【産業資料】 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのグローバル市場予測2026-2032（電圧クラス別：100V未満、100V～220V、220V～650V)

「GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのグローバル市場予測2026-2032（電圧クラス別：100V未満、100V～220V、220V～650V)」（市場規模、市場予測）調査レポートです。

• レポートコード：MRCLPR8NB14709
• 出版社/出版日：LP Information / 2026年11月
• レポート形態：英文、PDF、119ページ
• 納品方法：Eメール（納期：2-3営業日）
• 産業分類：Electronics & Semiconductor

• 販売価格（英語版、消費税別）

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レポート概要

半導体用GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場調査レポート概要

■市場概要
世界のGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場規模は、2025年の6065万米ドルから2032年には2億700万米ドルに成長すると予測されている。2026年から2032年までの年間平均成長率（CAGR）は18.9%と見込まれている。

GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバICは、ハーフブリッジおよび高周波の電力変換トポロジーでエンハンスメントモードGaN FET、GaN HEMT、および関連するワイドバンドギャップパワースイッチを制御するために特化されたハイサイドおよびローサイドのゲートドライバデバイスである。市場は商用に入手可能なドライバIC、GaN向けプリドライバ、GaNハーフブリッジ設計で使用される絶縁型デュアルチャネルドライバ、および集積されたGaN用ハーフブリッジ電力ステージに埋め込まれたドライバ機能に焦点を当てている。これら製品は高速ゲート制御、レベルシフト、デッドタイム管理、低電圧保護、高い共通モード過渡耐性（CMTI）、高dv/dt条件下でのスイッチング安定性を提供する。典型的な用途例は、高密度AC-DCおよびDC-DC電源、AIサーバー電源、高速充電アダプタ、産業用電源システム、自動車用パワーエレクトロニクス、再生可能エネルギー変換器、LiDARパルスシステム、高信頼性宇宙航空用電源モジュールなどである。

■主要調査結果
– 北米および欧州が主要な供給地域として市場をリードしている。
– 低電圧GaNドライバはAIサーバー電源とより密接に結びついている。
– 600Vおよび650Vの高電圧製品はAC-DCおよび産業用途を支えている。
– 集積型GaN電力ステージがスタンドアローンドライバの境界を再形成している。
– 中国および台湾のサプライヤーはプリドライバと絶縁型ドライバのルートを通じて存在感を高めている。

■市場動向
GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバIC市場は、基本的なGaNデバイスの実装支援からシステムレベルの最適化へと移行している。製品開発は遅延時間の整合、制御されたデッドタイム、高いCMTI、負電圧耐性、低EMI、コンパクトパッケージング、およびGaN FETとの協調設計に重点を置いている。同時に集積型GaN電力ステージはコンパクトで標準化された電源プラットフォームで注目されており、スタンドアローンドライバは高出力、構成可能、産業用、多ベンダーGaN設計で依然として重要である。

■市場ダイナミクス
【成長要因】
AIサーバー、高速充電器、通信電源、産業用電源、高効率AC-DC変換における高い電力密度ニーズが需要成長を支えている。GaN採用によるスイッチング周波数の増加は、安定動作、損失低減、設計サイクル短縮を実現するために特殊なハーフブリッジドライバを必要としている。

【制約要因】
認証の複雑さ、設計導入サイクル、EMI管理、ゲート電圧感度、および強力なアプリケーションエンジニアリングの必要性が市場拡大の制約となっている。コストに敏感なコンシューマー用途では、スタンドアローンドライバの需要を減少させる集積型GaNパワーICが好まれる場合もある。

【機会】
成長機会は48V電源アーキテクチャ、高周波DC-DCモジュール、トーテムポールPFC、自動車補助電源、LiDARパルスドライバ、高信頼性電源モジュールに最も強い。地域的なサプライチェーンのローカライゼーションは、中国および台湾の信頼性の高いGaNドライバ性能を示せるサプライヤーに機会をもたらす。

【課題】
異なるGaN FET、スイッチングトポロジ、基板レイアウト、熱条件、過渡環境に対して安定動作性能を証明することが最大の課題。サプライヤーはデータシートの性能だけでなく、リファレンス設計、信頼性データ、保護アーキテクチャ、顧客プラットフォームのサポートで競合しなければならない。

■産業チェーン分析
上流はアナログ・ミックスドシグナル回路設計IP、ウエハ製造、高電圧および絶縁プロセス、パッケージ材料、リードフレーム、テストプラットフォーム、認証リソースで構成される。中流はスタンドアローンハーフブリッジドライバ、絶縁ドライバ、GaNプリドライバ、集積GaN電力ステージソリューションを開発。下流顧客は電源モジュール設計者、アダプタメーカー、サーバー電源サプライヤー、産業電源システムベンダー、自動車エレクトロニクス企業、再生可能エネルギー機器メーカー、高信頼性宇宙航空顧客である。

この市場の価値創造は、アナログ回路設計、デバイス・ドライバのマッチング、高速スイッチング信頼性、パッケージの寄生要素制御、アプリケーションサポートに集中している。単価はGaNパワーデバイスと比較して低めだが、ドライバICはシステム効率、EMI、信頼性、製品化までの期間に強い影響を及ぼす。そのため設計導入の信頼性と技術支援が重要な競争要因となる。

■セグメント分析
【電圧クラス別】
100V以下製品は主に48V、データセンター、通信、高周波DC-DC用途にリンクしている。一方、600Vおよび650V製品はAC-DC電源、PFC、LLC、産業用電源、再生可能エネルギー変換に関連が深い。

【集積形態別】
スタンドアローンのハーフブリッジドライバが最大の製品群であるが、集積型GaNハーフブリッジ電力ステージはコンパクトで標準化されたプラットフォームでより重要度を増している。

【絶縁アーキテクチャ別】
非絶縁型ブートストラップ又はレベルシフトドライバが最も広範な用途を持ち、絶縁型デュアルチャネルドライバは産業、自動車、高電圧分野で存在感を強めている。市場は単一の均質なICカテゴリではなく、電圧、絶縁、電力密度、認証ニーズによって形作られた用途駆動型ドライバアーキテクチャのセットである。

■下流市場機会
周波数向上がシステムのサイズ、効率、熱性能を直接改善する用途に最も有望な機会が集中している。AIサーバー電源および48Vアーキテクチャは低電圧高速GaNドライバの需要を喚起し、産業用電源、自動車補助電源、再生可能エネルギーシステムは高電圧かつ堅牢なドライバソリューションの需要を支えている。LiDARおよび宇宙航空用途は規模は小さいが、より高付加価値の特殊製品を支える。

■地域別知見
北米と欧州は主要サプライヤーの集中、製品の成熟度、顧客アクセスで最も強い地位を保持。日本は確立されたパワー半導体およびアナログICサプライヤーを通じて重要性を維持。中国および台湾はローカライズしたドライバIC、絶縁ドライバ、GaN電力ステージソリューションで存在感を強めている。韓国、東南アジア、インド、中東は現時点で本社レベルのGaN用ハーフブリッジドライバ主要サプライヤーの証拠は限定的である。

地域差は製造拠点の違いだけでなく、アナログIC能力、GaN応用ノウハウ、パワーエレクトロニクス顧客アクセス、認証エコシステムの違いによって牽引されている。ローカリゼーション需要は地域参入者を支援する可能性があるが、グローバルリーダーは完全な技術支援と実証済みリファレンス設計を提供できるサプライヤーであり続ける見込みである。

■競争環境分析
競争環境は、GaN用ハーフブリッジもしくはGaN対応ドライバ製品を検証済みで提供する確立されたアナログ、パワーマネジメントおよびパワー半導体企業がリードしている。Texas Instruments、STMicroelectronics、Infineon、onsemi、Monolithic Power Systems、Analog Devices、Renesasがグローバルコアサプライヤー群を形成し、3PEAK、NOVOSENSE、uPI Semiconductor、ROHM、Nexperia、Navitas、EPC Spaceが地域的または集積主導の地位を持つ。競争は単なるGaN対応ドライバ提供から、システムレベル性能、設計容易性、保護堅牢性、GaNパワーソリューションとの共最適化へとシフトしている。

■レポート範囲
LP Information, Inc.（LPI）の最新研究レポート「GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ産業予測」は、過去の販売データの分析に基づき、2025年の世界GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの販売をレビューし、2026年から2032年までの地域別および市場セクター別の予測を提供する。地域、市場セクター、サブセクター別に分解した販売データは、世界のGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ産業を米ドル（百万単位）で詳細に分析している。

本インサイトレポートは、世界のGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの全体像を網羅的に分析し、製品セグメント、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向およびM&A活動に関する主要トレンドを強調している。また、主要グローバル企業のGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開について分析し、加速する世界市場における各社の独自の位置付けを理解するための資料を提供する。

本レポートは、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの市場動向、成長要因、影響因子を評価し、電圧クラス別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の成長機会を抽出する。数百のボトムアップによる定性・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論で、現在の市場状況および将来の展望を精緻に提示している。

本レポートは製品タイプ、用途、主要メーカーおよび主要地域・国別にGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場の概要、市場シェア、成長機会を提供する。

■市場セグメント
【電圧クラス別】
– 100V未満
– 100V～220V
– 220V～650V

【絶縁アーキテクチャ別】
– 非絶縁型ブートストラップ／レベルシフトドライバ
– ガルバニック絶縁型デュアルチャネルドライバ
– デジタルアイソレータ＋ドライバアーキテクチャ

【スイッチング周波数帯域別】
– 500kHz未満
– 500kHz～1MHz
– 1MHz～5MHz
– 5MHz以上

【用途別】
– DC-DC／データセンター／通信電源
– AC-DCアダプタおよび電源
– モータードライブ／ロボティクス
– 再生可能エネルギー／蓄電／自動車電源

■地域別市場
【アメリカ大陸】
– アメリカ合衆国
– カナダ
– メキシコ
– ブラジル

【アジア太平洋（APAC）】
– 中国
– 日本
– 韓国
– 東南アジア
– インド
– オーストラリア

【ヨーロッパ】
– ドイツ
– フランス
– イギリス
– イタリア
– ロシア

【中東・アフリカ】
– エジプト
– 南アフリカ
– イスラエル
– トルコ
– GCC諸国

■企業プロファイル対象企業
本レポートの主要企業は、一次専門家の情報と市場カバレッジ、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析し選定された。

– Texas Instruments Incorporated
– STMicroelectronics N.V.
– Monolithic Power Systems, Inc.
– Infineon Technologies AG
– onsemi
– Analog Devices, Inc.
– Renesas Electronics Corporation
– 3PEAK Incorporated
– uPI Semiconductor Corp.
– ROHM Co., Ltd.
– NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.
– Nexperia B.V.
– Navitas Semiconductor Corporation
– EPC Space, LLC

■レポートで解決される主要な質問
– 世界のGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場の今後10年間の展望は？
– 成長を牽引する要因はグローバルおよび地域別に何か？
– どの技術が市場および地域別に最速の成長が予想されるか？
– 投資機会はエンドマーケットの規模によってどのように異なるか？
– GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは電圧クラス別、用途別にどう分類されるか？

レポート目次

1 レポートの範囲
1.1 市場紹介
1.2 対象年次
1.3 調査目的
1.4 市場調査方法論
1.5 調査プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 通貨単位
1.8 市場推定における留意点

2 エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場概要
2.1.1 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの世界年間販売額 2021-2032年
2.1.2 地理的地域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの現在および将来の分析（2021年、2025年、2032年）
2.1.3 国・地域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの現在および将来の分析（2021年、2025年、2032年）
2.2 電圧クラス別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのセグメント
2.2.1 100V未満
2.2.2 100V～220V
2.2.3 220V～650V
2.2.4 電圧クラス別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの販売
2.2.4.1 電圧クラス別のグローバル市場シェア（2021-2026年）
2.2.4.2 電圧クラス別の世界収益および市場シェア（2021-2026年）
2.2.4.3 電圧クラス別の販売価格（2021-2026年）
2.3 絶縁アーキテクチャ別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのセグメント
2.3.1 非絶縁型ブートストラップ／レベルシフトドライバ
2.3.2 ガルバニック絶縁デュアルチャネルドライバ
2.3.3 デジタルアイソレータープラスドライバアーキテクチャ
2.3.4 絶縁アーキテクチャ別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの販売
2.3.4.1 絶縁アーキテクチャ別のグローバル市場シェア（2021-2026年）
2.3.4.2 絶縁アーキテクチャ別の世界収益および市場シェア（2021-2026年）
2.3.4.3 絶縁アーキテクチャ別の販売価格（2021-2026年）
2.4 スイッチング周波数帯域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのセグメント
2.4.1 500 kHz未満
2.4.2 500 kHz～1 MHz
2.4.3 1 MHz～5 MHz
2.4.4 5 MHz以上
2.4.5 スイッチング周波数帯域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの販売
2.4.5.1 スイッチング周波数帯域別のグローバル市場シェア（2021-2026年）
2.4.5.2 スイッチング周波数帯域別の世界収益および市場シェア（2021-2026年）
2.4.5.3 スイッチング周波数帯域別の販売価格（2021-2026年）
2.5 アプリケーション別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのセグメント
2.5.1 DC-DC／データセンター／テレコム電源
2.5.2 AC-DCアダプタおよび電源
2.5.3 モータードライブ／ロボティクス
2.5.4 再生可能エネルギー／蓄電／自動車電源
2.5.5 アプリケーション別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの販売
2.5.5.1 アプリケーション別のグローバル市場シェア（2021-2026年）
2.5.5.2 アプリケーション別の世界収益および市場シェア（2021-2026年）
2.5.5.3 アプリケーション別の販売価格（2021-2026年）

3 世界市場の企業別分析
3.1 企業別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ詳細データ
3.1.1 企業別の年間販売額（2021-2026年）
3.1.2 企業別の販売市場シェア（2021-2026年）
3.2 企業別年間収益（2021-2026年）
3.2.1 企業別収益（2021-2026年）
3.2.2 企業別収益市場シェア（2021-2026年）
3.3 企業別販売価格
3.4 主要メーカーのGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ生産地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーの製品生産位置分布
3.4.2 企業別提供製品
3.5 市場集中度分析
3.5.1 競合環境分析
3.5.2 集中率（CR3、CR5、CR10）および2024-2026年の動向
3.6 新製品および潜在参入企業
3.7 市場のM&A活動および戦略

4 地理的地域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの世界市場過去レビュー
4.1 地理的地域別市場規模の過去推移（2021-2026年）
4.1.1 地理的地域別の年間販売額（2021-2026年）
4.1.2 地理的地域別の年間収益（2021-2026年）
4.2 国・地域別の市場規模過去推移（2021-2026年）
4.2.1 国・地域別の年間販売額（2021-2026年）
4.2.2 国・地域別の年間収益（2021-2026年）
4.3 アメリカ地区の販売成長
4.4 アジア太平洋地区の販売成長
4.5 ヨーロッパ地区の販売成長
4.6 中東・アフリカ地区の販売成長

5 アメリカ地区
5.1 国別販売額
5.1.1 アメリカ地区国別販売額（2021-2026年）
5.1.2 アメリカ地区国別収益（2021-2026年）
5.2 電圧クラス別販売額（2021-2026年）
5.3 アプリケーション別販売額（2021-2026年）
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル

6 アジア太平洋地区（APAC）
6.1 地域別販売額
6.1.1 APAC地域別販売額（2021-2026年）
6.1.2 APAC地域別収益（2021-2026年）
6.2 電圧クラス別販売額（2021-2026年）
6.3 アプリケーション別販売額（2021-2026年）
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 台湾

7 ヨーロッパ
7.1 国別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
7.1.1 国別販売額（2021-2026年）
7.1.2 国別収益（2021-2026年）
7.2 電圧クラス別販売額（2021-2026年）
7.3 アプリケーション別販売額（2021-2026年）
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア

8 中東・アフリカ
8.1 国別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
8.1.1 国別販売額（2021-2026年）
8.1.2 国別収益（2021-2026年）
8.2 電圧クラス別販売額（2021-2026年）
8.3 アプリケーション別販売額（2021-2026年）
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国

9 市場ドライバー、課題およびトレンド
9.1 市場ドライバーおよび成長機会
9.2 市場の課題およびリスク
9.3 業界トレンド

10 製造コスト構造分析
10.1 原材料とサプライヤー
10.2 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの製造コスト構造分析
10.3 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの製造プロセス分析
10.4 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの産業チェーン構造

11 マーケティング、流通業者および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直販売チャネル
11.1.2 間接販売チャネル
11.2 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの流通業者
11.3 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの顧客

12 地理的地域別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの世界市場予測
12.1 地域別市場規模予測
12.1.1 地域別の市場予測（2027-2032年）
12.1.2 地域別年間収益予測（2027-2032年）
12.2 アメリカ地区国別予測（2027-2032年）
12.3 APAC地域別予測（2027-2032年）
12.4 ヨーロッパ国別予測（2027-2032年）
12.5 中東・アフリカ国別予測（2027-2032年）
12.6 電圧クラス別市場予測（2027-2032年）
12.7 アプリケーション別市場予測（2027-2032年）

13 主要企業分析
13.1 Texas Instruments Incorporated
13.1.1 企業情報
13.1.2 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ラインナップおよび仕様
13.1.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.1.4 主な事業概要
13.1.5 最近の動向
13.2 STMicroelectronics N.V.
13.2.1 企業情報
13.2.2 製品ラインナップおよび仕様
13.2.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.2.4 主な事業概要
13.2.5 最近の動向
13.3 Monolithic Power Systems, Inc.
13.3.1 企業情報
13.3.2 製品ラインナップおよび仕様
13.3.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.3.4 主な事業概要
13.3.5 最近の動向
13.4 Infineon Technologies AG
13.4.1 企業情報
13.4.2 製品ラインナップおよび仕様
13.4.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.4.4 主な事業概要
13.4.5 最近の動向
13.5 onsemi
13.5.1 企業情報
13.5.2 製品ラインナップおよび仕様
13.5.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.5.4 主な事業概要
13.5.5 最近の動向
13.6 Analog Devices, Inc.
13.6.1 企業情報
13.6.2 製品ラインナップおよび仕様
13.6.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.6.4 主な事業概要
13.6.5 最近の動向
13.7 Renesas Electronics Corporation
13.7.1 企業情報
13.7.2 製品ラインナップおよび仕様
13.7.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.7.4 主な事業概要
13.7.5 最近の動向
13.8 3PEAK Incorporated
13.8.1 企業情報
13.8.2 製品ラインナップおよび仕様
13.8.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.8.4 主な事業概要
13.8.5 最近の動向
13.9 uPI Semiconductor Corp.
13.9.1 企業情報
13.9.2 製品ラインナップおよび仕様
13.9.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.9.4 主な事業概要
13.9.5 最近の動向
13.10 ROHM株式会社
13.10.1 企業情報
13.10.2 製品ラインナップおよび仕様
13.10.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.10.4 主な事業概要
13.10.5 最近の動向
13.11 NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.
13.11.1 企業情報
13.11.2 製品ラインナップおよび仕様
13.11.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.11.4 主な事業概要
13.11.5 最近の動向
13.12 Nexperia B.V.
13.12.1 企業情報
13.12.2 製品ラインナップおよび仕様
13.12.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.12.4 主な事業概要
13.12.5 最近の動向
13.13 Navitas Semiconductor Corporation
13.13.1 企業情報
13.13.2 製品ラインナップおよび仕様
13.13.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.13.4 主な事業概要
13.13.5 最近の動向
13.14 EPC Space, LLC
13.14.1 企業情報
13.14.2 製品ラインナップおよび仕様
13.14.3 販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.14.4 主な事業概要
13.14.5 最近の動向

14 調査結果および結論

【調査レポートの図表一覧】

表一覧
表1. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別年間売上高CAGR（2021年、2025年、2032年）および（百万米ドル）
表2. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別年間売上高CAGR（2021年、2025年、2032年）および（百万米ドル）
表3. 100V未満の主要プレイヤー
表4. 100V～220Vの主要プレイヤー
表5. 220V～650Vの主要プレイヤー
表6. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表7. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別世界販売シェア（2021年～2026年）
表8. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別世界売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表9. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表10. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売価格（2021年～2026年）および（米ドル／台）
表11. 非絶縁ブートストラップ／レベルシフト・ドライバの主要プレイヤー
表12. ガルバニック絶縁デュアルチャネル・ドライバの主要プレイヤー
表13. デジタルアイソレータ＋ドライバ・アーキテクチャの主要プレイヤー
表14. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表15. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別販売シェア（2021年～2026年）
表16. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表17. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表18. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別販売価格（2021年～2026年）および（米ドル／台）
表19. 500kHz以下の主要プレイヤー
表20. 500kHz～1MHzの主要プレイヤー
表21. 1MHz～5MHzの主要プレイヤー
表22. 5MHz以上の主要プレイヤー
表23. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表24. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別販売シェア（2021年～2026年）
表25. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表26. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表27. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別販売価格（2021年～2026年）および（米ドル／台）
表28. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表29. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2021年～2026年）
表30. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表31. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表32. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売価格（2021年～2026年）および（米ドル／台）
表33. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表34. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別販売シェア（2021年～2026年）
表35. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表36. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表37. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別販売価格（2021年～2026年）および（米ドル／台）
表38. 主要メーカー GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ生産拠点分布および販売地域
表39. プレイヤー別 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ラインナップ
表40. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ集中度比率（CR3、CR5、CR10）および（2024年～2026年）
表41. 新製品および潜在的参入者
表42. 市場のM&A動向および戦略
表43. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表44. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売シェア（2021年～2026年）
表45. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表46. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表47. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別世界販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表48. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別販売シェア（2021年～2026年）
表49. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表50. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表51. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表52. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売シェア（2021年～2026年）
表53. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表54. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表55. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表56. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表57. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売シェア（2021年～2026年）
表58. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表59. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表60. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表61. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表62. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高（2021年～2026年）および（百万米ドル）
表63. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表64. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表65. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表66. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高市場シェア（2021年～2026年）
表67. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表68. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売台数（2021年～2026年）および（千台）
表69. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ主要市場ドライバーおよび成長機会
表70. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ主要市場の課題およびリスク
表71. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ主要業界動向
表72. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ原材料
表73. 主要原材料サプライヤー
表74. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ流通業者一覧
表75. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ顧客一覧
表76. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別世界販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表77. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表78. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表79. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別年間売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表80. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表81. アジア太平洋（APAC） GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別年間売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表82. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表83. ヨーロッパ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表84. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表85. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表86. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別世界販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表87. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表88. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別世界販売予測（2027年～2032年）および（千台）
表89. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別売上高予測（2027年～2032年）および（百万米ドル）
表90. Texas Instruments Incorporated 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表91. Texas Instruments Incorporated GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表92. Texas Instruments Incorporated GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表93. Texas Instruments Incorporated 主な事業内容
表94. Texas Instruments Incorporated 最新動向
表95. STMicroelectronics N.V. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表96. STMicroelectronics N.V. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表97. STMicroelectronics N.V. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表98. STMicroelectronics N.V. 主な事業内容
表99. STMicroelectronics N.V. 最新動向
表100. Monolithic Power Systems, Inc. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表101. Monolithic Power Systems, Inc. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表102. Monolithic Power Systems, Inc. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表103. Monolithic Power Systems, Inc. 主な事業内容
表104. Monolithic Power Systems, Inc. 最新動向
表105. Infineon Technologies AG 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表106. Infineon Technologies AG GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表107. Infineon Technologies AG GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表108. Infineon Technologies AG 主な事業内容
表109. Infineon Technologies AG 最新動向
表110. onsemi 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表111. onsemi GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表112. onsemi GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表113. onsemi 主な事業内容
表114. onsemi 最新動向
表115. Analog Devices, Inc. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表116. Analog Devices, Inc. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表117. Analog Devices, Inc. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表118. Analog Devices, Inc. 主な事業内容
表119. Analog Devices, Inc. 最新動向
表120. Renesas Electronics Corporation 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表121. Renesas Electronics Corporation GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表122. Renesas Electronics Corporation GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表123. Renesas Electronics Corporation 主な事業内容
表124. Renesas Electronics Corporation 最新動向
表125. 3PEAK Incorporated 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表126. 3PEAK Incorporated GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表127. 3PEAK Incorporated GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表128. 3PEAK Incorporated 主な事業内容
表129. 3PEAK Incorporated 最新動向
表130. uPI Semiconductor Corp. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表131. uPI Semiconductor Corp. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表132. uPI Semiconductor Corp. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表133. uPI Semiconductor Corp. 主な事業内容
表134. uPI Semiconductor Corp. 最新動向
表135. ROHM株式会社基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表136. ROHM株式会社 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表137. ROHM株式会社 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表138. ROHM株式会社主な事業内容
表139. ROHM株式会社最新動向
表140. NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表141. NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表142. NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表143. NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd. 主な事業内容
表144. NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd. 最新動向
表145. Nexperia B.V. 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表146. Nexperia B.V. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表147. Nexperia B.V. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表148. Nexperia B.V. 主な事業内容
表149. Nexperia B.V. 最新動向
表150. Navitas Semiconductor Corporation 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表151. Navitas Semiconductor Corporation GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表152. Navitas Semiconductor Corporation GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表153. Navitas Semiconductor Corporation 主な事業内容
表154. Navitas Semiconductor Corporation 最新動向
表155. EPC Space, LLC 基本情報、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造拠点、販売地域および競合他社
表156. EPC Space, LLC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製品ポートフォリオおよび仕様
表157. EPC Space, LLC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売実績（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表158. EPC Space, LLC 主な事業内容
表159. EPC Space, LLC 最新動向

図一覧
図1. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの写真
図2. 調査対象年度（GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ）
図3. 調査目的
図4. 調査方法論
図5. 調査プロセスとデータソース
図6. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ世界販売成長率（2021年～2032年）（千台）
図7. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ世界売上高成長率（2021年～2032年）（百万米ドル）
図8. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売台数（2021年、2025年、2032年）および（百万米ドル）
図9. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別販売シェア（2025年）
図10. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国／地域別販売シェア（2021年、2025年、2032年）
図11. 100V未満製品写真
図12. 100V～220V製品写真
図13. 220V～650V製品写真
図14. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別市場シェア（2026年）
図15. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図16. 非絶縁ブートストラップ／レベルシフト・ドライバ製品写真
図17. ガルバニック絶縁デュアルチャネル・ドライバ製品写真
図18. デジタルアイソレータ＋ドライバ・アーキテクチャ製品写真
図19. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別市場シェア（2026年）
図20. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ絶縁アーキテクチャ別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図21. 500kHz以下製品写真
図22. 500kHz～1MHz製品写真
図23. 1MHz～5MHz製品写真
図24. 5MHz以上製品写真
図25. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別市場シェア（2026年）
図26. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバスイッチング周波数帯域別売上高市場シェア（2021年～2026年）
図27. DC-DC／データセンター／テレコムパワーにおけるGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ消費状況
図28. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場：DC-DC／データセンター／テレコムパワー（2021年～2026年）（千台）
図29. AC-DCアダプターおよび電源におけるGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ消費状況
図30. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場：AC-DCアダプターおよび電源（2021年～2026年）（千台）
図31. モータードライブ／ロボティクスにおけるGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ消費状況
図32. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場：モータードライブ／ロボティクス（2021年～2026年）（千台）
図33. 再生可能エネルギー／蓄電／自動車用電源におけるGaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ消費状況
図34. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ市場：再生可能エネルギー／蓄電／自動車用電源（2021年～2026年）（千台）
図35. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2025年）
図36. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別売上高シェア（2025年）
図37. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別販売台数（2025年）（千台）
図38. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別販売シェア（2025年）
図39. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別売上高（2025年）（百万米ドル）
図40. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ会社別売上高シェア（2025年）
図41. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売シェア（2021年～2026年）
図42. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高シェア（2025年）
図43. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売（2021年～2026年）（千台）
図44. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高（2021年～2026年）（百万米ドル）
図45. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売（2021年～2026年）（千台）
図46. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高（2021年～2026年）（百万米ドル）
図47. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売（2021年～2026年）（千台）
図48. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高（2021年～2026年）（百万米ドル）
図49. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ販売（2021年～2026年）（千台）
図50. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高（2021年～2026年）（百万米ドル）
図51. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売シェア（2025年）
図52. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高シェア（2021年～2026年）
図53. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売シェア（2021年～2026年）
図54. 米州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2021年～2026年）
図55. 米国 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図56. カナダ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図57. メキシコ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図58. ブラジル GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図59. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売シェア（2025年）
図60. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高シェア（2021年～2026年）
図61. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売シェア（2021年～2026年）
図62. APAC GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2021年～2026年）
図63. 中国 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図64. 日本 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図65. 韓国 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図66. 東南アジア GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図67. インド GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図68. オーストラリア GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図69. 中国台湾 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図70. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売シェア（2025年）
図71. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別売上高シェア（2021年～2026年）
図72. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売シェア（2021年～2026年）
図73. 欧州 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2021年～2026年）
図74. ドイツ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図75. フランス GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図76. 英国 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図77. イタリア GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図78. ロシア GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図79. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ国別販売シェア（2021年～2026年）
図80. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売シェア（2021年～2026年）
図81. 中東・アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売シェア（2021年～2026年）
図82. エジプト GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図83. 南アフリカ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図84. イスラエル GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図85. トルコ GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図86. GCC諸国 GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ売上高成長（2021年～2026年）（百万米ドル）
図87. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造コスト構成分析（2026年）
図88. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ製造プロセス分析
図89. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ産業チェーン構造
図90. 流通チャネル
図91. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別販売市場予測（2027年～2032年）
図92. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ地域別売上高市場シェア予測（2027年～2032年）
図93. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別販売市場シェア予測（2027年～2032年）
図94. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ電圧別売上高市場シェア予測（2027年～2032年）
図95. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別販売市場シェア予測（2027年～2032年）
図96. GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバアプリケーション別売上高市場シェア予測（2027年～2032年）

※GaN（ガリウムナイトライド）用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは、高効率なパワーエレクトロニクス設計において重要な役割を果たします。GaN素子は、高いスイッチング速度と低いオン抵抗を持ち、優れた熱特性を有しています。そのため、従来のシリコン素子に比べて高い効率を実現し、システムの小型化や軽量化に寄与します。
ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは、2つのスイッチ素子（通常はNチャネルのFETまたはIGBT）を制御するために用いられる回路です。この構成は、AC信号を生成する際や、モーター駆動、DC-DCコンバータなど様々なアプリケーションで使用されます。ハーフブリッジ構成は、コスト効果が高く、シンプルな制御方式を提供します。

GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバの主な種類には、アイソレーティッド（絶縁型）、ノンアイソレーティッド（非絶縁型）、およびオープンループとクローズドループ制御が含まれます。アイソレーティッドドライバは、入力信号と出力信号の間に絶縁を提供し、高い耐圧を要求される用途に適しています。一方、ノンアイソレーティッドドライバは、コストやサイズの観点から選択されることが多く、一般的な動作条件下で広く利用されています。

GaNデバイスの特性を最大限に活かすためには、ゲート・ドライバは高速で信号を供給できることが重要です。具体的には、0から100Vのスイッチングにおいて数十ナノ秒以内での立ち上がりおよび立ち下がり時間の短縮が求められます。このために、適切なゲート抵抗の設定やスイッチングノードの管理が重要になります。また、オフ状態でのゲート電圧の保持や、過流保護、UVLO（Under Voltage Lockout）機能など、多くの保護機能が内蔵されていることが望ましいです。

用途としては、電源供給（AC-DC、DC-DC）、電動自動車のパワードライブ、再生可能エネルギーシステムのインバータ、工業用モーターコントローラーなどが挙げられます。特に、電動自動車分野では、軽量かつ高効率なパワーエレクトロニクスが求められるため、GaN技術が非常に有用です。

関連技術としては、ゲート・ドライバIC、パルス幅変調（PWM）制御、デジタル制御技術などがあります。特に、PWM制御技術は、電力変換効率を向上させるために必要不可欠です。さらに、マイコンやFPGAを用いたデジタル制御技術により、より精密かつ柔軟なパワーマネジメントが可能になります。

最近では、GaN素子の登場によって、パワーエレクトロニクスの設計が大きく進化しています。従来のシリコン技術では実現できなかった高周波数域での動作が可能であり、これにより電力密度やスイッチング周波数の向上が期待されます。しかし、その分、EMI（電磁干渉）や熱管理が課題として浮上してきます。これに対処するために、シミュレーション技術や熱解析技術が進化しており、設計者はより包括的にシステムを考慮する必要があります。

最後に、GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバは、今後ますます多くのアプリケーションにおいて重要な役割を果たすことでしょう。効率性や性能の向上はもちろん、より持続可能なエネルギーソリューションを提供するための要素として、広く受け入れられています。これにより、業界全体が変革を遂げる兆しが見えており、次世代のパワーエレクトロニクスのスタンダードとなる可能性があります。

• 英文レポート名：
• 日本語訳：GaN用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバのグローバル市場予測2026-2032（電圧クラス別：100V未満、100V～220V、220V～650V)
• レポートコード：MRCLPR8NB14709 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）