 | • レポートコード：MRCLPR8NB13851 • 出版社/出版日：LP Information / 2026年11月 • レポート形態：英文、PDF、109ページ • 納品方法：Eメール（納期：2-3営業日） • 産業分類：Electronics & Semiconductor |
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レポート概要
【調査レポートの概要】
世界のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場の規模は、2025年の8577万米ドルから2032年には3億5500万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年の間に年平均成長率（CAGR）22.9％で拡大すると見込まれています。
Si基板材料の使用により、GaNは大口径のシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長が可能であり、従来のSiプロセスと互換性を持つという利点があります。これにより、パワー半導体技術の開発に理想的な選択肢となっています。Si基板上GaN HEMTエピタキシャルには、通常オン型の減少型（D型）と通常オフ型の増強型（E型）の2種類があります。
Si基板上GaNの主な特徴は、基板がSiであり、GaNがエピタキシャルであることです。シリコン基板は安価で製造コストが低く、大量生産が可能であり、高いエネルギー密度を持ち、ウェーハのサイズを非常に大きくすることが可能です。現在、ウェーハのサイズは主に6インチですが、8インチもあります。
LPインフォメーション社（LPI）の最新研究レポート「Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ産業予測」では、過去の販売実績を分析し、2025年の世界のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売量を調査しています。また、2026年から2032年にかけての地域別および市場部門別の販売予測を包括的に分析しています。地域別、市場部門およびサブセクター別に分割したSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの販売額を米ドル単位で詳細に分析しています。
本インサイトレポートは、世界のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの市場状況について包括的に分析し、製品のセグメンテーション、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向、およびM&A動向に関する主要なトレンドを浮き彫りにします。また、主要なグローバル企業の戦略を分析し、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品群や技術力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開に焦点を当て、これら企業が加速する世界市場においてどのような独自の立ち位置にあるかを理解します。
本インサイトレポートは、世界のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場の主要トレンド、成長要因および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地理別、市場規模別に予測を分類して、新たな成長機会の浮上部分を明示します。数百にのぼるボトムアップの定性・定量的市場データに基づいた透明性の高い手法により、本調査予測は現在の状況および将来の動向に関して非常に詳細な見解を提供します。
本レポートは、製品タイプ、用途、主要製造企業、主要地域および国別にSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場の全体像、市場シェア、成長機会を包括的に示します。
【タイプ別セグメンテーション】
・4インチ
・6インチ
・その他
【用途別セグメンテーション】
・GaN RFデバイス
・GaNパワーデバイス
【地域別市場区分】
・アメリカ大陸
─ アメリカ合衆国
─ カナダ
─ メキシコ
─ ブラジル
・アジア太平洋（APAC）
─ 中国
─ 日本
─ 韓国
─ 東南アジア
─ インド
─ オーストラリア
・ヨーロッパ
─ ドイツ
─ フランス
─ イギリス
─ イタリア
─ ロシア
・中東・アフリカ
─ エジプト
─ 南アフリカ
─ イスラエル
─ トルコ
─ GCC諸国
【企業プロファイル対象一覧】
本レポートで分析対象として選定された企業は、一次専門家からの情報収集および企業のカバレッジ、製品ポートフォリオ、市場浸透率の分析に基づいています。
・IQE
・DOWA Electronics
・CETC13
・CETC55
・Soitec（EpiGaN）
・NTT-AT
・BTOZ
・Episil-Precision Inc
・Epistar Corp
・Enkris Semiconductor Inc
・Innoscience
・Runxin Microelectronics
・CorEnergy
・Qingdao Cohenius Microelectronics
・Shaanxi Yuteng Electronic Technology
【本レポートで回答する主要な質問】
・世界のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場の今後10年間の見通しは？
・世界および地域別にSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場の成長を促進する要因は何か？
・どの技術が市場および地域別に最も速い成長を遂げる見込みか？
・エンド市場規模によってSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの市場機会はどのように変化するか？
・Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハはタイプ別、用途別にどのように分類されるか？
1 報告書の範囲
1.1 市場紹介
1.2 対象年
1.3 調査目的
1.4 市場調査方法論
1.5 調査プロセスおよびデータソース
1.6 経済指標
1.7 通貨の考慮
1.8 市場推定に関する注意点
2 エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場の概要
2.1.1 世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間販売高 2021-2032
2.1.2 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの現状および将来分析 2021, 2025 & 2032
2.1.3 国別/地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの現状および将来分析 2021, 2025 & 2032
2.2 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場セグメント
2.2.1 4インチ
2.2.2 6インチ
2.2.3 その他
2.2.4 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売状況
2.2.4.1 2021-2026年種類別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア
2.2.4.2 2021-2026年種類別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益および市場シェア
2.2.4.3 2021-2026年種類別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格
2.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場セグメント
2.3.1 GaN RFデバイス
2.3.2 GaNパワーデバイス
2.3.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売状況
2.3.3.1 2021-2026年用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア
2.3.3.2 2021-2026年用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益および市場シェア
2.3.3.3 2021-2026年用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格
3 企業別世界市場
3.1 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ分解データ
3.1.1 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間販売高 (2021-2026)
3.1.2 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア (2021-2026)
3.2 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間収益 (2021-2026)
3.2.1 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益 (2021-2026)
3.2.2 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益市場シェア (2021-2026)
3.3 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格
3.4 主要製造業者のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ生産地域分布、販売地域、製品種類
3.4.1 主要製造業者Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品所在地分布
3.4.2 競合企業のSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ提供製品
3.5 市場集中率分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 集中率（CR3、CR5、CR10）分析 (2024-2026)
3.6 新製品および潜在的参入者
3.7 市場のM&A活動および戦略
4 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ世界過去レビュー
4.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場規模の世界過去実績 (2021-2026)
4.1.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間販売高 (2021-2026)
4.1.2 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間収益 (2021-2026)
4.2 国別／地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場規模の世界過去実績 (2021-2026)
4.2.1 国別／地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間販売高 (2021-2026)
4.2.2 国別／地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間収益 (2021-2026)
4.3 アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売成長
4.4 アジア太平洋地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売成長
4.5 ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売成長
4.6 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売成長
5 アメリカ地域
5.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売
5.1.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売高 (2021-2026)
5.1.2 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益 (2021-2026)
5.2 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
5.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋地域 (APAC)
6.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売
6.1.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売高 (2021-2026)
6.1.2 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益 (2021-2026)
6.2 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
6.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 台湾（中国）
7 ヨーロッパ
7.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売
7.1.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売高 (2021-2026)
7.1.2 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益 (2021-2026)
7.2 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
7.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売
8.1.1 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売高 (2021-2026)
8.1.2 国別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ収益 (2021-2026)
8.2 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
8.3 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売 (2021-2026)
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場の促進要因、課題、およびトレンド
9.1 市場促進要因および成長機会
9.2 市場課題およびリスク
9.3 業界トレンド
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料および供給業者
10.2 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの製造コスト構造分析
10.3 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの製造プロセス分析
10.4 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの産業チェーン構造
11 マーケティング、流通業者および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの流通業者
11.3 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの顧客
12 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ世界予測レビュー
12.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ市場規模予測
12.1.1 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ予測 (2027-2032)
12.1.2 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間収益予測 (2027-2032)
12.2 アメリカ地域国別予測 (2027-2032)
12.3 アジア太平洋地域地域別予測 (2027-2032)
12.4 ヨーロッパ地域国別予測 (2027-2032)
12.5 中東・アフリカ地域国別予測 (2027-2032)
12.6 種類別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ予測 (2027-2032)
12.7 用途別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ予測 (2027-2032)
13 主要企業分析
13.1 IQE
13.1.1 IQE 企業情報
13.1.2 IQE Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.1.3 IQE Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.1.4 IQE 主な事業概要
13.1.5 IQE 最新開発動向
13.2 DOWA Electronics
13.2.1 DOWA Electronics 企業情報
13.2.2 DOWA Electronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.2.3 DOWA Electronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.2.4 DOWA Electronics 主な事業概要
13.2.5 DOWA Electronics 最新開発動向
13.3 CETC13
13.3.1 CETC13 企業情報
13.3.2 CETC13 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.3.3 CETC13 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.3.4 CETC13 主な事業概要
13.3.5 CETC13 最新開発動向
13.4 CETC55
13.4.1 CETC55 企業情報
13.4.2 CETC55 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.4.3 CETC55 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.4.4 CETC55 主な事業概要
13.4.5 CETC55 最新開発動向
13.5 Soitec (EpiGaN)
13.5.1 Soitec (EpiGaN) 企業情報
13.5.2 Soitec (EpiGaN) Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.5.3 Soitec (EpiGaN) Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.5.4 Soitec (EpiGaN) 主な事業概要
13.5.5 Soitec (EpiGaN) 最新開発動向
13.6 NTT-AT
13.6.1 NTT-AT 企業情報
13.6.2 NTT-AT Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.6.3 NTT-AT Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.6.4 NTT-AT 主な事業概要
13.6.5 NTT-AT 最新開発動向
13.7 BTOZ
13.7.1 BTOZ 企業情報
13.7.2 BTOZ Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.7.3 BTOZ Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.7.4 BTOZ 主な事業概要
13.7.5 BTOZ 最新開発動向
13.8 Episil-Precision Inc
13.8.1 Episil-Precision Inc 企業情報
13.8.2 Episil-Precision Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.8.3 Episil-Precision Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.8.4 Episil-Precision Inc 主な事業概要
13.8.5 Episil-Precision Inc 最新開発動向
13.9 Epistar Corp
13.9.1 Epistar Corp 企業情報
13.9.2 Epistar Corp Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.9.3 Epistar Corp Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.9.4 Epistar Corp 主な事業概要
13.9.5 Epistar Corp 最新開発動向
13.10 Enkris Semiconductor Inc
13.10.1 Enkris Semiconductor Inc 企業情報
13.10.2 Enkris Semiconductor Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.10.3 Enkris Semiconductor Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.10.4 Enkris Semiconductor Inc 主な事業概要
13.10.5 Enkris Semiconductor Inc 最新開発動向
13.11 Innoscience
13.11.1 Innoscience 企業情報
13.11.2 Innoscience Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.11.3 Innoscience Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.11.4 Innoscience 主な事業概要
13.11.5 Innoscience 最新開発動向
13.12 Runxin Microelectronics
13.12.1 Runxin Microelectronics 企業情報
13.12.2 Runxin Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.12.3 Runxin Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.12.4 Runxin Microelectronics 主な事業概要
13.12.5 Runxin Microelectronics 最新開発動向
13.13 CorEnergy
13.13.1 CorEnergy 企業情報
13.13.2 CorEnergy Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.13.3 CorEnergy Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.13.4 CorEnergy 主な事業概要
13.13.5 CorEnergy 最新開発動向
13.14 Qingdao Cohenius Microelectronics
13.14.1 Qingdao Cohenius Microelectronics 企業情報
13.14.2 Qingdao Cohenius Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.14.3 Qingdao Cohenius Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.14.4 Qingdao Cohenius Microelectronics 主な事業概要
13.14.5 Qingdao Cohenius Microelectronics 最新開発動向
13.15 Shaanxi Yuteng Electronic Technology
13.15.1 Shaanxi Yuteng Electronic Technology 企業情報
13.15.2 Shaanxi Yuteng Electronic Technology Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
13.15.3 Shaanxi Yuteng Electronic Technology Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売、収益、価格および粗利益率 (2021-2026)
13.15.4 Shaanxi Yuteng Electronic Technology 主な事業概要
13.15.5 Shaanxi Yuteng Electronic Technology 最新開発動向
14 調査結果および結論
【調査レポートの図表一覧】表一覧
表1. 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間売上高CAGR（2021年、2025年、2032年）および（百万ドル）
表2. 国・地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ年間売上高CAGR（2021年、2025年、2032年）および（百万ドル）
表3. 4インチ 主要プレイヤー
表4. 6インチ 主要プレイヤー
表5. その他 主要プレイヤー
表6. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年～2026年）および（個）
表7. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
表8. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表9. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
表10. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格（2021年～2026年）および（USD/個）
表11. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年～2026年）および（個）
表12. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
表13. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表14. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
表15. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格（2021年～2026年）および（USD/個）
表16. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年～2026年）および（個）
表17. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
表18. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表19. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
表20. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売価格（2021年～2026年）および（USD/個）
表21. 主要メーカーSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ生産地域分布および販売地域
表22. プレイヤーSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品展開
表23. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ集中度比率（CR3、CR5、CR10）および（2024年～2026年）
表24. 新製品および潜在参入者
表25. 市場M&A活動および戦略
表26. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年～2026年）および（個）
表27. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
表28. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表29. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
表30. 国・地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年～2026年）および（個）
表31. 国・地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
表32. 国・地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表33. 国・地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
表34. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売数（2021年～2026年）および（個）
表35. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売市場シェア（2021年～2026年）
表36. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表37. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売数（2021年～2026年）および（個）
表38. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売数（2021年～2026年）および（個）
表39. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別販売数（2021年～2026年）および（個）
表40. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別販売市場シェア（2021年～2026年）
表41. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表42. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売数（2021年～2026年）および（個）
表43. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売数（2021年～2026年）および（個）
表44. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売数（2021年～2026年）および（個）
表45. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高（2021年～2026年）および（百万ドル）
表46. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売数（2021年～2026年）および（個）
表47. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売数（2021年～2026年）および（個）
表48. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売数（2021年～2026年）および（個）
表49. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表50. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売数（2021年～2026年）および（個）
表51. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売数（2021年～2026年）および（個）
表52. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの主要市場推進要因および成長機会
表53. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの主要市場課題およびリスク
表54. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの主要業界トレンド
表55. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの原材料
表56. 原材料の主要サプライヤー
表57. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの流通業者リスト
表58. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハの顧客リスト
表59. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売予測（2027年～2032年）および（個）
表60. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表61. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売予測（2027年～2032年）および（個）
表62. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別年間売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表63. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別販売予測（2027年～2032年）および（個）
表64. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別年間売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表65. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売予測（2027年～2032年）および（個）
表66. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表67. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売予測（2027年～2032年）および（個）
表68. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表69. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売予測（2027年～2032年）および（個）
表70. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表71. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売予測（2027年～2032年）および（個）
表72. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高予測（2027年～2032年）および（百万ドル）
表73. IQE 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表74. IQE Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表75. IQE Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表76. IQE 主な事業内容
表77. IQE 最新の動向
表78. DOWA Electronics 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表79. DOWA Electronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表80. DOWA Electronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表81. DOWA Electronics 主な事業内容
表82. DOWA Electronics 最新の動向
表83. CETC13 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表84. CETC13 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表85. CETC13 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表86. CETC13 主な事業内容
表87. CETC13 最新の動向
表88. CETC55 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表89. CETC55 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表90. CETC55 Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表91. CETC55 主な事業内容
表92. CETC55 最新の動向
表93. Soitec (EpiGaN) 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表94. Soitec (EpiGaN) Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表95. Soitec (EpiGaN) Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表96. Soitec (EpiGaN) 主な事業内容
表97. Soitec (EpiGaN) 最新の動向
表98. NTT-AT 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表99. NTT-AT Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表100. NTT-AT Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表101. NTT-AT 主な事業内容
表102. NTT-AT 最新の動向
表103. BTOZ 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表104. BTOZ Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表105. BTOZ Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表106. BTOZ 主な事業内容
表107. BTOZ 最新の動向
表108. Episil-Precision Inc 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表109. Episil-Precision Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表110. Episil-Precision Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表111. Episil-Precision Inc 主な事業内容
表112. Episil-Precision Inc 最新の動向
表113. Epistar Corp 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表114. Epistar Corp Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表115. Epistar Corp Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表116. Epistar Corp 主な事業内容
表117. Epistar Corp 最新の動向
表118. Enkris Semiconductor Inc 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表119. Enkris Semiconductor Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表120. Enkris Semiconductor Inc Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表121. Enkris Semiconductor Inc 主な事業内容
表122. Enkris Semiconductor Inc 最新の動向
表123. Innoscience 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表124. Innoscience Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表125. Innoscience Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表126. Innoscience 主な事業内容
表127. Innoscience 最新の動向
表128. Runxin Microelectronics 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表129. Runxin Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表130. Runxin Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表131. Runxin Microelectronics 主な事業内容
表132. Runxin Microelectronics 最新の動向
表133. CorEnergy 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表134. CorEnergy Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表135. CorEnergy Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表136. CorEnergy 主な事業内容
表137. CorEnergy 最新の動向
表138. Qingdao Cohenius Microelectronics 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表139. Qingdao Cohenius Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表140. Qingdao Cohenius Microelectronics Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表141. Qingdao Cohenius Microelectronics 主な事業内容
表142. Qingdao Cohenius Microelectronics 最新の動向
表143. Shaanxi Yuteng Electronic Technology 基本情報、Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造拠点、販売地域および競合他社
表144. Shaanxi Yuteng Electronic Technology Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製品ポートフォリオおよび仕様
表145. Shaanxi Yuteng Electronic Technology Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（個）、売上高（百万ドル）、価格（USD/個）および粗利率（2021年～2026年）
表146. Shaanxi Yuteng Electronic Technology 主な事業内容
表147. Shaanxi Yuteng Electronic Technology 最新の動向
図一覧
図1. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ画像
図2. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ調査対象年度
図3. 研究目的
図4. 研究方法論
図5. 調査プロセスおよびデータソース
図6. 世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売成長率 2021年～2032年（個）
図7. 世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長率 2021年～2032年（百万ドル）
図8. 地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2021年、2025年、2032年）および（百万ドル）
図9. 国・地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2025年）
図10. 国・地域別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年、2025年、2032年）
図11. 4インチ製品画像
図12. 6インチ製品画像
図13. その他製品画像
図14. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2026年）
図15. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2021年～2026年）
図16. GaN RF デバイスに消費されるSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ
図17. GaN RF デバイス向けSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ世界市場（2021年～2026年）（個）
図18. GaNパワーデバイスに消費されるSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ
図19. GaNパワーデバイス向けSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ世界市場（2021年～2026年）（個）
図20. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2025年）
図21. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2026年）
図22. 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数（2026年）（個）
図23. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2026年）
図24. 企業別Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高（2026年）（百万ドル）
図25. 企業別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2026年）
図26. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア（2021年～2026年）
図27. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア（2026年）
図28. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数 2021年～2026年（個）
図29. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高 2021年～2026年（百万ドル）
図30. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数 2021年～2026年（個）
図31. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高 2021年～2026年（百万ドル）
図32. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数 2021年～2026年（個）
図33. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高 2021年～2026年（百万ドル）
図34. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売数 2021年～2026年（個）
図35. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高 2021年～2026年（百万ドル）
図36. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売市場シェア（2026年）
図37. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図38. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売市場シェア（2021年～2026年）
図39. アメリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売市場シェア（2021年～2026年）
図40. 米国Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図41. カナダSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図42. メキシコSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図43. ブラジルSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図44. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別販売市場シェア（2026年）
図45. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ地域別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図46. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売市場シェア（2021年～2026年）
図47. APAC地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売市場シェア（2021年～2026年）
図48. 中国Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図49. 日本Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図50. 韓国Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図51. 東南アジアSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図52. インドSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図53. オーストラリアSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図54. 台湾Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図55. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売市場シェア（2026年）
図56. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図57. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売市場シェア（2021年～2026年）
図58. ヨーロッパ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売市場シェア（2021年～2026年）
図59. ドイツSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図60. フランスSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図61. 英国Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図62. イタリアSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図63. ロシアSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図64. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ国別販売市場シェア（2021年～2026年）
図65. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハタイプ別販売市場シェア（2021年～2026年）
図66. 中東・アフリカ地域Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ用途別販売市場シェア（2021年～2026年）
図67. エジプトSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図68. 南アフリカSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図69. イスラエルSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図70. トルコSi基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図71. GCC諸国Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高成長 2021年～2026年（百万ドル）
図72. 2026年Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造コスト構成分析
図73. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ製造プロセス分析
図74. Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ産業チェーン構造
図75. 流通チャネル
図76. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場予測（2027年～2032年）
図77. 地域別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア予測（2027年～2032年）
図78. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア予測（2027年～2032年）
図79. タイプ別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア予測（2027年～2032年）
図80. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ販売市場シェア予測（2027年～2032年）
図81. 用途別世界Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハ売上高市場シェア予測（2027年～2032年）
| ※GaN HEMTエピタキシャルウェーハは、シリコン（Si）基板上にガリウムナイトライド（GaN）を成長させた半導体デバイスで、高電子移動度トランジスタ（HEMT）に特化した構造を持っています。この技術は、高効率、高出力、広帯域幅の性能が求められる分野で非常に注目されています。GaNはバンドギャップが広く、優れた高温動作特性や高電圧耐性を持っているため、高出力アンプやスイッチング素子としての応用が広がっています。 GaN HEMTエピタキシャルウェーハの種類としては、主に以下のようなものがあります。まず一つ目は、常用のGaN HEMTウェーハです。これは、一般的なRF（高周波）アプリケーションや電力供給システムに使用されるもので、幅広い周波数範囲で優れた性能を発揮します。二つ目は、GaN-on-SiC（シリコンカーバイド）ウェーハです。SiCは熱伝導性が良く、高出力アプリケーションに向いているため、特に高周波数かつ高出力の要求がある場合に選ばれることがあります。三つ目は、バルクGaNウェーハです。これは、通常のシリコン基板から分離されたGaN基板で、デバイス性能を最大限に引き出すことができます。 GaN HEMTの用途は多岐にわたります。まず、通信分野では、5G通信基地局や衛星通信システムの高出力アンプに利用され、高周波数での信号処理が可能です。また、電力変換器やAC-DCコンバータなどの電力分野でも広く利用されており、効率的な電源供給が求められる場合に最適です。さらに、産業機械や自動車などの分野でも、電動機の駆動や電力制御に使われることが増えています。 GaN HEMTエピタキシャルウェーハに関連する技術としては、エピタキシー技術があります。主に金属有機化学気相成長（MOCVD）法や分子線エピタキシー（MBE）法が用いられ、これにより高品質なGaN層がウエハに成長されます。特にMOCVD法は、良好な均一性とスケールアップが可能なため、商業的な生産において広く使われています。 また、GaN HEMTの基盤となる材料技術も重要です。Si基板にGaNを成長させる場合、SiとGaNの熱膨張係数の違いによる応力や欠陥の問題が発生することがあるため、これを克服するためのバッファ層の設計や、薄膜技術などの進展が求められます。これにより、デバイスの信頼性や性能が向上します。 将来的には、GaN HEMTエピタキシャルウェーハの技術はさらに進化すると予想されます。より高出力、高効率、小型化が求められる中で、新しい材料や製造プロセスが探索されており、それによって、新しいアプリケーションの開発が期待されます。特に、電気自動車や再生可能エネルギー関連の技術において、その重要性が一層増していくことが考えられます。 このように、GaN HEMTエピタキシャルウェーハは、現代の電子技術において非常に重要な役割を果たしており、その性能やや応用範囲は拡大し続けています。シリコン基板を利用することで製造コストの削減が期待される中、高性能を実現するための様々な技術が進化を遂げているのです。今後もGaN HEMTの技術革新が新たな市場を開拓していくことが期待されます。 |
• 日本語訳：Si基板上GaN HEMTエピタキシャルウェーハのグローバル市場予測2026-2032（種類別：4インチ、6インチ、その他)
• レポートコード：MRCLPR8NB13851 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）