 | • レポートコード：MRC6TCOQ02274 • 出版社/出版日：QYResearch / 2026年10月 • レポート形態：英文、PDF、163ページ • 納品方法：Eメール（納期：3営業日） • 産業分類：エネルギー＆電力 |
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レポート概要
世界のAIサーバー電源用GaNパワーデバイス市場は、2025年の6,200万米ドルから2032年までに4億4,900万米ドルへと、年平均成長率（CAGR）30.5%（2026年～2032年）で成長すると予測されています。これは、重要な製品セグメントと多様な最終用途アプリケーションによって推進されます。
AIサーバー電源用GaNパワーデバイスは、AIサーバーPSUおよび高密度電力供給アーキテクチャで使用される窒化ガリウムパワー半導体であり、主にディスクリートGaN FET、ドライバー統合型GaNパワーステージ、およびGaNパワーICを含みます。
これらのデバイスは、力率改善段、LLCおよび絶縁型DC-DC変換、48V/54V中間バス変換、および補助電源に導入されます。これらの用途では、高いスイッチング周波数、低いスイッチング損失、および無視できる逆回復損失が、高出力CRPSおよびOCPサーバー電源における高い変換効率と電力密度をサポートします。
主流の高電圧製品は現在、600～700Vクラスに集中しており、100～150Vのデバイスは48Vバス関連のDC-DC段に対応しています。新興の800V DCアーキテクチャ向けの高電圧GaNデバイスは、開発および認定段階を進んでいます。
この市場は、クラウド、コロケーション、エンタープライズ、通信、および研究データセンター向けAIサーバー電源の主要なスイッチングデバイスとして販売されるGaNパワー半導体に焦点を当てています。
平均粗利益率は約45%です。
**市場動向**
アクセラレーター電力、GPU密度、およびラックレベルの負荷の増加により、サーバー電源は従来の3kW設計を超え、4.5～8.5kW以上の高電力密度プラットフォームへと移行しています。
したがって、GaNは効率性のみの提案から、磁気部品の小型化、PSU体積の削減、および高周波過渡応答の改善のためのシステムレベルのツールへと移行しています。
650Vクラスは高周波絶縁型DC-DC段において引き続き中心的であり、一方、100～150Vデバイスは48V/54Vバスアーキテクチャにおいて重要性を増しています。
新興の800V DCシステムを対象とした高電圧GaNは、AIインフラがメガワット規模のラックへと移行するにつれて、次の技術的拡張を表します。
**推進要因**
より高いAIアクセラレーター電力がPSU出力および電力密度の要件を高めており、一方でデータセンター事業者と電源ベンダーは、80 PLUS TitaniumおよびRubyなどの厳格な効率レベルと、より低い施設PUEを引き続き目標としています。
GaNは高周波でのスイッチング損失を低減し、より小さな磁気部品を可能にするため、PSU設計者は確立されたCRPSおよびOCPフォームファクター内で定格電力を高めることができます。
これにより、GaNは高密度AIサーバー電力システムにとってますます重要なアップグレードパスとなっています。
**阻害要因**
GaNは、成熟したシリコンソリューションと比較して、依然として高いデバイスコスト、より要求の厳しいゲート駆動およびEMI設計要件、熱管理の制約、およびより長いミッションプロファイル認定を伴います。
より高い電圧および電力レベルでは、設計者は効率性、堅牢性、およびシステムコストに関して、GaNとSiCのバランスを取る必要があります。
最適化されたスーパージャンクションMOSFETは、一部の低電力サーバー電源において経済的に魅力的であり続けているため、均一な置き換えではなく、トポロジーとパワーステージによって採用が進んでいます。
**機会**
4.5kWを超えるPSU、OCPパワーシェルフ、および48V/54V中間バス変換は、最も明確な短期的な成長分野です。
AIラックが数百キロワットを超えていくにつれて、800V DCアーキテクチャは、従来の650Vクラスを超えるGaN、より統合されたパワーステージ、および補助電源ICに対する新たな需要を生み出す可能性があります。
上面または両面熱設計およびより高い機能統合もまた、コンポーネント数と冷却システム容積を削減しながらデバイスの価値を高めるための供給業者への道筋を提供します。
**課題**
AIサーバーアーキテクチャは急速に進化しており、PSU電圧、出力電力、フォームファクター、およびトポロジーの標準はまだ固定されていません。
デバイスサプライヤーは、効率性、信頼性、短絡堅牢性、熱性能、および供給セキュリティの期待を同時に満たす必要があります。
もしSiCが800Vアーキテクチャの主要な変換段においてより強力なコスト性能の地位を確立すれば、GaNは低電圧および高周波段に集中したままとなる可能性があります。
ウェーハ容量、高度なパッケージングの可用性、および長期にわたる顧客認定も、新規サプライヤーの生産立ち上げ速度を制約する可能性があります。
**産業チェーン分析**
アップストリームチェーンには、GaNエピタキシー、シリコンまたは代替基板、ウェーハプロセス、金属およびパッケージング材料、そしてサポートするドライバーおよび制御ICが含まれます。
ミッドストリームでは、GaN IDM、ファブレスデバイス設計者、ファウンドリパートナー、および外部委託された組み立て・テストプロバイダーが組み合わさって、ディスクリートデバイス、パワーステージ、および統合型パワーICを製造します。
ダウンストリームでは、これらのコンポーネントはサーバーPSU、パワーモジュール、およびパワーアーキテクチャメーカーへと入り、その後、クラウド、コロケーション、エンタープライズ、通信、および研究データセンター全体のAIサーバーおよびラックシステムに導入されます。
価値創造は、特に高電力密度プラットフォームにおいて、トランジスタレベルの性能指数から、デバイス、ドライバー、パッケージの熱経路、PCBレイアウト、制御、およびリファレンス設計の共同最適化へとますます移行しています。
**セグメントの洞察**
電圧および製品形態別では、650Vのディスクリートデバイスとドライバー統合型パワーステージが、特に高周波LLCおよび関連する変換段において、現在高電圧市場の中核を形成しています。
低電圧100～150VのGaNは、電流密度とスイッチング周波数が重要な48Vバス変換において、より速く成長しています。
統合型GaNパワーステージとパワーICは、統合されたドライバー、保護機能、およびセンシングが寄生要素と設計の複雑さを軽減するため、シェアを拡大しています。
高電圧GaNは依然として新興セグメントですが、800V DCアーキテクチャが発展するにつれて、戦略的重要性は増しています。
**下流市場の機会**
ハイパースケールクラウドデータセンターは、ラック電力、エネルギー効率、保守性、および安全な大量供給に調達決定が重きを置かれるため、最も強力な需要源です。
コロケーション事業者は、AIコンピューティングのリースがより高密度なキャビネットとラックあたりのより高い電力を推進するため、別の成長チャネルです。
エンタープライズ、通信、政府、および研究の導入は、信頼性とライフサイクルコストにより重点を置きながら、より着実なペースで進んでいます。
高電圧PSU段と48Vクラス変換の両方に対応し、完全なリファレンスデザインを提供できるサプライヤーは、大規模なパワープラットフォームの認定においてより有利な立場にあります。
**地域別の洞察**
北米は、AIサーバーおよびハイパースケールデータセンター建設において最も需要が集中している地域の一つであり、高出力CRPS/OCP電源および新興の800Vアーキテクチャの初期の推進力となっています。
アジア太平洋地域は、GaNウェーハプロセス、パッケージング、サーバーPSU ODM、およびAIサーバーシステムサプライチェーン全体において強力な製造拠点を持ち、中国、日本、韓国、台湾が主要な生産ハブとして機能しています。
欧州は下流の販売量では小さいですが、パワー半導体技術、専門的なGaNサプライヤー、および高効率電力変換エンジニアリングにおいて重要であり続けています。
**競争環境分析**
多角的なパワー半導体ベンダーと専門のGaNサプライヤーとの間で競争が展開されています。
大手統合型ベンダーは、ウェーハ製造、パッケージング、ドライバーおよびコントローラーのポートフォリオ、リファレンスデザイン、そしてグローバルアカウントサポートを活用していますが、GaNに特化した企業は、より低いオン抵抗、より高い統合度、独自の熱パッケージ、および高周波システム専門知識を通じて競争しています。
AI PSU顧客が個々のトランジスタの評価から、完全なパワーステージの効率性、熱特性、EMI、信頼性、および製造可能性の検証へと移行するにつれて、競争上の優位性は、デバイス仕様のみに依存するのではなく、システムレベルのエンジニアリングサポート、生産の一貫性、認定実績、および長期的な供給能力にますます依存するようになります。
**レポートの範囲**
この決定版レポートは、ビジネスリーダー、意思決定者、およびステークホルダーに、世界のAIサーバー電源用GaNパワーデバイス市場の360°ビューを提供し、バリューチェーン全体の生産能力と販売実績をシームレスに統合します。
本レポートは、過去の生産、収益、および販売データ（2021年～2025年）を分析し、2032年までの予測を提供することで、需要トレンドと成長ドライバーを明らかにします。
市場をタイプ別とアプリケーション別にセグメント化することにより、本調査は、数量と価値、成長率、技術革新、ニッチな機会、および代替リスクを定量化し、下流顧客の分布パターンを分析します。
詳細な地域別洞察は、5つの主要市場（北米、欧州、APAC、南米、およびMEA）を対象とし、20以上の国の詳細な分析を含みます。
各地域の主要製品、競争環境、および下流需要トレンドが明確に詳細化されています。
重要な競争インテリジェンスは、製造業者（容量、販売量、収益、マージン、価格戦略、および主要顧客）をプロファイルし、製品ライン、アプリケーション、および地域にわたるトッププレイヤーのポジショニングを分析して、戦略的強みを明らかにします。
簡潔なサプライチェーンの概要は、アップストリームサプライヤー、製造技術、コスト構造、および流通ダイナミクスをマッピングし、戦略的ギャップと未充足の需要を特定します。
**[市場セグメンテーション]**
**企業別**
インフィニオンテクノロジーズ
ナビタスセミコンダクター
イノサイエンス
ルネサスエレクトロニクス
テキサスインスツルメンツ
ネクスペリア
ローム
STマイクロエレクトロニクス
エフィシエントパワーコンバージョン
ケンブリッジGaNデバイス
パワーインテグレーションズ
アルファ・アンド・オメガセミコンダクター
ワイズインテグレーション
**タイプ別セグメント**
ディスクリートGaN FET
統合型GaNパワーステージ
GaNパワーIC
**電圧定格別セグメント**
150V以下
151～650V
651～1200V
1200V超
**オン抵抗別セグメント**
20mΩ以下
20～50mΩ超
50～100mΩ超
100mΩ超
**アプリケーション別セグメント**
クラウドおよびコロケーション
政府および研究
通信
その他
**地域別売上**
北米
米国
カナダ
メキシコ
アジア太平洋
中国
日本
韓国
インド
中国台湾
東南アジア（インドネシア、ベトナム、タイ）
その他のアジア地域
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中南米
ブラジル
アルゼンチン
その他の中南米地域
中東、アフリカ
トルコ
エジプト
GCC諸国
南アフリカ
その他の中東・アフリカ地域
**[章構成]**
**第1章：** AIサーバー電源用GaNパワーデバイスの調査範囲を定義し、市場をタイプ別およびアプリケーション別などにセグメント化し、セグメント規模と成長の可能性を強調します。
**第2章：** 現在の市場状況を提供し、2032年までの世界の収益、販売、および生産を予測し、高消費地域と新興市場の触媒を特定します。
**第3章：** メーカーの状況を分析します。数量と収益別にランク付けし、収益性と価格設定を分析し、生産拠点をマッピングし、製品タイプ別のメーカーのパフォーマンスを詳細に記述し、M&Aの動きとともに集中度を評価します。
**第4章：** 高マージン製品セグメントを明らかにします。販売、収益、ASP、および技術的差別化要因を比較し、成長ニッチと代替リスクを強調します。
**第5章：** 下流市場の機会をターゲットにします。アプリケーション別に販売、収益、および価格を評価し、新たなユースケースを特定し、地域別およびアプリケーション別に主要顧客をプロファイルします。
**第6章：** 世界の生産能力、稼働率、および市場シェア（2021年～2032年）をマッピングし、効率的なハブを特定し、規制/貿易政策の影響とボトルネックを明らかにします。
**第7章：** 北米：アプリケーション別および国別に販売と収益を分解し、主要メーカーをプロファイルし、成長ドライバーと障壁を評価します。
**第8章：** 欧州：アプリケーション別およびメーカー別に地域の販売、収益、および市場を分析し、ドライバーと障壁を特定します。
**第9章：** アジア太平洋：アプリケーション別、地域/国別に販売と収益を定量化し、トップメーカーをプロファイルし、高い潜在的拡大領域を明らかにします。
**第10章：** 中南米：アプリケーション別、国別に販売と収益を測定し、トップメーカーをプロファイルし、投資機会と課題を特定します。
**第11章：** 中東およびアフリカ：アプリケーション別、国別に販売と収益を評価し、主要メーカーをプロファイルし、投資見通しと市場の障壁を概説します。
**第12章：** メーカーを詳細にプロファイルします：製品仕様、容量、販売、収益、マージンを詳述します。トップメーカーの2025年販売内訳を製品タイプ別、アプリケーション別、販売地域別のSWOT分析、および最近の戦略的動向で示します。
**第13章：** サプライチェーン：アップストリームの原材料とサプライヤー、製造拠点と技術、コストドライバー、およびダウンストリームチャネルとディストリビューターの役割を分析します。
**第14章：** 市場ダイナミクス：ドライバー、阻害要因、規制の影響、およびリスク軽減戦略を探求します。
**第15章：** 実用的な結論と戦略的推奨事項。
**[本レポートが必要な理由]**
標準的な市場データを超えて、この分析は明確な収益性ロードマップを提供し、以下を可能にします。
* 高成長地域（第7～11章）およびマージンの高いセグメント（第5章）に戦略的に資本を配分します。
* コストおよび需要インテリジェンスを使用して、サプライヤー（第13章）および顧客（第6章）と強固な立場で交渉します。
* 競合他社の運営、マージン、および戦略に関する詳細な洞察（第4章および第12章）を活用して、競合他社を出し抜きます。
* アップストリームとダウンストリームの可視性（第13章および第14章）を通じて、サプライチェーンを混乱から守ります。
* この360°インテリジェンスを活用して、市場の複雑さを実行可能な競争優位性へと変えます。
1 本調査の範囲
1.1 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの概要：定義、特性、および主要な属性
1.2 タイプ別市場区分
1.2.1 タイプ別AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.2.2 ディスクリートGaN FET
1.2.3 集積型GaNパワーステージ
1.2.4 GaNパワーIC
1.3 定格電圧別の市場セグメンテーション
1.3.1 定格電圧別のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.3.2 150 V以下
1.3.3 151～650 V
1.3.4 651～1200 V
1.3.5 1200 V超
1.4 オン抵抗別市場セグメンテーション
1.4.1 オン抵抗別AIサーバー用GaNパワーデバイス世界市場規模（2021年対2025年対2032年）
1.4.2 20 mΩ以下
1.4.3 20～50 mΩ超
1.4.4 50～100 mΩ超
1.4.5 >100 mΩ
1.5 用途別市場セグメンテーション
1.5.1 用途別AIサーバー用GaNパワーデバイス世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.5.2 クラウドおよびコロケーション
1.5.3 政府および研究機関
1.5.4 通信
1.5.5 その他
1.6 仮定および制限事項
1.7 調査目的
1.8 対象期間
2 エグゼクティブサマリー
2.1 AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界売上高推計および予測（2021年～2032年）
2.2 AIサーバー用GaNパワーデバイスの地域別売上高
2.2.1 売上高の比較：2021年対2025年対2032年
2.2.2 地域別売上高ベースの世界市場シェア（2021年～2032年）
2.3 AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界販売数量の推計および予測（2021年～2032年）
2.4 AIサーバー用GaNパワーデバイスの地域別販売状況
2.4.1 販売量の比較：2021年、2025年、2032年
2.4.2 地域別世界販売シェア（2021年～2032年）
2.4.3 新興市場に焦点を当てた分析：成長要因と投資動向
2.5 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界生産能力および稼働率（2021年、2025年、2032年比較）
2.6 地域別生産量の比較：2021年、2025年、2032年
3 競争環境
3.1 AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界メーカー別販売状況
3.1.1 メーカー別世界販売数量（2021年～2026年）
3.1.2 販売数量に基づく世界トップ5およびトップ10メーカーの市場シェア（2025年）
3.2 AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界メーカー別売上高ランキングおよびティア別分類
3.2.1 メーカー別世界売上高（金額）（2021年～2026年）
3.2.2 主要メーカーの世界売上高ランキング（2024年対2025年）
3.2.3 売上高に基づくティア分類（ティア1、ティア2、ティア3）
3.3 メーカーの収益性プロファイルおよび価格戦略
3.3.1 主要メーカー別の粗利益率（2021年対2025年）
3.3.2 メーカーレベルの価格動向（2021年～2026年）
3.4 主要メーカーの生産拠点および本社
3.5 製品タイプ別主要メーカーの市場シェア
3.5.1 ディスクリートGaN FET：主要メーカー別市場シェア
3.5.2 集積型GaNパワーステージ：主要メーカー別市場シェア
3.5.3 GaNパワーIC：主要メーカー別市場シェア
3.6 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス世界市場の集中度と動向
3.6.1 世界市場の集中度
3.6.2 市場参入・撤退の分析
3.6.3 戦略的動き：M&A、生産能力の拡大、研究開発投資
4 製品セグメンテーション
4.1 タイプ別AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界販売実績
4.1.1 タイプ別AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界販売数量（2021年～2032年）
4.1.2 AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界売上高（タイプ別）（2021年～2032年）
4.1.3 タイプ別の世界平均販売価格（ASP）の推移（2021年～2032年）
4.2 電圧定格別 AI サーバー用電源向け GaN パワーデバイスの世界販売実績
4.2.1 電圧定格別 AI サーバー用電源向け GaN パワーデバイスの世界販売数量（2021-2032年）
4.2.2 電圧定格別 AI サーバー用電源向け GaN パワーデバイスの世界売上高（2021-2032年）
4.2.3 電圧定格別 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスの平均販売価格（ASP）の推移（2021年～2032年）
4.3 オン抵抗別 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売実績
4.3.1 オン抵抗別 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売数量（2021年～2032年）
4.3.2 オン抵抗別 AI サーバー用 GaN パワーデバイスの世界売上高（2021-2032年）
4.3.3 オン抵抗別 世界平均販売価格（ASP）の推移（2021-2032年）
4.4 製品技術の差別化
4.5 サブタイプの動向：成長の牽引役、収益性、およびリスク
4.5.1 高成長ニッチ市場と普及の推進要因
4.5.2 収益性の高い分野とコスト要因
4.5.3 代替品の脅威
5 下流アプリケーションおよび顧客
5.1 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのアプリケーション別世界販売状況
5.1.1 アプリケーション別世界販売実績および予測（2021-2032年）
5.1.2 用途別世界販売シェア（2021年～2032年）
5.1.3 高成長用途の特定
5.1.4 新興用途の事例研究
5.2 AIサーバー用GaNパワーデバイスの用途別世界売上高
5.2.1 用途別世界売上高の過去実績および予測（2021年～2032年）
5.2.2 用途別売上高ベースの市場シェア（2021-2032年）
5.3 用途別世界価格動向（2021-2032年）
5.4 下流顧客分析
5.4.1 地域別主要顧客
5.4.2 用途別主要顧客
6 世界生産分析
6.1 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界生産能力および稼働率（2021年～2032年）
6.2 地域別生産動向および見通し
6.2.1 地域別過去生産量（2021年～2026年）
6.2.2 地域別生産予測（2027年～2032年）
6.2.3 地域別生産市場シェア（2021年～2032年）
6.2.4 規制および貿易政策が生産に与える影響
6.2.5 生産能力の促進要因と制約要因
6.3 主要な地域別生産拠点
6.3.1 北米
6.3.2 欧州
6.3.3 中国
6.3.4 日本
7 北米
7.1 北米の販売数量および売上高（2021年～2032年）
7.2 2025年の北米主要メーカーの売上高
7.3 北米のAIサーバー用GaNパワーデバイス：用途別販売数量および売上高（2021年～2032年）
7.4 北米の成長促進要因および市場障壁
7.5 北米のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模（国別）
7.5.1 北米の売上高（国別）
7.5.2 北米の販売動向（国別）
7.5.3 米国
7.5.4 カナダ
7.5.5 メキシコ
8 欧州
8.1 欧州の販売数量および売上高（2021年～2032年）
8.2 2025年の欧州主要メーカーの売上高
8.3 欧州のAIサーバー用GaNパワーデバイスの用途別販売数量および売上高（2021年～2032年）
8.4 欧州の成長促進要因および市場障壁
8.5 欧州のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模（国別）
8.5.1 欧州の売上高（国別）
8.5.2 欧州の販売動向（国別）
8.5.3 ドイツ
8.5.4 フランス
8.5.5 英国
8.5.6 イタリア
8.5.7 ロシア
9 アジア太平洋地域
9.1 アジア太平洋地域の販売数量および売上高（2021年～2032年）
9.2 2025年のアジア太平洋地域主要メーカーの売上高
9.3 アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイス：用途別販売数量および売上高（2021年～2032年）
9.4 アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模（地域別）
9.4.1 アジア太平洋地域の地域別売上高
9.4.2 アジア太平洋地域の地域別販売動向
9.5 アジア太平洋地域の成長促進要因と市場障壁
9.6 東南アジア
9.6.1 東南アジアの国別売上高（2021年対2025年対2032年）
9.6.2 主要国分析：インドネシア、ベトナム、タイ
9.7 中国
9.8 日本
9.9 韓国
9.10 中国台湾
9.11 インド
10 中南米
10.1 中南米の販売数量および売上高（2021年～2032年）
10.2 2025年の中南米主要メーカーの売上高
10.3 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの用途別販売数量および売上高（2021年～2032年）
10.4 中南米の投資機会と主要な課題
10.5 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス市場の国別規模
10.5.1 中南米の国別売上高の推移 （2021年対2025年対2032年）
10.5.2 ブラジル
10.5.3 アルゼンチン
11 中東・アフリカ
11.1 中東・アフリカにおける販売数量および売上高（2021年～2032年）
11.2 中東・アフリカにおける主要メーカーの2025年の売上高
11.3 中東・アフリカにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの用途別販売数量および売上高（2021年～2032年）
11.4 中東・アフリカにおける投資機会と主な課題
11.5 中東・アフリカにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス市場の規模（国別）
11.5.1 中東・アフリカの国別売上高の推移 （2021年対2025年対2032年）
11.5.2 GCC諸国
11.5.3 トルコ
11.5.4 エジプト
11.5.5 南アフリカ
12 企業概要
12.1 インフィニオン・テクノロジーズ
12.1.1 インフィニオン・テクノロジーズ社の企業情報
12.1.2 インフィニオン・テクノロジーズの事業概要
12.1.3 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用GaNパワーデバイス：製品モデル、説明および仕様
12.1.4 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用GaNパワーデバイス：生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.1.5 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス：2025年の製品別売上高
12.1.6 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス：2025年の用途別売上高
12.1.7 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス：2025年の地域別売上高
12.1.8 インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのSWOT分析
12.1.9 インフィニオン・テクノロジーズの最近の動向
12.2 ナビタス・セミコンダクター
12.2.1 ナビタス・セミコンダクター社の企業情報
12.2.2 ナビタス・セミコンダクターの事業概要
12.2.3 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.2.4 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.2.5 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの2025年製品別売上高
12.2.6 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの2025年用途別売上高
12.2.7 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの2025年地域別売上高
12.2.8 ナビタス・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのSWOT分析
12.2.9 ナビタス・セミコンダクターの最近の動向
12.3 インノサイエンス
12.3.1 インノサイエンス・コーポレーションの概要
12.3.2 インノサイエンスの事業概要
12.3.3 インノサイエンスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.3.4 インノサイエンスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.3.5 2025年のAIサーバー用電源向けInnoscience製GaNパワーデバイスの製品別売上高
12.3.6 2025年のAIサーバー用電源向けInnoscience製GaNパワーデバイスの用途別売上高
12.3.7 2025年のAIサーバー用電源向けInnoscience製GaNパワーデバイスの地域別売上高
12.3.8 AIサーバー用電源向けInnoscience製GaNパワーデバイスのSWOT分析
12.3.9 Innoscienceの最近の動向
12.4 ルネサスエレクトロニクス
12.4.1 ルネサスエレクトロニクス株式会社に関する情報
12.4.2 ルネサスエレクトロニクスの事業概要
12.4.3 ルネサスエレクトロニクスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.4.4 ルネサスエレクトロニクスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.4.5 2025年のAIサーバー用電源向けルネサスエレクトロニクス製GaNパワーデバイスの製品別売上高
12.4.6 2025年のAIサーバー用電源向けルネサスエレクトロニクス製GaNパワーデバイスの用途別売上高
12.4.7 2025年のAIサーバー用電源向けルネサスエレクトロニクス製GaNパワーデバイスの地域別売上高
12.4.8 ルネサスエレクトロニクスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのSWOT分析
12.4.9 ルネサスエレクトロニクスの最近の動向
12.5 テキサス・インスツルメンツ
12.5.1 テキサス・インスツルメンツ社の企業情報
12.5.2 テキサス・インスツルメンツの事業概要
12.5.3 テキサス・インスツルメンツのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.5.4 テキサス・インスツルメンツのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.5.5 テキサス・インスツルメンツのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの2025年製品別販売状況
12.5.6 テキサス・インスツルメンツのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの2025年用途別販売状況
12.5.7 2025年のAIサーバー用電源向けテキサス・インスツルメンツ製GaNパワーデバイスの地域別売上高
12.5.8 AIサーバー用電源向けテキサス・インスツルメンツ製GaNパワーデバイスのSWOT分析
12.5.9 テキサス・インスツルメンツの最近の動向
12.6 ネクスペリア
12.6.1 ネクスペリア社の企業情報
12.6.2 ネクスペリア社の事業概要
12.6.3 ネクスペリア社のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.6.4 ネクスペリア社のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.6.5 ネクスペリアの最近の動向
12.7 ROHM
12.7.1 ROHM社に関する情報
12.7.2 ROHMの事業概要
12.7.3 AIサーバー用電源向けROHM製GaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.7.4 AIサーバー用電源向けROHM製GaNパワーデバイスの生産能力、販売数量、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.7.5 ROHMの最近の動向
12.8 STマイクロエレクトロニクス
12.8.1 STマイクロエレクトロニクスの企業情報
12.8.2 STマイクロエレクトロニクスの事業概要
12.8.3 STマイクロエレクトロニクスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス：製品モデル、説明および仕様
12.8.4 STマイクロエレクトロニクスのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス：生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.8.5 STマイクロエレクトロニクスの最近の動向
12.9 エフィシエント・パワー・コンバージョン
12.9.1 エフィシエント・パワー・コンバージョンの企業情報
12.9.2 エフィシエント・パワー・コンバージョンの事業概要
12.9.3 エフィシエント・パワー・コンバージョンのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.9.4 エフィシエント・パワー・コンバージョン社製 AI サーバー用電源向け GaN パワーデバイスの生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021-2026年）
12.9.5 エフィシエント・パワー・コンバージョン社の最近の動向
12.10 ケンブリッジ・GaN・デバイス社
12.10.1 ケンブリッジ・GaN・デバイス社の企業情報
12.10.2 ケンブリッジ・GaN・デバイスの事業概要
12.10.3 ケンブリッジ・GaN・デバイス：AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.10.4 ケンブリッジ・GaN・デバイス：AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.10.5 ケンブリッジ・GaN・デバイスの最近の動向
12.11 パワー・インテグレーションズ
12.11.1 パワー・インテグレーションズ社の企業情報
12.11.2 パワー・インテグレーションズの事業概要
12.11.3 パワー・インテグレーションズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.11.4 パワー・インテグレーションズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売量、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.11.5 パワー・インテグレーションズの最近の動向
12.12 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター
12.12.1 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター社の企業情報
12.12.2 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの事業概要
12.12.3 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.12.4 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率 （2021年～2026年）
12.12.5 アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの最近の動向
12.13 ワイズ・インテグレーション
12.13.1 ワイズ・インテグレーション社の企業情報
12.13.2 ワイズ・インテグレーションの事業概要
12.13.3 ワイズ・インテグレーションのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品モデル、説明および仕様
12.13.4 ワイズ・インテグレーションのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率 (2021-2026)
12.13.5 ワイズ・インテグレーションの最近の動向
13 バリューチェーンおよびサプライチェーン分析
13.1 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの産業チェーン
13.2 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの上流材料分析
13.2.1 原材料
13.2.2 主要サプライヤーの市場シェアおよびリスク評価
13.3 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの統合生産分析
13.3.1 製造拠点分析
13.3.2 生産技術の概要
13.3.3 地域別のコスト要因
13.4 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売チャネルおよび流通ネットワーク
13.4.1 販売チャネル
13.4.2 ディストリビューター
14 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの市場動向
14.1 業界の動向と進化
14.2 市場の成長要因と新たな機会
14.3 市場の課題、リスク、および制約要因
14.4 米国の関税の影響
15 AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスに関するグローバル調査の主な調査結果
16 付録
16.1 調査方法論
16.1.1 方法論／調査アプローチ
16.1.1.1 調査プログラム／設計
16.1.1.2 市場規模の推計
16.1.1.3 市場の細分化とデータの三角検証
16.1.2 データソース
16.1.2.1 二次情報源
16.1.2.2 一次情報源
16.2 著者情報
表1. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模の成長率（タイプ別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表2. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模の成長率（定格電圧別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表3. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場規模の成長率（オン抵抗別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表4. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場規模の成長率（用途別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表5. 地域別AIサーバー用GaNパワーデバイス市場規模の成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
表6. 地域別AIサーバー用GaNパワーデバイス販売台数の成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年 （千台）
表7. 新興市場における国別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表8. 地域別AIサーバー用GaNパワーデバイスの生産成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（千台）
表9. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスのメーカー別販売台数（千台）、2021年～2026年
表10. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスのメーカー別販売シェア（2021年～2026年）
表11. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界メーカー別売上高（百万米ドル）、2021年～2026年
表12. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界メーカー別売上高ベースの市場シェア（2021年～2026年）
表13. 世界の主要メーカーの順位変動（2024年対2025年） （売上高ベース）
表14. AIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高に基づく、ティア別（Tier 1、Tier 2、Tier 3）の世界メーカー別ランキング（2025年）
表15. AIサーバー用GaNパワーデバイスのメーカー別平均粗利益率（%）（2021年対2025年）
表16. 2021年～2026年のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスにおけるメーカー別平均販売価格（ASP）（米ドル／個）
表17. 主要メーカーのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製造拠点および本社所在地
表18. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場集中率（CR5）
表19. 主要な市場参入・撤退（2021年～2025年）－推進要因および影響分析
表20. 主要な合併・買収、事業拡大計画、研究開発投資
表21. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売数量（種類別、千台）、2021年～2026年
表22. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売数量（種類別、千台）、2027年～2032年
表23. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（種類別、百万米ドル）、2021年～2026年
表24. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界売上高（種類別、百万米ドル）、2027年～2032年
表25. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売数量（定格電圧別、千台）、2021年～2026年
表26. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売数量（定格電圧別 （千台）、2027-2032年
表27. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場：電圧定格別売上高（百万米ドル）、2021-2026年
表28. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場：電圧定格別売上高（百万米ドル）、2027-2032年
表29. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売数量（オン抵抗別）（千台）、2021年～2026年
表30. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売数量（オン抵抗別）（千台）、2027年～2032年
表31. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界売上高（オン抵抗別）（百万米ドル）、2021年～2026年
表32. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界売上高（オン抵抗別）（百万米ドル）、2027年～2032年
表33. 主要製品タイプ別の技術仕様
表34. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売台数（用途別）（千台）、2021年～2026年
表35. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界販売台数（用途別）（千台）、2027年～2032年
表36. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの高成長セクターにおける需要CAGR（2026年～2032年）
表37. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのアプリケーション別売上高（百万米ドル）、2021年～2026年
表38. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界売上高（用途別、百万米ドル）、2027年～2032年
表39. 地域別主要顧客
表40. 用途別主要顧客
表41. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界生産量（地域別、千台）、2021年～2026年
表42. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイスの地域別生産量（千台）、2027年～2032年
表43. 北米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの成長促進要因および市場障壁
表44. 北米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの国別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表45. 北米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売台数（千台）：国別（2021年対2025年対2032年）
表46. 欧州におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの成長促進要因および市場障壁
表47. 欧州のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高成長率（CAGR）：国別（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表48. 欧州のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売台数（千台）：国別（2021年対2025年対2032年）
表49. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場：地域別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表50. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場：国別販売台数（千台）（2021年対2025年対2032年）
表51. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイスの成長促進要因と市場障壁
表52. 東南アジアのAIサーバー用GaNパワーデバイスの地域別売上高成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
表53. 中南米のAIサーバー用GaNパワーデバイス：投資機会と主要な課題
表54. 中南米のAIサーバー用GaNパワーデバイス：国別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表55. 中東・アフリカのAIサーバー用GaNパワーデバイス：投資機会と主要な課題
表56. 中東・アフリカにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの国別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表57. インフィニオン・テクノロジーズ社の情報
表58. インフィニオン・テクノロジーズ社の概要および主要事業
表59. インフィニオン・テクノロジーズ社の製品モデル、説明および仕様
表60. インフィニオン・テクノロジーズの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、粗利益率（2021年～2026年）
表61. 2025年のインフィニオン・テクノロジーズの製品別売上高構成比
表62. 2025年のインフィニオン・テクノロジーズの用途別売上高構成比
表63. 2025年のインフィニオン・テクノロジーズの地域別売上高構成比
表64. インフィニオン・テクノロジーズのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのSWOT分析
表65. インフィニオン・テクノロジーズの最近の動向
表66. ナビタス・セミコンダクター社の情報
表67. ナビタス・セミコンダクター社の概要および主要事業
表68. ナビタス・セミコンダクター社の製品モデル、説明および仕様
表69. ナビタス・セミコンダクターの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、粗利益率（2021年～2026年）
表70. 2025年のナビタス・セミコンダクターの製品別売上高構成比
表71. 2025年のナビタス・セミコンダクターの用途別売上高構成比
表72. 2025年のNavitas Semiconductorの地域別売上高構成比
表73. AIサーバー用電源向けNavitas SemiconductorのGaNパワーデバイスのSWOT分析
表74. Navitas Semiconductorの最近の動向
表75. Innoscience Corporationに関する情報
表76. インノサイエンスの概要および主要事業
表77. インノサイエンスの製品モデル、説明および仕様
表78. インノサイエンスの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表79. 2025年のインノサイエンスの製品別売上高構成比
表80. 2025年のインノサイエンスの用途別売上高構成比
表81. 2025年のインノサイエンスの地域別売上高構成比
表82. AIサーバー用電源向けインノサイエンスのGaNパワーデバイスのSWOT分析
表83. インノサイエンスの最近の動向
表84. ルネサスエレクトロニクス株式会社に関する情報
表85. ルネサスエレクトロニクスの概要および主要事業
表86. ルネサスエレクトロニクスの製品モデル、説明および仕様
表87. ルネサスエレクトロニクスの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021-2026年）
表88. 2025年のルネサスエレクトロニクスの製品別売上高構成比
表89. 2025年のルネサスエレクトロニクスの用途別売上高構成比
表90. 2025年のルネサスエレクトロニクスの地域別売上高構成比
表91. AIサーバー用電源向けルネサスエレクトロニクスのGaNパワーデバイスのSWOT分析
表92. ルネサスエレクトロニクスの最近の動向
表93. テキサス・インスツルメンツ社の概要
表94. テキサス・インスツルメンツ社の概要および主要事業
表95. テキサス・インスツルメンツ社の製品モデル、説明および仕様
表96. テキサス・インスツルメンツ社の生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表97. 2025年のテキサス・インスツルメンツの製品別売上高構成比
表98. 2025年のテキサス・インスツルメンツの用途別売上高構成比
表99. 2025年のテキサス・インスツルメンツの地域別売上高構成比
表100. AIサーバー用電源向けテキサス・インスツルメンツのGaNパワーデバイスのSWOT分析
表101. テキサス・インスツルメンツの最近の動向
表102. ネクスペリア社の情報
表103. ネクスペリア社の概要および主要事業
表104. ネクスペリア社の製品モデル、説明および仕様
表105. ネクスペリア社の生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、粗利益率（2021年～2026年）
表106. ネクスペリアの最近の動向
表107. ローム株式会社に関する情報
表108. ロームの概要および主要事業
表109. ロームの製品モデル、概要および仕様
表110. ROHMの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表111. ROHMの最近の動向
表112. STマイクロエレクトロニクス社の企業情報
表113. STマイクロエレクトロニクス社の概要および主要事業
表114. STマイクロエレクトロニクスの製品モデル、説明および仕様
表115. STマイクロエレクトロニクスの生産能力、販売台数（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表116. STマイクロエレクトロニクスの最近の動向
表117. エフィシエント・パワー・コンバージョン社の情報
表118. エフィシエント・パワー・コンバージョン社の概要および主要事業
表119. エフィシエント・パワー・コンバージョン社の製品モデル、概要および仕様
表120. エフィシエント・パワー・コンバージョン社の生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表121. エフィシエント・パワー・コンバージョン社の最近の動向
表122. ケンブリッジGaNデバイス社の企業情報
表123. ケンブリッジGaNデバイス社の概要および主要事業
表124. ケンブリッジGaNデバイス社の製品モデル、概要および仕様
表125. ケンブリッジGaNデバイスの生産能力、販売台数（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、粗利益率（2021年～2026年）
表126. ケンブリッジGaNデバイスの最近の動向
表127. パワー・インテグレーションズ社の概要
表128. パワー・インテグレーションズの概要および主要事業
表129. パワー・インテグレーションズの製品モデル、説明および仕様
表130. パワー・インテグレーションズの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表131. パワー・インテグレーションズの最近の動向
表132. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター社の情報
表133. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの概要および主要事業
表134. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの製品モデル、説明および仕様
表135. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表136. アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクターの最近の動向
表137. ワイズ・インテグレーション・コーポレーションに関する情報
表138. ワイズ・インテグレーションの概要および主要事業
表139. ワイズ・インテグレーションの製品モデル、説明および仕様
表140. ワイズ・インテグレーションの生産能力、販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表141. ワイズ・インテグレーションの最近の動向
表142. 主要原材料の分布
表143. 主要原材料サプライヤー
表144. 重要原材料のサプライヤー集中度（2025年）およびリスク指数
表145. 生産技術の進化におけるマイルストーン
表146. 販売代理店一覧
表147. 市場動向および市場の変遷
表148. 市場の推進要因と機会
表149. 市場の課題、リスク、および制約要因
表150. 本レポートの調査プログラム／設計
表151. 二次情報源からの主要データ情報
表152. 一次情報源からの主要データ情報
図表一覧
図1. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製品写真
図2. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス市場規模の成長率（タイプ別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図3. ディスクリートGaN FETの製品写真
図4. 集積型GaNパワーステージの製品写真
図5. GaNパワーICの製品写真
図6. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場規模の成長率（定格電圧別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図7. ≤150 V 製品画像
図8. 151–650 V 製品画像
図9. 651–1200 V 製品画像
図10. >1200 V 製品一覧
図11. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場規模の成長率（オン抵抗別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図12. ≤20 mΩ 製品一覧
図13. >20–50 mΩ 製品一覧
図14. >50–100 mΩ 製品画像
図15. >100 mΩ 製品画像
図16. 用途別 AIサーバー用GaNパワーデバイス世界市場規模の成長率（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図17. クラウドおよびコロケーション
図18. 政府および研究機関
図19. 通信
図20. その他
図21. AIサーバー用GaNパワーデバイスに関するレポートの対象期間
図22. AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界売上高（百万米ドル）、2021年対2025年対2032年
図23. AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図24. 地域別AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界売上高（CAGR）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
図25. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイス市場における地域別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図26. 世界のAIサーバー用GaNパワーデバイス出荷台数（千台）、2021年～2032年
図27. 地域別AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売台数（CAGR）：2021年対2025年対2032年（千台）
図28. 地域別AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売市場シェア（2021年～2032年）
図29. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界生産能力、生産量および稼働率（千台）、2021年対2025年対2032年
図30. 2025年のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス販売数量における上位5社および上位10社の市場シェア
図31. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界売上高ベースの市場シェアランキング（2025年）
図32. 売上高構成比によるティア別分布（2021年対2025年）
図33. 2025年のディスクリートGaN FETのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図34. 2025年のAIサーバー用GaNパワーステージ（集積型）のメーカー別売上高ベースの市場シェア
図35. 2025年のGaNパワーICのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図36. AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界販売数量ベースの市場シェア（タイプ別） (2021-2032)
図37. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場におけるタイプ別売上高ベースの市場シェア (2021-2032)
図38. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場におけるタイプ別平均販売価格（ASP）（米ドル/個）、2021-2032
図39. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場における電圧定格別販売数量ベースの市場シェア（2021-2032年）
図40. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場における電圧定格別売上高ベースの市場シェア（2021-2032年）
図41. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの電圧定格別平均販売価格（ASP）（米ドル／個）、2021年～2032年
図42. 世界のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのオン抵抗別販売数量ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図43. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのオン抵抗別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図44. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスのオン抵抗別平均販売価格（ASP）（米ドル／台）、2021年～2032年
図45. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの用途別販売市場シェア （2021-2032年）
図46. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの用途別売上高ベースの市場シェア（2021-2032年）
図47. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの用途別平均販売価格（ASP）（米ドル/個）、2021-2032年
図48. AIサーバー用GaNパワーデバイスの世界生産能力、生産量および稼働率（千台）、2021-2032年
図49. AIサーバー用GaNパワーデバイスの地域別生産市場シェア（2021-2032年）
図50. 生産能力の促進要因と制約要因
図51. 北米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの生産成長率（千台）、2021年～2032年
図52. 欧州におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの生産成長率（千台）、2021年～2032年
図53. 中国におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの生産成長率（千台）、2021-2032年
図54. 日本におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの生産成長率 （千台）、2021年～2032年
図55. 北米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高の前年比（千台）、2021年～2032年
図56. 北米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図57. 北米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの主要メーカー5社の売上高（百万米ドル、2025年）
図58. 北米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売数量（千台）の用途別内訳（2021年～2032年）
図59. 北米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）の用途別内訳（2021年～2032年）
図60. 米国におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図61. カナダにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図62. メキシコにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図63. 欧州におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売台数（前年比、千台）、2021年～2032年
図64. 欧州におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（前年比、百万米ドル）、2021年～2032年
図65. 欧州のAIサーバー用GaNパワーデバイスメーカー上位5社の売上高（百万米ドル、2025年）
図66. 欧州のAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売数量（千台）の用途別内訳（2021年～2032年）
図67. 欧州のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）：用途別（2021年～2032年）
図68. ドイツのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図69. フランスにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図70. 英国におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図71. イタリアにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高 （百万米ドル）、2021年～2032年
図72. ロシアのAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図73. アジア太平洋地域のAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売台数（前年比、千台）、2021年～2032年
図74. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図75. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイス上位8社の売上高（百万米ドル、2025年）
図76. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売数量（千台）、用途別（2021年～2032年）
図77. アジア太平洋地域のAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、用途別（2021年～2032年）
図78. インドネシアにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図79. 日本におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図80. 韓国におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図81. 中国台湾におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図82. インドにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図83. 中南米におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売台数（前年比、千台）、2021年～2032年
図84. 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図85. 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの主要メーカー上位5社の売上高（百万米ドル、2025年）
図86. 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの販売数量（千台）の用途別推移（2021年～2032年）
図87. 中南米におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）の用途別推移（2021年～2032年）
図88. ブラジルにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図89. アルゼンチンにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図90. 中東・アフリカにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売台数（前年比、千台）、2021年～2032年
図91. 中東・アフリカにおけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの売上高（前年比、百万米ドル）、2021年～2032年
図92. 中東・アフリカ地域におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの主要メーカー上位5社の売上高（百万米ドル、2025年）
図93. 中東・アフリカ地域におけるAIサーバー用GaNパワーデバイスの販売数量（千台）の用途別内訳（2021年～2032年）
図94. 中東・アフリカにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）：用途別（2021年～2032年）
図95. GCC諸国におけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図96. トルコにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図97. エジプトにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図98. 南アフリカにおけるAIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの売上高 （百万米ドル）、2021-2032年
図99. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの産業チェーンマッピング
図100. 地域別AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイス製造拠点の分布（％）
図101. AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの製造プロセス
図102. 地域別AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの生産コスト構造
図103. 流通チャネル（直接販売対流通）
図104. 本レポートにおけるボトムアップおよびトップダウンアプローチ
図105. データトライアングレーション
図106. インタビュー対象となった主要幹部
| ※AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスは、近年急速にその重要性を増している半導体技術です。GaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（Si）よりも優れた物性を持つワイドバンドギャップ半導体の一種であり、特に高電圧、高周波、高温環境下での電力変換において、既存のシリコンデバイスの性能限界を突破する可能性を秘めています。AIサーバーは、ディープラーニングなどの膨大な計算処理のために、これまでになく高い電力消費を伴い、その安定供給と効率的な電力変換がシステム全体の性能と運用コストに直結します。この要求に応えるため、電源の小型化、高効率化、高密度化が必須となり、GaNパワーデバイスがその中心的な役割を担うようになりました。シリコンデバイスが物理的な限界に近づく中で、GaNは次世代の電力変換技術として、AIデータセンターの持続可能な成長を支える鍵となっています。 GaNパワーデバイスは、シリコンに比べてバンドギャップが広く、絶縁破壊電界強度が高いため、より高い電圧に耐えることができます。また、電子飽和速度が速く、チャネル内の電子移動度が高いため、低オン抵抗を維持しつつ高速なスイッチング動作が可能です。これにより、電力変換時のスイッチング損失を大幅に低減し、電源の変換効率を向上させることができます。AIサーバーの電源では、商用電源から直流を得るためのAC-DCコンバータの力率改善（PFC）回路や、直流に変換された電力をさらに各コンポーネントに適した電圧に変換するDC-DCコンバータなどにGaNデバイスが適用されます。高速スイッチングが可能になることで、電源回路内のインダクタやコンデンサといった受動部品の小型化・軽量化も実現し、結果として電源ユニット全体のサイズ縮小と電力密度向上に貢献します。これは、限られたサーバーラック空間における電力供給能力の最大化、およびシステム全体のフットプリント削減に直結する大きなメリットです。 GaNパワーデバイスの主流は、GaN-HEMT（高電子移動度トランジスタ）と呼ばれる構造です。これは、AlGaN/GaNヘテロ構造界面に二次元電子ガス（2DEG）を形成し、高い電子移動度とキャリア濃度を利用して低抵抗パスを提供するものです。AIサーバー用電源では、通常、ゲート電圧がゼロの時に電流が流れないノーマリーオフ特性が求められるため、エンハンスメントモード（E-モード）GaN HEMTや、ノーマリーオン（D-モード）GaN HEMTとシリコンMOSFETを組み合わせたカスコード接続などが用いられます。E-モードGaN HEMTは、ゲート構造やチャネル設計の工夫により、ノーマリーオフを実現し、システムのシンプル化と信頼性向上に寄与します。また、比較的低いゲート駆動電圧で動作する特性も、制御回路設計の簡素化に繋がります。 AIサーバーの電源システムでは、まず高効率なAC-DCコンバータが求められます。特にPFC回路では、GaNデバイスを用いることでスイッチング周波数を高め、リアクトルを小型化しつつ、98%を超える高効率を実現できるようになります。これは、従来のシリコンIGBTやMOSFETでは到達困難なレベルです。その後段のDC-DCコンバータにおいても、例えばLLC共振コンバータやトーテムポールPFCなどでGaNデバイスが活用されます。GaNの高速スイッチング特性は、共振動作におけるゼロ電圧スイッチング（ZVS）やゼロ電流スイッチング（ZCS）の条件を最適化しやすく、更なる効率向上を可能にします。これにより、AIサーバー全体の電力損失を抑制し、発熱を低減することで、サーバーラック内の冷却負荷を軽減し、最終的に運用コストの削減に繋がります。高負荷が常態化するAIサーバー環境において、電源のわずかな効率向上も莫大な電力消費量に対して大きな意味を持ちます。 関連技術としては、GaNデバイスの製造技術、駆動技術、パッケージング技術、そして熱マネジメントが挙げられます。製造面では、高価なGaN基板ではなく、比較的安価なシリコン基板上にGaN層を結晶成長させるGaN-on-Si技術が広く採用されており、これがGaNパワーデバイスのコストダウンと普及を加速させています。駆動技術においては、GaN HEMTはゲート耐圧がシリコンMOSFETに比べて低いため、専用のゲートドライバICが必要となります。高速スイッチングを最大限に活かすためには、低インダクタンスかつ高精度なゲート駆動回路の設計が重要です。また、高周波・高電力密度環境下での熱マネジメントも不可欠であり、低熱抵抗かつ低寄生インダクタンスの先進的なパッケージング技術（例えばQFN、GaN-on-QFN、フリップチップなど）が開発されています。さらに、GaNデバイスを電源ICと統合する「GaN-on-chip」や、電源コントローラとGaNデバイスを一つのパッケージに収める「インテリジェントパワーモジュール（IPM）」のような集積化技術も進展しており、システムのさらなる小型化と設計の簡素化に貢献します。これらの技術は、GaNの持つポテンシャルを最大限に引き出し、AIサーバーの進化を強力にサポートするために不可欠な要素と言えます。継続的な技術革新により、GaNパワーデバイスはAIサーバーの電力効率と性能をさらに高め、来るべき高密度AIインフラの構築に貢献していくでしょう。 |
• 日本語訳：AIサーバー用電源向けGaNパワーデバイスの世界市場展望・分析・予測（～2032年）：ディスクリートGaN FET、集積型GaNパワーステージ、GaNパワーIC
• レポートコード：MRC6TCOQ02274 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）