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス種類別売上（2021-2026）＆（千台）
表38. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス用途別売上（2021-2026）＆（千台）
表39. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス地域別売上（2021-2026）＆（千台）
表40. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス地域別売上市場シェア（2021-2026）
表41. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス地域別収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表42. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス種類別売上（2021-2026）＆（千台）
表43. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス用途別売上（2021-2026）＆（千台）
表44. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス国別売上（2021-2026）＆（千台）
表45. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス国別収益（2021-2026）＆（百万米ドル）
表46. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス種類別売上（2021-2026）＆（千台）
表47. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス用途別売上（2021-2026）＆（千台）
表48. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス国別売上（2021-2026）＆（千台）
表49. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス国別収益市場シェア（2021-2026）
表50. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス種類別売上（2021-2026）＆（千台）
表51. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス用途別売上（2021-2026）＆（千台）
表52. GaN-On-SiCデバイスの主要市場推進要因および成長機会
表53. GaN-On-SiCデバイスの主要市場課題およびリスク
表54. GaN-On-SiCデバイスの主要産業トレンド
表55. GaN-On-SiCデバイスの原材料
表56. 主要原材料サプライヤー
表57. GaN-On-SiCデバイスの販売代理店リスト
表58. GaN-On-SiCデバイスの顧客リスト
表59. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上予測（2027-2032）＆（千台）
表60. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表61. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス国別売上予測（2027-2032）＆（千台）
表62. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス国別年間収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表63. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス地域別売上予測（2027-2032）＆（千台）
表64. アジア太平洋（APAC）GaN-On-SiCデバイス地域別年間収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表65. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス国別売上予測（2027-2032）＆（千台）
表66. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス国別収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表67. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス国別売上予測（2027-2032）＆（千台）
表68. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス国別収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表69. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上予測（2027-2032）＆（千台）
表70. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表71. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス売上予測（2027-2032）＆（千台）
表72. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス収益予測（2027-2032）＆（百万米ドル）
表73. SEDI 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表74. SEDI GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表75. SEDI GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表76. SEDI 主要事業
表77. SEDI 最新動向
表78. MACOM 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表79. MACOM GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表80. MACOM GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表81. MACOM 主要事業
表82. MACOM 最新動向
表83. Qorvro 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表84. Qorvro GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表85. Qorvro GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表86. Qorvro 主要事業
表87. Qorvro 最新動向
表88. Skyworks 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表89. Skyworks GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表90. Skyworks GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表91. Skyworks 主要事業
表92. Skyworks 最新動向
表93. NXP 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表94. NXP GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表95. NXP GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表96. NXP 主要事業
表97. NXP 最新動向
表98. 富士通 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表99. 富士通 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表100. 富士通 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表101. 富士通 主要事業
表102. 富士通 最新動向
表103. 東芝 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表104. 東芝 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表105. 東芝 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表106. 東芝 主要事業
表107. 東芝 最新動向
表108. 三菱電機 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表109. 三菱電機 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表110. 三菱電機 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表111. 三菱電機 主要事業
表112. 三菱電機 最新動向
表113. Innoscience 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表114. Innoscience GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表115. Innoscience GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表116. Innoscience 主要事業
表117. Innoscience 最新動向
表118. 河北通光半導体 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表119. 河北通光半導体 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表120. 河北通光半導体 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表121. 河北通光半導体 主要事業
表122. 河北通光半導体 最新動向
表123. 天科合達 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表124. 天科合達 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表125. 天科合達 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表126. 天科合達 主要事業
表127. 天科合達 最新動向
表128. 山東天岳 基本情報、GaN-On-SiCデバイス製造拠点、販売地域および競合他社
表129. 山東天岳 GaN-On-SiCデバイス製品ポートフォリオと仕様
表130. 山東天岳 GaN-On-SiCデバイス売上（千台）、収益（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利率（2021-2026）
表131. 山東天岳 主要事業
表132. 山東天岳 最新動向
図一覧
図1. GaN-On-SiCデバイスの写真
図2. GaN-On-SiCデバイスレポート検討期間
図3. 調査目的
図4. 調査方法論
図5. 調査プロセスとデータソース
図6. 世界GaN-On-SiCデバイス売上成長率 2021-2032（千台）
図7. 世界GaN-On-SiCデバイス収益成長率 2021-2032（百万米ドル）
図8. 地域別GaN-On-SiCデバイス売上（2021, 2025 & 2032）＆（百万米ドル）
図9. 国別/地域別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2025）
図10. 国別/地域別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021, 2025 & 2032）
図11. 光電タイプ製品写真
図12. 無線周波数タイプ製品写真
図13. 電力タイプ製品写真
図14. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2026）
図15. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
図16. 5G通信で使用されるGaN-On-SiCデバイス
図17. 5G通信市場における世界GaN-On-SiCデバイス（2021-2026）＆（千台）
図18. 自動車で使用されるGaN-On-SiCデバイス
図19. 自動車市場における世界GaN-On-SiCデバイス（2021-2026）＆（千台）
図20. 産業用途で使用されるGaN-On-SiCデバイス
図21. 産業用途における世界GaN-On-SiCデバイス（2021-2026）＆（千台）
図22. その他用途で使用されるGaN-On-SiCデバイス
図23. その他用途における世界GaN-On-SiCデバイス（2021-2026）＆（千台）
図24. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス販売市場シェア（2025）
図25. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2026）
図26. 企業別GaN-On-SiCデバイス売上（2026）（千台）
図27. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2026）
図28. 企業別GaN-On-SiCデバイス収益（2026）（百万米ドル）
図29. 企業別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2026）
図30. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図31. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2026）
図32. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス売上 2021-2026（千台）
図33. アメリカ大陸GaN-On-SiCデバイス収益 2021-2026（百万米ドル）
図34. アジア太平洋GaN-On-SiCデバイス売上 2021-2026（千台）
図35. アジア太平洋GaN-On-SiCデバイス収益 2021-2026（百万米ドル）
図36. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス売上 2021-2026（千台）
図37. ヨーロッパGaN-On-SiCデバイス収益 2021-2026（百万米ドル）
図38. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス売上 2021-2026（千台）
図39. 中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス収益 2021-2026（百万米ドル）
図40. アメリカ大陸国別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2026）
図41. アメリカ大陸国別GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
図42. アメリカ大陸種類別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図43. アメリカ大陸用途別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図44. 米国GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図45. カナダGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図46. メキシコGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図47. ブラジルGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図48. アジア太平洋地域別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2026）
図49. アジア太平洋地域別GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
図50. 種類別アジア太平洋GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図51. 用途別アジア太平洋GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図52. 中国GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図53. 日本GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図54. 韓国GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図55. 東南アジアGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図56. インドGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図57. オーストラリアGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図58. 中国台湾GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図59. ヨーロッパ国別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2026）
図60. ヨーロッパ国別GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア（2021-2026）
図61. ヨーロッパ種類別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図62. ヨーロッパ用途別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図63. ドイツGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図64. フランスGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図65. 英国GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図66. イタリアGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図67. ロシアGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図68. 中東・アフリカ国別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図69. 中東・アフリカ種類別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図70. 中東・アフリカ用途別GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア（2021-2026）
図71. エジプトGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図72. 南アフリカGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図73. イスラエルGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図74. トルコGaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図75. GCC諸国GaN-On-SiCデバイス収益成長 2021-2026（百万米ドル）
図76. GaN-On-SiCデバイス製造コスト構造分析（2026）
図77. GaN-On-SiCデバイス製造工程分析
図78. GaN-On-SiCデバイス産業チェーン構造
図79. 流通チャネル
図80. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場予測（2027-2032）
図81. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア予測（2027-2032）
図82. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア予測（2027-2032）
図83. 種類別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア予測（2027-2032）
図84. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス売上市場シェア予測（2027-2032）
図85. 用途別世界GaN-On-SiCデバイス収益市場シェア予測（2027-2032）
| ※GaN-On-SiCデバイスは、窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）を基盤とした半導体デバイスの一種です。このデバイスは主に高周波や高出力、さらには高温での動作が要求される電子機器に用いられます。GaNはその高い電子移動度や、広いバンドギャップを持っているため、効率的なエネルギー変換が可能です。一方、SiCは高い耐熱性や高い耐圧特性を持ち、特に高電圧アプリケーションでの使用に適しています。この二つの材料の組み合わせにより、GaN-On-SiCデバイスは高度な性能を発揮します。 このデバイスにはいくつかの種類があります。代表的なものには、GaN-On-SiC HEMT（高電子移動度トランジスタ）があり、これが最も一般的なGaN-On-SiCデバイスの形式です。HEMTは、高いゲインと大きな出力電力を持つため、通信機器やレーダーシステムでの用途が広がっています。また、GaN-On-SiCのダイオードもあります。このダイオードは、高速でのスイッチング特性と低い導通損失を備えており、電源回路や無線周波数アプリケーションに利用されています。 GaN-On-SiCデバイスの主な用途は、通信業界、電力電子デバイス、自動車産業、さらには衛星通信など、多岐にわたります。特に、4Gや5Gの移動通信システムでは、高周波数と大出力が要求されるため、GaN-On-SiC HEMTが重要な役割を果たしています。また、電力変換装置においても、GaN-On-SiC技術は、エネルギー効率や小型化を実現するために必要不可欠な技術です。 さらに、GaN-On-SiC技術には、いくつかの関連技術があります。まず、フェーズドアレイアンテナ技術があります。これは、GaN-On-SiCデバイスによって実現される高出力密度を利用し、効率的に信号を送受信できるシステムを構築します。また、高度なスパイク放電技術との統合により、デバイスはより高い性能を発揮することができます。これにより、ミリ波通信やレーダー技術における新たな可能性が広がります。 GaN-On-SiCデバイスでは、製造プロセスも重要です。特に、GaN膜をSiC基板上に成長させる技術は、デバイス性能に直接影響を与えます。さまざまな成長手法が利用されていますが、金属有機化学気相成長（MOCVD）が一般的です。この方法により、均一で高品質なGaN膜の製造が可能となり、デバイスの信頼性と性能を向上させます。 将来的には、GaN-On-SiC技術のさらなる進展が期待されています。特に、車載用電力変換装置や次世代の通信システム、高効率な再生可能エネルギーの取り組みにおいて、その利用範囲は広がるでしょう。この技術は、エネルギー効率の向上と地球環境の保護に寄与することができるため、持続可能な社会の実現にも繋がります。 結論として、GaN-On-SiCデバイスは高性能な電子機器の実現に向けて欠かせない技術であり、通信、電力変換、自動車など多くの分野で革新的な変化をもたらしています。設計者やエンジニアは、GaN-On-SiCデバイスの特性を理解し、最適な応用を追求することで、将来の技術革新を支える重要な役割を果たすことができるでしょう。 |
• 日本語訳：GaN-On-SiCデバイスのグローバル市場予測2026-2032（タイプ別：GaN HEMT、GaN MMIC)
• レポートコード：MRCLPR8NB11523 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）