 | • レポートコード：MRCLPR8NB14686 • 出版社/出版日：LP Information / 2026年11月 • レポート形態：英文、PDF、136ページ • 納品方法：Eメール（納期：2-3営業日） • 産業分類：Electronics & Semiconductor |
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レポート概要
【調査レポートの概要】
■ 市場規模の予測
世界のパワーGaN基板ウェーハ市場規模は、2025年の1億4,300万米ドルから2032年には8億3,100万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年の間で年平均成長率（CAGR）29.2%で成長すると見込まれています。
■ 調査対象と現状
本レポートはパワーGaN基板ウェーハを対象としています。現在の主要なGaNパワーウェーハは、GaN on Siウェーハです。
窒化ガリウム（GaN）は、次世代パワー半導体および高周波デバイス向けの広帯域ギャップ材料として用いられています。
GaN on Siウェーハは、パワーおよび5G/RFアプリケーションの両方に使用されており、DモードGaN-on-Si HEMTおよびEモードGaN-on-Si HEMTなどがあります。
主要サイズは現在6インチGaN Siウェーハであり、8インチGaN Siウェーハの成長がより速いと予測されています。
■ 市場規模の比較と競合企業
市場規模の観点から見ると、現在GaNパワーデバイスはSiCパワーデバイスの約十分の一の規模です。SiCパワーデバイス市場はSTマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード、ローム、オンセミ、BYDセミコンダクターが支配しています。
GaNパワーデバイスは近年急速に成長しており、多数の企業が業界に参入しています。GaNパワーデバイス市場はInnoscience、インフィニオン（GaN Systems）、パワーインテグレーションズ、ナビタスセミコンダクター、エフィシェントパワーコンバージョンコーポレーション（EPC）、ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）などが主導しており、その中でInnoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーです。
■ レポートの内容と分析概要
LPインフォメーション社（LPI）の最新調査レポート「パワーGaN基板ウェーハ産業予測」では、過去の販売実績を調査し、2025年の世界のパワーGaN基板ウェーハ販売をレビューしています。さらに、2026年から2032年までの地域別および市場セクター別の販売予測を提供しています。
パワーGaN基板ウェーハの販売を地域別、市場セクターおよびサブセクターに分類し、米ドルベースで詳細に分析しています。
本インサイトレポートは、世界のパワーGaN基板ウェーハ市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A動向といった主要トレンドを強調しています。
また、主要グローバル企業の戦略、特にパワーGaN基板ウェーハの製品ポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジション、地理的展開に焦点を当てて分析し、加速する世界市場におけるこれら企業の独自の立ち位置を理解するための資料となっています。
本レポートは、市場の主要トレンド、成長要因、影響因子を評価し、パワーGaN基板ウェーハの世界的な見通しを形成しています。タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に詳細な予測を行い、新たな成長機会の発掘に寄与します。
数百件のボトムアップの質的・量的市場データに基づく透明な手法で作成されているため、現在の市場状況と将来の動向をきめ細かく洞察できます。
■ 市場概要とセグメンテーション
パワーGaN基板ウェーハ市場の総合的な概要、市場シェア、成長機会を、製品タイプ、用途、主要メーカー、地域・国別に示しています。
【タイプ別セグメンテーション】
・6インチGaN-on-Siウェーハ
・8インチGaN-on-Siウェーハ
・12インチGaN-on-Siウェーハ
・その他
【用途別セグメンテーション】
・コンシューマーエレクトロニクス
・産業機器
・テレコム＆データコム
・自動車用電子機器
・防衛・航空宇宙
・再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵
・その他
【地域別市場区分】
・アメリカ大陸
- 米国
- カナダ
- メキシコ
- ブラジル
・アジア太平洋（APAC）
- 中国
- 日本
- 韓国
- 東南アジア
- インド
- オーストラリア
・ヨーロッパ
- ドイツ
- フランス
- 英国
- イタリア
- ロシア
・中東・アフリカ
- エジプト
- 南アフリカ
- イスラエル
- トルコ
- GCC諸国（湾岸協力会議諸国）
■ プロファイリングされた主要企業
以下の企業は、主要専門家からの情報収集および企業の製品ポートフォリオ、市場浸透度分析に基づき選定されています。
・IQE
・Soitec（EpiGaN）
・Transphorm Inc.
・住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）
・NTTアドバンストテクノロジ（NTT-AT）
・DOWAエレクトロニクスマテリアルズ
・BTOZ
・Episil-Precision Inc
・Epistar Corp.
・Enkris Semiconductor Inc
・Innoscience
・China Resources Microelectronics Limited
・CorEnergy
・蘇州南威科学技術
・青島コヘニウスマイクロエレクトロニクス
・陝西宇騰電子技術
・Sanan Optoelectronics
・IVWorks
■ 本レポートが回答する主要な質問
・世界のパワーGaN基板ウェーハ市場の10年間の展望は？
・世界および地域別にパワーGaN基板ウェーハ市場成長を促進する要因は？
・市場および地域別で最も成長が見込まれる技術は？
・エンドマーケットサイズ別にパワーGaN基板ウェーハ市場の機会はどのように異なるか？
・パワーGaN基板ウェーハ市場はタイプ別、用途別でどのように分類されているか？
1 レポートの範囲
1.1 市場の概要
1.2 対象期間
1.3 調査目的
1.4 市場調査の方法論
1.5 調査プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 対象通貨
1.8 市場推計に関する注意事項
2 エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場の概要
2.1.1 2021年～2032年 グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間販売量
2.1.2 2021年、2025年、2032年 地域別パワーGaN基板ウェーハの現状と将来分析
2.1.3 2021年、2025年、2032年 国/地域別パワーGaN基板ウェーハの現状と将来分析
2.2 タイプ別パワーGaN基板ウェーハセグメント
2.2.1 6インチGaN-on-Siウェーハ
2.2.2 8インチGaN-on-Siウェーハ
2.2.3 12インチGaN-on-Siウェーハ
2.2.4 その他
2.2.5 タイプ別パワーGaN基板ウェーハ販売
2.2.5.1 2021年～2026年 タイプ別グローバルパワーGaN基板ウェーハ販売市場シェア
2.2.5.2 2021年～2026年 タイプ別グローバルパワーGaN基板ウェーハ収益と市場シェア
2.2.5.3 2021年～2026年 タイプ別グローバルパワーGaN基板ウェーハ販売価格
2.3 用途別パワーGaN基板ウェーハセグメント
2.3.1 コンシューマーエレクトロニクス
2.3.2 工業
2.3.3 通信・データ通信
2.3.4 自動車用電子機器
2.3.5 防衛・航空宇宙
2.3.6 再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵
2.3.7 その他
2.3.8 用途別パワーGaN基板ウェーハ販売
2.3.8.1 2021年～2026年 用途別グローバルパワーGaN基板ウェーハ販売市場シェア
2.3.8.2 2021年～2026年 用途別グローバルパワーGaN基板ウェーハ収益と市場シェア
2.3.8.3 2021年～2026年 用途別グローバルパワーGaN基板ウェーハ販売価格
3 企業別グローバル分析
3.1 企業別パワーGaN基板ウェーハデータの内訳
3.1.1 2021年～2026年 企業別パワーGaN基板ウェーハ年間販売量
3.1.2 2021年～2026年 企業別パワーGaN基板ウェーハ販売市場シェア
3.2 企業別パワーGaN基板ウェーハ年間収益（2021年～2026年）
3.2.1 企業別パワーGaN基板ウェーハ収益（2021年～2026年）
3.2.2 企業別パワーGaN基板ウェーハ収益市場シェア（2021年～2026年）
3.3 企業別パワーGaN基板ウェーハ販売価格
3.4 主要メーカーのパワーGaN基板ウェーハ生産拠点分布、販売エリア、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーのパワーGaN基板ウェーハ製品所在地分布
3.4.2 各社のパワーGaN基板ウェーハ製品ラインナップ
3.5 市場集中度分析
3.5.1 競争環境分析
3.5.2 集中率（CR3、CR5、CR10）および2024年～2026年の推移
3.6 新製品と潜在的参入者
3.7 市場のM&A活動と戦略
4 地域別パワーGaN基板ウェーハの世界過去検証
4.1 地域別世界パワーGaN基板ウェーハ市場規模の推移（2021年～2026年）
4.1.1 地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間販売量（2021年～2026年）
4.1.2 地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間収益（2021年～2026年）
4.2 国・地域別世界パワーGaN基板ウェーハ市場規模の推移（2021年～2026年）
4.2.1 国・地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間販売量（2021年～2026年）
4.2.2 国・地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間収益（2021年～2026年）
4.3 アメリカ大陸のパワーGaN基板ウェーハ販売成長
4.4 アジア太平洋地域のパワーGaN基板ウェーハ販売成長
4.5 ヨーロッパのパワーGaN基板ウェーハ販売成長
4.6 中東・アフリカのパワーGaN基板ウェーハ販売成長
5 アメリカ大陸
5.1 アメリカ大陸のパワーGaN基板ウェーハ販売国別分析
5.1.1 2021年～2026年 アメリカ大陸の国別パワーGaN基板ウェーハ販売量
5.1.2 2021年～2026年 アメリカ大陸の国別パワーGaN基板ウェーハ収益
5.2 2021年～2026年 アメリカ大陸のタイプ別パワーGaN基板ウェーハ販売
5.3 2021年～2026年 アメリカ大陸の用途別パワーGaN基板ウェーハ販売
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋地域（APAC）
6.1 APACの地域別パワーGaN基板ウェーハ販売
6.1.1 2021年～2026年 APACの地域別販売量
6.1.2 2021年～2026年 APACの地域別収益
6.2 2021年～2026年 APACのタイプ別パワーGaN基板ウェーハ販売
6.3 2021年～2026年 APACの用途別パワーGaN基板ウェーハ販売
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 台湾（中国）
7 ヨーロッパ
7.1 ヨーロッパの国別パワーGaN基板ウェーハ
7.1.1 2021年～2026年 ヨーロッパの国別販売量
7.1.2 2021年～2026年 ヨーロッパの国別収益
7.2 2021年～2026年 ヨーロッパのタイプ別パワーGaN基板ウェーハ販売
7.3 2021年～2026年 ヨーロッパの用途別パワーGaN基板ウェーハ販売
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 中東・アフリカの国別パワーGaN基板ウェーハ
8.1.1 2021年～2026年 中東・アフリカの国別販売量
8.1.2 2021年～2026年 中東・アフリカの国別収益
8.2 2021年～2026年 中東・アフリカのタイプ別パワーGaN基板ウェーハ販売
8.3 2021年～2026年 中東・アフリカの用途別パワーGaN基板ウェーハ販売
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場の推進要因、課題およびトレンド
9.1 市場の推進要因と成長機会
9.2 市場の課題とリスク
9.3 業界トレンド
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料及び供給業者
10.2 パワーGaN基板ウェーハの製造コスト構造分析
10.3 パワーGaN基板ウェーハの製造プロセス分析
10.4 パワーGaN基板ウェーハの産業チェーン構造
11 マーケティング、流通業者および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直接チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 パワーGaN基板ウェーハの流通業者
11.3 パワーGaN基板ウェーハの顧客
12 地域別世界予測レビュー
12.1 地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ市場規模予測
12.1.1 2027年～2032年 地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ予測
12.1.2 2027年～2032年 地域別グローバルパワーGaN基板ウェーハ年間収益予測
12.2 2027年～2032年 アメリカ予測（国別）
12.3 2027年～2032年 APAC予測（地域別）
12.4 2027年～2032年 ヨーロッパ予測（国別）
12.5 2027年～2032年 中東・アフリカ予測（国別）
12.6 2027年～2032年 タイプ別グローバルパワーGaN基板ウェーハ予測
12.7 2027年～2032年 用途別グローバルパワーGaN基板ウェーハ予測
13 主要企業分析
13.1 IQE
13.1.1 IQE会社情報
13.1.2 IQEパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.1.3 IQEパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格および粗利益率（2021年～2026年）
13.1.4 IQE主な事業概要
13.1.5 IQE最新動向
13.2 Soitec（EpiGaN）
13.2.1 Soitec（EpiGaN）会社情報
13.2.2 Soitec（EpiGaN）パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.2.3 Soitec（EpiGaN）パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格および粗利益率（2021年～2026年）
13.2.4 Soitec（EpiGaN）主な事業概要
13.2.5 Soitec（EpiGaN）最新動向
13.3 Transphorm Inc.
13.3.1 Transphorm Inc.会社情報
13.3.2 Transphorm Inc.パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.3.3 Transphorm Inc.パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格および粗利益率（2021年～2026年）
13.3.4 Transphorm Inc.主な事業概要
13.3.5 Transphorm Inc.最新動向
13.4 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）
13.4.1 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）会社情報
13.4.2 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.4.3 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.4.4 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）主な事業概要
13.4.5 住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）最新動向
13.5 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）
13.5.1 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）会社情報
13.5.2 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.5.3 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.5.4 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）主な事業概要
13.5.5 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）最新動向
13.6 DOWAエレクトロニクス材料
13.6.1 DOWAエレクトロニクス材料会社情報
13.6.2 DOWAエレクトロニクス材料パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.6.3 DOWAエレクトロニクス材料パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.6.4 DOWAエレクトロニクス材料主な事業概要
13.6.5 DOWAエレクトロニクス材料最新動向
13.7 BTOZ
13.7.1 BTOZ会社情報
13.7.2 BTOZパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.7.3 BTOZパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.7.4 BTOZ主な事業概要
13.7.5 BTOZ最新動向
13.8 Episil-Precision Inc
13.8.1 Episil-Precision Inc会社情報
13.8.2 Episil-Precision IncパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.8.3 Episil-Precision IncパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.8.4 Episil-Precision Inc主な事業概要
13.8.5 Episil-Precision Inc最新動向
13.9 Epistar Corp.
13.9.1 Epistar Corp.会社情報
13.9.2 Epistar Corp.パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.9.3 Epistar Corp.パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.9.4 Epistar Corp.主な事業概要
13.9.5 Epistar Corp.最新動向
13.10 Enkris Semiconductor Inc
13.10.1 Enkris Semiconductor Inc会社情報
13.10.2 Enkris Semiconductor IncパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.10.3 Enkris Semiconductor IncパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.10.4 Enkris Semiconductor Inc主な事業概要
13.10.5 Enkris Semiconductor Inc最新動向
13.11 Innoscience
13.11.1 Innoscience会社情報
13.11.2 InnoscienceパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.11.3 InnoscienceパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.11.4 Innoscience主な事業概要
13.11.5 Innoscience最新動向
13.12 China Resources Microelectronics Limited
13.12.1 China Resources Microelectronics Limited会社情報
13.12.2 China Resources Microelectronics LimitedパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.12.3 China Resources Microelectronics LimitedパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.12.4 China Resources Microelectronics Limited主な事業概要
13.12.5 China Resources Microelectronics Limited最新動向
13.13 CorEnergy
13.13.1 CorEnergy会社情報
13.13.2 CorEnergyパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.13.3 CorEnergyパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.13.4 CorEnergy主な事業概要
13.13.5 CorEnergy最新動向
13.14 蘇州Nanowin Science and Technology
13.14.1 蘇州Nanowin Science and Technology会社情報
13.14.2 蘇州Nanowin Science and TechnologyパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.14.3 蘇州Nanowin Science and TechnologyパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.14.4 蘇州Nanowin Science and Technology主な事業概要
13.14.5 蘇州Nanowin Science and Technology最新動向
13.15 青島Cohenius Microelectronics
13.15.1 青島Cohenius Microelectronics会社情報
13.15.2 青島Cohenius MicroelectronicsパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.15.3 青島Cohenius MicroelectronicsパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.15.4 青島Cohenius Microelectronics主な事業概要
13.15.5 青島Cohenius Microelectronics最新動向
13.16 陝西Yuteng Electronic Technology
13.16.1 陝西Yuteng Electronic Technology会社情報
13.16.2 陝西Yuteng Electronic TechnologyパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.16.3 陝西Yuteng Electronic TechnologyパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.16.4 陝西Yuteng Electronic Technology主な事業概要
13.16.5 陝西Yuteng Electronic Technology最新動向
13.17 三安光電（Sanan Optoelectronics）
13.17.1 三安光電会社情報
13.17.2 三安光電パワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.17.3 三安光電パワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.17.4 三安光電主な事業概要
13.17.5 三安光電最新動向
13.18 IVWorks
13.18.1 IVWorks会社情報
13.18.2 IVWorksパワーGaN基板ウェーハ製品ポートフォリオと仕様
13.18.3 IVWorksパワーGaN基板ウェーハ販売、収益、価格及び粗利益率（2021年～2026年）
13.18.4 IVWorks主な事業概要
13.18.5 IVWorks最新動向
14 調査結果と結論
| ※パワーGaN基板ウェーハは、ガリウムナイトライド（GaN）を基にした半導体材料であり、主に高電力、高効率の電子デバイスに利用されます。GaNはその優れた電子輸送特性と熱伝導性によって、特にパワーエレクトロニクスの分野で注目されており、従来のシリコン（Si）デバイスに比べて性能が向上することが期待されています。 まず、パワーGaN基板ウェーハの種類について説明します。一般的には、GaN基板はサファイア、シリコン、シリコンカーバイド（SiC）などの異なる基板上に成長させることができます。サファイア基板は、GaNの成長が容易でコストが低いため広く使用されていますが、熱伝導性があまり良くないため、高出力デバイスには限界があります。シリコン基板は、既存のCMOS技術と互換性があるため魅力的ですが、GaNの特性を最大限に引き出すには工夫が必要です。SiC基板は、高い熱伝導性と耐圧性を持っており、高温環境でも安定した動作が期待できるため、高出力アプリケーションに適しています。 用途に関しては、パワーGaN基板ウェーハが使用される分野は非常に広範です。特に、電力変換、無線通信、電気自動車（EV）やハイブリッド車のパワーエレクトロニクス、再生可能エネルギーシステム、LED照明、レーザーなどにおいて重要な役割を果たします。例えば、GaNを使用した電源コンバータは、電力損失を抑えることができるため、より小型かつ軽量なデザインが可能となります。また、無線通信システムでは、GaNベースのパワーアンプが高効率で広帯域幅を提供することができ、5G技術の実現にも寄与しています。 関連技術についても触れておく必要があります。パワーGaNデバイスの製造には、いくつかの先進的な技術が関与しています。例えば、分子線エピタキシー（MBE）や金属有機化学気相成長（MOCVD）といった成長技術が使われ、これにより高品質なGaN層が形成されます。また、パワーGaNデバイスのパッケージング技術も重要です。高温耐性や放熱特性を考慮したパッケージングが求められるため、特殊な素材や構造が必要とされます。 最近では、GaN材料を用いた多層構造やヘテロ接合技術も研究が進んでおり、さらなる性能向上が期待されています。このような新しい技術の進展により、パワーGaN基板ウェーハの性能や信頼性は向上し、より幅広いアプリケーションに対応可能となっています。 一方で、パワーGaN基板ウェーハの製造プロセスには、依然として課題が残っています。特に、コストの問題は重要であり、GaNデバイスの普及を妨げる要因となっています。また、製造過程での不良率や歩留まり向上にも取り組む必要があります。 今後の展望としては、GaNデバイスのさらなる小型化、高効率化、そして低コスト化が鍵となるでしょう。これは、持続可能なエネルギーソリューションの実現に向けた重要なステップともなります。再生可能エネルギーや電動モビリティの発展に伴い、パワーGaN基板ウェーハの需要は増加し続けると考えられています。 このように、パワーGaN基板ウェーハは、次世代のエレクトロニクス分野において非常に重要な素材であり、今後もさらなる革新が期待されています。様々な技術とアプリケーションの融合が促進されることで、私たちの生活におけるエネルギー効率の向上やデバイスの性能向上に寄与することができるでしょう。 |
• 日本語訳：パワーGaN基板ウェーハのグローバル市場予測2026-2032（タイプ別：6インチGaN-on-Siウェハー、8インチGaN-on-Siウェハー、12インチGaN-on-Siウェハー、その他)
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