 | • レポートコード：MRC6TCOQ01905 • 出版社/出版日：QYResearch / 2026年10月 • レポート形態：英文、PDF、155ページ • 納品方法：Eメール（納期：3営業日） • 産業分類：機械＆装置 |
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レポート概要
シリコンカーバイド（SiC）および窒化ガリウム（GaN）向け物理気相成長（PVD）装置の世界市場は、主要な製品セグメントと多様な最終用途アプリケーションに牽引され、2025年の12億7,600万米ドルから2032年には23億2,800万米ドルへ、年平均成長率（CAGR）7.6%（2026年～2032年）で成長すると予測されています。
2025年において、SiCおよびGaN向けPVD装置の世界生産台数は約1,215台に達し、平均価格は1台あたり105万米ドルでした。
SiCおよびGaN向けPVD装置とは、シリコンカーバイドおよび窒化ガリウム半導体デバイスの製造に使用される真空薄膜成膜システムを指します。このシステムでは、材料が固体または蒸気源から物理的に転送され、デバイスウェーハ上に成膜されて機能性薄膜を形成します。
この装置は主に、SiCおよびGaNデバイス処理において必要とされる表面メタライゼーション、裏面メタライゼーション、オーミックおよびショットキー接点、ゲートおよび相互接続金属、バリアまたはシード層、炭素保護層、その他の機能性薄膜のために使用されます。
一般的なシステムには、高真空プロセスチャンバー、スパッタリングまたは蒸着源、ウェーハハンドリング、前処理洗浄および熱処理モジュール、プロセス制御、および自動化機能が統合されています。
主要な仕様には、対応ウェーハ径、膜厚均一性、成膜速度、パーティクル性能、真空度、ウェーハ温度対応能力、膜応力、生産スループットが含まれます。
本調査では、SiCおよびGaN向けPVD装置を成膜技術により、マグネトロンスパッタリングPVD装置、イオン化PVD装置、蒸着PVD装置、その他のPVD装置に分類し、主な用途はSiC MOSFET、SiCダイオード、GaN HEMT、GaNパワーデバイス、GaN RFデバイス、および関連する化合物半導体R&Dおよび生産ラインです。
**主要な調査結果**
マグネトロンスパッタリングは、SiCおよびGaNデバイス製造におけるメタライゼーションおよび機能性薄膜形成の主要なPVD技術経路を代表しています。
SiCパワーデバイス製造は、特殊なウェーハハンドリング、裏面メタライゼーション接点形成、および炭素保護膜成膜に対する需要を牽引しています。
GaN PVDアプリケーションは、従来のメタライゼーションから接点、機能層、および新興のスパッタ成膜化合物半導体膜へと拡大しています。
装置競争は、プロセス安定性、膜厚均一性、ウェーハハンドリング、生産性、および複数の真空プロセスモジュールの統合にますます集中しています。
**市場動向**
SiCおよびGaN向けPVD装置は、従来の半導体PVDプラットフォームを改良したものから、ワイドバンドギャップ半導体製造に特化して最適化されたプロセスアーキテクチャへと進化しています。
SiC生産は、透明または半透明ウェーハのハンドリング、ウェーハ反り、薄くなった処理済みウェーハ、裏面メタライゼーション、高温プロセス適合性、およびイオン注入後の炭素保護に関連する独自の要件を生み出しています。一方、GaNデバイスは、厳密に制御された接点金属、ゲート構造、シード層、その他の機能性薄膜を必要とします。
アプライドマテリアルズは透明SiCウェーハ向けにEnduraウェーハハンドリングを強化し、KLAのSPTS Sigma PVDプラットフォームはパワーデバイス向け金属成膜に対応し、アルバックはそのSiCプロセスポートフォリオ内で専用のスパッタリングおよび蒸着システムを提供しており、エヴァテックはSiCとGaNの両パワーデバイス向けにPVD技術を明示的に開発しています。
より広範な技術の方向性としては、クラスターベースの真空統合、低汚染、厳密な膜応力制御、および表面および裏面処理における柔軟性の向上が挙げられます。
GaNについては、PVDは従来の金属成膜を超えて拡大しており、スパッタGaNや格子整合またはシード層プロセスに関わる開発作業が行われています。これは、PVDが将来の化合物半導体薄膜積層体のより広範な部分に貢献する可能性を示しています。
**[市場の原動力]**
**推進要因**
主要な需要牽引要因は、SiCおよびGaNパワー・RF半導体製造の継続的な産業化です。
SiCデバイスは、表面接点、裏面構造、および関連インターフェースにわたる複数の金属および機能性薄膜成膜工程を必要とします。一方、ウェーハ径の大型化と高容量生産は、繰り返し性、自動ウェーハハンドリング、およびスループットに対する要件を高めています。
KLAは、パワー半導体デバイスにおける厚い表面導体層および多層裏面メタライゼーションにとってPVDが重要なプロセスであると述べており、一方エヴァテックは、PVDシステムをパワー・トランジスタおよびダイオードの大量生産向けに位置付けています。
GaNは、パワーエレクトロニクスおよびRFアプリケーションを通じて、別の成長局面を加えています。これらの分野では、接点形成やその他の特殊な薄膜を、組成、応力、および界面品質を厳密に制御しながら成膜する必要があります。
したがって、ワイドバンドギャップデバイスが特殊生産からますます標準化された製造へと移行することで、単なる研究室用成膜ツールだけでなく、生産グレードのPVDプラットフォームへの投資が支持されています。
**阻害要因**
SiCおよびGaN向けPVD装置は、比較的高い装置およびプロセス開発の障壁に直面しています。
ワイドバンドギャップウェーハは、従来のシリコンとは異なるハンドリング特性を示すことがあり、デバイス性能は接点抵抗、膜密着性、応力、汚染、および熱履歴に敏感です。
したがって、プロセスチャンバー、ターゲット、ウェーハハンドリング、および前処理モジュールは、個々の膜積層体およびデバイスアーキテクチャに合わせて最適化する必要があり、これにより認定時間とエンジニアリングコストが増加します。
生産装置には、長期間の製造サイクルにわたる高い真空信頼性、パーティクル制御、予防保全、および安定したターゲット利用も必要です。
さらに、PVDは選択された機能性薄膜に関して代替の成膜技術と競合するため、対象となるプロセスシェアは、単にSiCおよびGaNウェーハ生産量の増加だけでなく、材料要件とデバイス設計に依存します。
**機会**
最も魅力的な機会は、SiCウェーハ生産の拡大、デバイスの複雑化、およびPVDの追加的なGaN機能性薄膜への拡張に関連しています。
SiC製造は、特殊な裏面金属積層体、表面接点層、および炭素キャッピングまたは保護成膜をますます必要としており、専用モジュールおよび多チャンバープラットフォームの機会を創出しています。
エヴァテックは、SiCおよびGaNパワーデバイスにおける金属、接点、圧電体、誘電体向けのPVDソリューションを明示的に示しており、一方アルバックは、そのパワーデバイスプロセスポートフォリオ内でスパッタリングと蒸着システムを組み合わせています。
GaNについては、GaNの新しいスパッタベース成膜や格子整合またはシード層が、製造性能と経済性が引き続き向上すれば、PVDの役割をメタライゼーションを超えて広げる可能性があります。
別の機会は、クラスターアーキテクチャ内で前処理洗浄、加熱、冷却、および複数の成膜モジュールを統合することにあります。これにより、重要なプロセスステップ間の大気暴露が減少し、装置サプライヤーは製造ラインあたりでより多くの価値を獲得できるようになります。
**課題**
中心的な課題は、技術的に実現可能なPVDプロセスを、ますます要求の厳しくなるSiCおよびGaNデバイス構造全体で、安定した高歩留まりの生産レシピに変換することです。
膜厚、組成、界面清浄度、および応力は、ウェーハ全体およびロット間で厳密に制御される必要があります。一方、パワーデバイスウェーハは、反り、薄化、および裏面処理に関連する追加の課題をもたらす可能性があります。
装置メーカーはまた、歩留まりや生産性を損なうことなく、進化するウェーハ径をサポートする必要があります。
GaNにおいては、競合する成膜アプローチの範囲と、RFおよびパワーデバイスアーキテクチャの多様性が、最終的にどの機能層がスパッタリングまたは他のPVD手法に移行するかに関して、さらなる不確実性を生み出しています。
したがって、サプライヤーは真空装置エンジニアリングに加えて強力なプロセス開発能力を必要とし、顧客は、公称成膜仕様のみに基づいてではなく、実証されたデバイスレベルの結果、稼働時間、サービス対応、および生産経済性に基づいて装置を評価することが増えています。
**産業チェーン分析**
SiCおよびGaN向けPVD装置の上流産業チェーンには、真空チャンバー、真空ポンプ、バルブ、マスフローおよび圧力制御コンポーネント、スパッタリングカソード、蒸着源、RFおよびDC電源、ターゲットおよび蒸着材料、ヒーター、静電または機械式ウェーハチャック、ウェーハ搬送ロボット、センサー、およびプロセス制御エレクトロニクスが含まれます。
半導体グレードの金属および化合物ターゲットは、その純度、微細構造、およびターゲット利用率が膜品質と運用コストに影響を与えるため、重要な消耗品です。
クラスターアーキテクチャの使用増加は、搬送チャンバー、ロードロック、前処理洗浄モジュール、および統合された真空制御システムの重要性も高めています。
KLAのSigmaプラットフォームは、クラスター環境内での前処理とPVDの統合をサポートしており、一方アルバックは、PVDと加熱、冷却、前処理洗浄機能を組み合わせることができる多チャンバープラットフォームを提供しています。
中流の装置メーカーは、真空システム設計、プロセス源エンジニアリング、ウェーハハンドリング、膜厚均一性制御、レシピ開発、および複数の成膜および前処理ステップの統合を通じて価値を創出します。
下流の顧客は、SiCおよびGaNウェーハファブ、統合デバイスメーカー、ファウンドリ、化合物半導体生産者、およびR&Dまたはパイロット施設です。
装置の経済的価値は、プロセス認定と設置済みベースのサポートに強く結びついています。なぜなら、顧客は生産全体を通じて安定したレシピ、スペアパーツ、チャンバーメンテナンス、およびターゲット管理サービスを必要とするからです。
SiCおよびGaN製造が規模を拡大するにつれて、競争上の優位性は、装置の信頼性とデバイス固有のプロセス専門知識および世界のフィールドサービス能力を組み合わせる能力にますます依存するようになります。
**セグメント分析**
成膜技術別では、SiCおよびGaN向けPVD装置市場は、マグネトロンスパッタリングPVD装置、イオン化PVD装置、蒸着PVD装置、およびその他のPVD装置に分類されます。
マグネトロンスパッタリングは、高均一性で自動半導体製造と互換性のある、金属およびその他の機能性材料の制御された成膜をサポートするため、最も広範な技術基盤を形成しています。
生産用スパッタリングプラットフォームは、表面および裏面メタライゼーション、接点層、UBM関連構造、およびその他のデバイス膜に広く使用されています。
アルバックのパワーデバイスポートフォリオには専用のスパッタリングシステムが含まれており、一方KLAのSigma PVDプラットフォームは、半導体およびパワーデバイスアプリケーション向けに導電性および絶縁性層を成膜します。
イオン化PVDは、入射する材料フラックスとステップカバレッジに対する追加的な制御を提供し、デバイス構造が強化された底部または側壁カバレッジと低温処理を必要とする場合に価値があります。
アプライドマテリアルズのハイイオン化PVD技術は、高度な金属成膜におけるプラズマアシスト制御の役割を示しています。
蒸着は、材料特性、成膜速度、または膜要件が熱または電子ビーム蒸着に有利な、特定の金属積層体および化合物半導体プロセスにとって依然として重要です。
したがって、技術構成は単一の普遍的な成膜方法ではなく、個々のデバイス構造を反映していますが、スパッタリングはSiCおよびGaN製造全体で最も広範に適用可能な経路であり続けています。
**下流市場の機会**
SiCパワーデバイスは、SiCおよびGaN向けPVD装置にとって最も明確な下流機会の一つを表しています。なぜなら、MOSFET、ショットキーダイオード、および関連デバイスは、特殊な裏面プロセスを含む複数の接点およびメタライゼーション工程を必要とするからです。
アプライドマテリアルズ、エヴァテック、KLA/SPTS、およびアルバックはすべて、パワーデバイス処理に関連するPVD機能を開発しており、この製造セグメントにおける装置集約度の高まりを示しています。
GaNパワーデバイスおよびGaN RFデバイスは、オーミック接点、ゲートメタライゼーション、および機能性薄膜の要件を通じて別の機会を提供し、新しいスパッタGaNプロセスは、生産で採用されれば追加の装置需要を生み出す可能性があります。
R&Dおよびパイロットラインは、ワイドバンドギャップ半導体メーカーが、プロセスを大量生産に移管する前に新しい材料、接点スキーム、およびデバイス構造の開発を続けているため、商業的に引き続き重要です。
**地域別分析**
アジア太平洋地域は、SiCおよびGaN向けPVD装置にとって戦略的に重要な製造地域です。なぜなら、この地域は、大規模な半導体装置製造能力と、拡大するSiCおよびGaNデバイスへの投資を兼ね備えているからです。
日本はアルバックやキヤノンアネルバなどのサプライヤーを通じて確立された真空および半導体装置の専門知識を維持している一方、中国はNAURA、広東匯成真空、SJI-SEMIなどの確認されたサプライヤーを通じて国内のPVD装置能力を開発しています。
台湾のSkytechも化合物半導体PVD装置に参加しています。
この地域的なサプライヤーの拡大は、ワイドバンドギャップ半導体生産ラインの現地化機会を増やす一方で、コスト、納期、および国内技術サポートを巡る競争を高めています。
北米およびヨーロッパは、ハイエンドのプロセス装置およびプロセス開発において強力な地位を維持しています。
アプライドマテリアルズとKLA/SPTSは半導体スケールの成膜プラットフォームを提供しており、一方エヴァテックとPlasma-Thermは、特殊な化合物半導体およびパワーデバイス能力に貢献しています。
エヴァテックは、新しいGaN成膜プロセスを含むSiCおよびGaNパワーデバイスPVDに明示的に対応しており、高度な薄膜開発におけるヨーロッパの継続的な役割を示しています。
したがって、地域競争は重点が異なります。北米およびヨーロッパのサプライヤーは一般的にプロセス専門知識と確立された半導体の設置ベースから恩恵を受けている一方、アジアのサプライヤーは現地製造、顧客との近接性、および拡大するワイドバンドギャップ半導体エコシステムをますます組み合わせています。
**競合情勢分析**
SiCおよびGaN向けPVD装置の競合情勢は、大手半導体製造装置企業、確立された真空技術グループ、および専門PVDサプライヤーが組み合わされています。
アプライドマテリアルズとKLA/SPTSは、半導体グレードのPVDプラットフォームと広範な設置ベースのプロセス専門知識を通じて参加しています。エヴァテックは、SiCおよびGaNパワーデバイス向けの薄膜技術において集中的な地位を確立しています。アルバックは、スパッタリング、蒸着、およびその他のプロセス装置を幅広いパワーデバイスポートフォリオ内で組み合わせています。
NAURA、広東匯成真空、SJI-SEMI、およびSkytechは、アジアのサプライヤーベースを広げており、一方KDF Technologies、PVD Products、およびPlasma-Thermは、より専門的な装置アプローチを代表しています。
キヤノンアネルバも、確立された半導体スパッタリング能力に貢献しています。
競争はますます、ワイドバンドギャップウェーハを確実に処理する能力、アプリケーション固有の膜積層体を認定する能力、低パーティクルおよび安定した膜特性を維持する能力、表面および裏面プロセスを統合する能力、および生産立ち上げ期間中に顧客をサポートする能力によって決定されます。
大手半導体装置グループは、プロセス統合、設置ベースのサービス、および製造規模から恩恵を受ける一方、専門サプライヤーは、アプリケーションの柔軟性、カスタマイズされたチャンバー構成、および特定のSiCまたはGaNプロセスに関するより迅速な開発を通じて差別化を図ることができます。
デバイス製造が成熟するにつれて、持続的な差別化は、基本的なPVDの利用可能性よりも、生産歩留まり、稼働時間、プロセス繰り返し性、および総所有コストに依存する可能性が高くなります。
**レポートの範囲**
この決定版レポートは、ビジネスリーダー、意思決定者、およびステークホルダーに対し、SiCおよびGaN向けPVD装置の世界市場を360°の視点から提供し、バリューチェーン全体にわたる生産能力と販売実績をシームレスに統合しています。過去の生産量、収益、および販売データ（2021年～2025年）を分析し、2032年までの予測を提供することで、需要動向と成長要因を明らかにしています。
本調査は、市場をタイプ別およびアプリケーション別にセグメント化することで、数量と価値、成長率、技術革新、ニッチな機会、および代替リスクを定量化し、下流顧客の分布パターンを分析しています。
詳細な地域別分析は、5つの主要市場（北米、ヨーロッパ、APAC、南米、およびMEA）を対象とし、20カ国以上を詳細に分析しています。各地域の主要製品、競合情勢、および下流需要動向が明確に詳述されています。
重要な競合インテリジェンスは、メーカー（能力、販売量、収益、利益率、価格戦略、主要顧客）をプロファイルし、製品ライン、アプリケーション、および地域におけるトッププレーヤーのポジショニングを分析して、戦略的強みを明らかにします。
簡潔なサプライチェーン概要は、上流サプライヤー、製造技術、コスト構造、および流通ダイナミクスをマッピングし、戦略的なギャップと未充足の需要を特定します。
**[市場セグメンテーション]**
**企業別**
アプライドマテリアルズ・インク
エヴァテックAG
KLAコーポレーション（SPTSテクノロジーズ）
NAURAテクノロジーグループ株式会社
広東匯成真空技術有限公司
キヤノンアネルバ株式会社
株式会社アルバック
KDFテクノロジーズ
PVDプロダクツ・インク
SJI-SEMI株式会社
Skytech Inc.
Plasma-Therm LLC
**タイプ別セグメント**
マグネトロンスパッタリングシステム
蒸着PVDシステム
イオンビームおよびHiPIMSシステム
ハイブリッドPVDシステム
その他
**ウェーハサイズ別セグメント**
ウェーハサイズ150mm以下
200mmウェーハシステム
300mmウェーハシステム
マルチサイズ対応フレキシブルシステム
その他
**構造別セグメント**
クラスターPVDシステム
スタンドアロンPVDシステム
インラインPVDシステム
**アプリケーション別セグメント**
SiCデバイス
GaNデバイス
**地域別売上**
北米
米国
カナダ
メキシコ
アジア太平洋
中国
日本
韓国
インド
中国台湾
東南アジア（インドネシア、ベトナム、タイ）
その他のアジア
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中南米
ブラジル
アルゼンチン
その他の中南米
中東、アフリカ
トルコ
エジプト
GCC諸国
南アフリカ
その他の中東・アフリカ
**[章構成]**
第1章：SiCおよびGaN向けPVD装置の研究範囲を定義し、市場をタイプ別、アプリケーション別などにセグメント化し、セグメント規模と成長可能性を強調します。
第2章：現在の市場状況を提供し、2032年までの世界収益、販売、生産を予測し、高消費地域と新興市場の触媒を特定します。
第3章：メーカーの状況を分析します。数量および収益によるランキング、収益性と価格設定の分析、生産拠点のマッピング、製品タイプ別のメーカー実績の詳細、M&Aの動きと並行した集中度の評価を行います。
第4章：高利益製品セグメントを明らかにします。販売、収益、平均販売価格（ASP）、および技術的差別化要因を比較し、成長ニッチと代替リスクを強調します。
第5章：下流市場の機会を対象とします。アプリケーション別の販売、収益、価格設定を評価し、新たなユースケースを特定し、地域別およびアプリケーション別の主要顧客をプロファイルします。
第6章：世界生産能力、稼働率、および市場シェア（2021年～2032年）をマッピングし、効率的なハブを特定し、規制/貿易政策の影響とボトルネックを明らかにします。
第7章：北米：アプリケーション別および国別の販売と収益を分解し、主要メーカーをプロファイルし、成長要因と障壁を評価します。
第8章：ヨーロッパ：アプリケーション別およびメーカー別の地域販売、収益、市場を分析し、推進要因と障壁を指摘します。
第9章：アジア太平洋：アプリケーション別、地域/国別の販売と収益を定量化し、トップメーカーをプロファイルし、高い潜在的な拡大領域を発見します。
第10章：中南米：アプリケーション別、国別の販売と収益を測定し、トップメーカーをプロファイルし、投資機会と課題を特定します。
第11章：中東およびアフリカ：アプリケーション別、国別の販売と収益を評価し、主要メーカーをプロファイルし、投資の見通しと市場の障壁を概説します。
第12章：メーカーを詳細にプロファイルします。製品仕様、能力、販売、収益、利益率を詳細に記述します。トップメーカーの2025年の製品タイプ別、アプリケーション別、販売地域別の販売内訳、SWOT分析、および最近の戦略的動向を詳述します。
第13章：サプライチェーン：上流の原材料とサプライヤー、製造拠点の状況と技術、コスト要因、さらに下流チャネルとディストリビューターの役割を分析します。
第14章：市場の原動力：推進要因、阻害要因、規制の影響、およびリスク軽減戦略を探ります。
第15章：実行可能な結論と戦略的推奨事項。
**[本レポートの価値]**
標準的な市場データを超えて、本分析は明確な収益性ロードマップを提供し、以下のことを可能にします。
高成長地域（第7～11章）および利益率の高いセグメント（第5章）に資本を戦略的に配分します。
コストと需要に関するインテリジェンスを活用し、サプライヤー（第13章）および顧客（第6章）と有利に交渉します。
競合他社の事業、利益率、および戦略に関する詳細な洞察（第4章および第12章）により、競合他社を出し抜きます。
上流および下流の可視性（第13章および第14章）を通じて、サプライチェーンを混乱から守ります。
この360°のインテリジェンスを活用し、市場の複雑さを実行可能な競争優位性へと変えます。
1 本調査の対象範囲
1.1 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の概要：定義、特性、および主要な特徴
1.2 タイプ別市場区分
1.2.1 タイプ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.2.2 マグネトロンスパッタリング装置
1.2.3 蒸着式PVD装置
1.2.4 イオンビームおよびHiPIMS装置
1.2.5 ハイブリッドPVD装置
1.2.6 その他
1.3 ウェーハサイズ別の市場区分
1.3.1 ウェハーサイズ別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.3.2 ウェハーサイズ150 mm以下
1.3.3 200 mmウェハーシステム
1.3.4 300 mmウェハーシステム
1.3.5 マルチサイズ対応フレキシブルシステム
1.3.6 その他
1.4 構造別市場区分
1.4.1 構造別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.4.2 クラスター型PVDシステム
1.4.3 スタンドアロン型PVDシステム
1.4.4 インライン型PVDシステム
1.5 用途別市場区分
1.5.1 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場規模（2021年、2025年、2032年比較）
1.5.2 SiCデバイス
1.5.3 GaNデバイス
1.6 仮定および制限事項
1.7 調査目的
1.8 対象期間
2 エグゼクティブサマリー
2.1 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高推計および予測（2021年～2032年）
2.2 地域別 SiC および GaN 用物理気相成長装置の世界売上高
2.2.1 売上高の比較：2021年 vs 2025年 vs 2032年
2.2.2 地域別売上高ベースの世界市場シェア（2021年～2032年）
2.3 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数推計および予測（2021年～2032年）
2.4 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数
2.4.1 販売台数の比較：2021年、2025年、2032年
2.4.2 地域別世界販売市場シェア（2021年～2032年）
2.4.3 新興市場に焦点を当てた分析：成長要因と投資動向
2.5 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界生産能力および稼働率（2021年対2025年対2032年）
2.6 地域別生産量の比較：2021年対2025年対2032年
3 競争環境
3.1 メーカー別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売状況
3.1.1 メーカー別世界販売数量（2021年～2026年）
3.1.2 販売数量に基づく世界トップ5およびトップ10メーカーの市場シェア（2025年）
3.2 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界メーカー別売上高ランキングおよびティア分類
3.2.1 メーカー別世界売上高（金額）（2021年～2026年）
3.2.2 世界の主要メーカー売上高ランキング（2024年対2025年）
3.2.3 売上高に基づくティア別分類（ティア1、ティア2、ティア3）
3.3 メーカーの収益性プロファイルおよび価格戦略
3.3.1 主要メーカー別の粗利益率 （2021年対2025年）
3.3.2 メーカー別の価格動向（2021年～2026年）
3.4 主要メーカーの生産拠点および本社所在地
3.5 製品タイプ別主要メーカーの市場シェア
3.5.1 マグネトロンスパッタリング装置：主要メーカー別市場シェア
3.5.2 蒸着PVD装置：主要メーカー別市場シェア
3.5.3 イオンビームおよびHiPIMS装置：主要メーカー別市場シェア
3.5.4 ハイブリッドPVD装置：主要メーカー別市場シェア
3.5.5 その他：主要メーカー別市場シェア
3.6 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場における集中度と動向
3.6.1 世界市場の集中度
3.6.2 市場参入・撤退の分析
3.6.3 戦略的動き：M&A、生産能力拡大、研究開発投資
4 製品セグメンテーション
4.1 タイプ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売実績
4.1.1 タイプ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売数量（2021年～2032年）
4.1.2 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（タイプ別）（2021年～2032年）
4.1.3 世界平均販売価格（ASP）の推移（タイプ別）（2021年～2032年）
4.2 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売実績（ウェーハサイズ別）
4.2.1 ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売数量（2021年～2032年）
4.2.2 ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（2021年～2032年）
4.2.3 ウェーハサイズ別世界平均販売価格（ASP）の推移（2021年～2032年）
4.3 構造別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売実績
4.3.1 構造別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量（2021年～2032年）
4.3.2 構造別 SiC および GaN 用物理気相成長装置の世界売上高（2021-2032年）
4.3.3 構造別世界平均販売価格（ASP）の動向（2021-2032年）
4.4 製品技術の差別化
4.5 サブタイプ別の動向：成長の牽引役、収益性、およびリスク
4.5.1 高成長ニッチ市場と導入の推進要因
4.5.2 収益性の高い分野とコスト要因
4.5.3 代替品の脅威
5 下流用途および顧客
5.1 用途別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高
5.1.1 用途別世界売上高の過去実績および予測（2021年～2032年）
5.1.2 用途別世界売上高市場シェア（2021年～2032年）
5.1.3 高成長アプリケーションの特定
5.1.4 新興アプリケーションの事例研究
5.2 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高（用途別）
5.2.1 用途別世界売上高の過去実績および予測（2021年～2032年）
5.2.2 用途別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
5.3 用途別世界価格動向（2021年～2032年）
5.4 下流顧客分析
5.4.1 地域別主要顧客
5.4.2 用途別主要顧客
6 世界生産分析
6.1 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界生産能力および稼働率（2021年～2032年）
6.2 地域別生産動向と見通し
6.2.1 地域別過去生産実績（2021年～2026年）
6.2.2 地域別生産予測（2027年～2032年）
6.2.3 地域別生産市場シェア（2021年～2032年）
6.2.4 規制および貿易政策が生産に与える影響
6.2.5 生産能力の促進要因と制約要因
6.3 主要な地域別生産拠点
6.3.1 北米
6.3.2 欧州
6.3.3 中国
6.3.4 日本
7 北米
7.1 北米の販売数量および売上高（2021年～2032年）
7.2 2025年の北米主要メーカーの売上高
7.3 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の北米における販売数量および売上高（2021年～2032年）
7.4 北米の成長促進要因および市場障壁
7.5 北米のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の市場規模（国別）
7.5.1 北米の売上高（国別）
7.5.2 北米の販売動向（国別）
7.5.3 米国
7.5.4 カナダ
7.5.5 メキシコ
8 欧州
8.1 欧州の販売数量および売上高（2021年～2032年）
8.2 2025年の欧州主要メーカーの売上高
8.3 欧州のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量および売上高（用途別）（2021年～2032年）
8.4 欧州の成長促進要因および市場障壁
8.5 欧州のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の市場規模（国別）
8.5.1 欧州の売上高（国別）
8.5.2 欧州の販売動向（国別）
8.5.3 ドイツ
8.5.4 フランス
8.5.5 英国
8.5.6 イタリア
8.5.7 ロシア
9 アジア太平洋地域
9.1 アジア太平洋地域の販売数量および収益（2021年～2032年）
9.2 2025年のアジア太平洋地域主要メーカーの販売収益
9.3 アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の用途別販売数量および収益（2021年～2032年）
9.4 アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置市場の地域別規模
9.4.1 アジア太平洋地域の地域別売上高
9.4.2 アジア太平洋地域の地域別販売動向
9.5 アジア太平洋地域の成長促進要因および市場障壁
9.6 東南アジア
9.6.1 東南アジアの国別売上高 （2021年対2025年対2032年）
9.6.2 主要国分析：インドネシア、ベトナム、タイ
9.7 中国
9.8 日本
9.9 韓国
9.10 中国台湾
9.11 インド
10 中南米
10.1 中南米の販売数量および売上高（2021年～2032年）
10.2 2025年の中南米主要メーカーの売上高
10.3 中南米のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量および売上高（用途別）（2021年～2032年）
10.4 中南米の投資機会と主な課題
10.5 中南米のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の市場規模（国別）
10.5.1 中南米の売上高の推移（国別）（2021年対2025年対2032年）
10.5.2 ブラジル
10.5.3 アルゼンチン
11 中東・アフリカ
11.1 中東・アフリカの販売数量および売上高（2021年～2032年）
11.2 2025年の中東・アフリカ主要メーカーの売上高
11.3 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量および売上高（用途別）（2021年～2032年）
11.4 中東・アフリカの投資機会と主な課題
11.5 中東・アフリカのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の市場規模（国別）
11.5.1 中東・アフリカの売上高の推移（国別）（2021年対2025年対2032年）
11.5.2 GCC諸国
11.5.3 トルコ
11.5.4 エジプト
11.5.5 南アフリカ
12 企業概要
12.1 アプライド・マテリアルズ社
12.1.1 アプライド・マテリアルズ社の企業情報
12.1.2 アプライド・マテリアルズ社の事業概要
12.1.3 アプライド・マテリアルズ社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.1.4 アプライド・マテリアルズ社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：生産能力、販売台数、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.1.5 アプライド・マテリアルズ社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：2025年の製品別販売台数
12.1.6 アプライド・マテリアルズ社製 SiC および GaN 用物理気相成長装置の 2025 年の用途別売上高
12.1.7 アプライド・マテリアルズ社製 SiC および GaN 用物理気相成長装置の 2025 年の地域別売上高
12.1.8 アプライド・マテリアルズ社（Applied Materials, Inc.）のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のSWOT分析
12.1.9 アプライド・マテリアルズ社（Applied Materials, Inc.）の最近の動向
12.2 エバテックAG（Evatec AG）
12.2.1 エバテックAG（Evatec AG）の企業情報
12.2.2 エバテックAG（Evatec AG）の事業概要
12.2.3 エバテックAGのSiCおよびGaN用物理気相成長装置：製品モデル、説明および仕様
12.2.4 エバテックAGのSiCおよびGaN用物理気相成長装置：生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.2.5 2025年のEvatec AG製SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品別売上高
12.2.6 2025年のEvatec AG製SiCおよびGaN用物理気相成長装置の用途別売上高
12.2.7 2025年のEvatec AG製SiCおよびGaN用物理気相成長装置の地域別売上高
12.2.8 Evatec AGのSiCおよびGaN向け物理気相成長装置のSWOT分析
12.2.9 Evatec AGの最近の動向
12.3 KLA Corporation（SPTS Technologies）
12.3.1 KLA Corporation（SPTS Technologies）の企業情報
12.3.2 KLA Corporation（SPTS Technologies）の事業概要
12.3.3 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：製品モデル、説明および仕様
12.3.4 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.3.5 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置：2025年の製品別売上高
12.3.6 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置：2025年の用途別売上高
12.3.7 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置の2025年地域別売上高
12.3.8 KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置のSWOT分析
12.3.9 KLA Corporation（SPTS Technologies）の最近の動向
12.4 NAURA Technology Group Co., Ltd.
12.4.1 NAURA Technology Group Co., Ltd. 企業情報
12.4.2 NAURA Technology Group Co., Ltd. 事業概要
12.4.3 NAURA Technology Group Co., Ltd. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.4.4 NAURA Technology Group Co., Ltd.のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売台数、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.4.5 NAURA Technology Group Co., Ltd.のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の2025年の製品別販売状況
12.4.6 NAURA Technology Group Co., Ltd. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の2025年用途別売上高
12.4.7 NAURA Technology Group Co., Ltd. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の2025年地域別売上高
12.4.8 NAURA Technology Group Co., Ltd. SiCおよびGaN用物理気相成長装置のSWOT分析
12.4.9 NAURA Technology Group Co., Ltd. の最近の動向
12.5 広東恵城真空技術有限公司
12.5.1 広東恵城真空技術有限公司 企業情報
12.5.2 広東恵城真空技術有限公司 事業概要
12.5.3 広東恵城真空技術有限公司 SiCおよびGaN用物理気相成長装置 製品モデル、説明および仕様
12.5.4 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売量、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.5.5 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：2025年の製品別売上高
12.5.6 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：2025年の用途別売上高
12.5.7 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の2025年地域別売上高
12.5.8 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のSWOT分析
12.5.9 広東恵城真空技術有限公司の最近の動向
12.6 キヤノン・アネルバ株式会社
12.6.1 キヤノン・アネルバ株式会社の企業情報
12.6.2 キヤノン・アネルバ株式会社の事業概要
12.6.3 キヤノン・アネルバ株式会社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.6.4 キヤノン・アネルバ株式会社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売台数、価格、売上高、粗利益率（2021年～2026年）
12.6.5 キヤノン・アネルバ株式会社の最近の動向
12.7 ULVAC, Inc.
12.7.1 ULVAC, Inc.の企業情報
12.7.2 ULVAC, Inc.の事業概要
12.7.3 ULVAC, Inc.のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.7.4 ULVAC, Inc.のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.7.5 ウルバック株式会社の最近の動向
12.8 KDFテクノロジーズ
12.8.1 KDFテクノロジーズの企業情報
12.8.2 KDFテクノロジーズの事業概要
12.8.3 KDFテクノロジーズのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.8.4 KDF TechnologiesのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.8.5 KDF Technologiesの最近の動向
12.9 PVD Products, Inc.
12.9.1 PVD Products, Inc.の企業情報
12.9.2 PVD Products, Inc. 事業概要
12.9.3 PVD Products, Inc. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品モデル、説明および仕様
12.9.4 PVD Products, Inc. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売数量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.9.5 PVD Products, Inc.の最近の動向
12.10 SJI-SEMI株式会社
12.10.1 SJI-SEMI株式会社 企業情報
12.10.2 SJI-SEMI株式会社 事業概要
12.10.3 SJI-SEMI Co., Ltd.のSiCおよびGaN向け物理気相成長（PVD）装置：製品モデル、説明および仕様
12.10.4 SJI-SEMI Co., Ltd.のSiCおよびGaN向け物理気相成長（PVD）装置：生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.10.5 SJI-SEMI Co., Ltd.の最近の動向
12.11 Skytech Inc.
12.11.1 Skytech Inc.の企業情報
12.11.2 Skytech Inc.の事業概要
12.11.3 スカイテック社（Skytech Inc.）のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：製品モデル、説明および仕様
12.11.4 スカイテック社（Skytech Inc.）のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：生産能力、販売量、価格、売上高および粗利益率（2021年～2026年）
12.11.5 スカイテック社の最近の動向
12.12 プラズマ・サーム社（Plasma-Therm LLC）
12.12.1 プラズマ・サーム社の企業情報
12.12.2 プラズマ・サーム社の事業概要
12.12.3 プラズマ・サーム社のSiCおよびGaN用物理気相成長装置：製品モデル、説明および仕様
12.12.4 Plasma-Therm LLCのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産能力、販売量、価格、売上高、粗利益率（2021-2026年）
12.12.5 Plasma-Therm LLCの最近の動向
13 バリューチェーンおよびサプライチェーン分析
13.1 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の産業チェーン
13.2 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の上流材料分析
13.2.1 原材料
13.2.2 主要サプライヤーの市場シェアおよびリスク評価
13.3 SiCおよびGaN用物理気相成長装置の統合生産分析
13.3.1 製造拠点分析
13.3.2 生産技術の概要
13.3.3 地域別のコスト要因
13.4 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の販売チャネルおよび流通ネットワーク
13.4.1 販売チャネル
13.4.2 販売代理店
14 SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の市場動向
14.1 業界のトレンドと進化
14.2 市場の成長要因と新たな機会
14.3 市場の課題、リスク、および制約要因
14.4 米国の関税の影響
15 SiCおよびGaN用物理気相成長装置に関するグローバル調査の主な調査結果
16 付録
16.1 調査方法論
16.1.1 方法論／調査アプローチ
16.1.1.1 調査プログラム／設計
16.1.1.2 市場規模の推計
16.1.1.3 市場の細分化とデータの三角検証
16.1.2 データソース
16.1.2.1 二次情報源
16.1.2.2 一次情報源
16.2 著者情報
表1. 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置市場の規模成長率（タイプ別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表2. 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置市場の規模成長率（ウェーハサイズ別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表3. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場規模の成長率（構造別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表4. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場規模の成長率（用途別、2021年対2025年対2032年） （百万米ドル）
表5. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
表6. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数成長率 （CAGR）：2021年対2025年対2032年（台数）
表7. 新興市場における国別売上高成長率（CAGR）（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表8. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（台）
表9. メーカー別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（台）、2021年～2026年
表10. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場におけるメーカー別販売シェア（2021年～2026年）
表11. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場におけるメーカー別売上高（百万米ドル）、2021年～2026年
表12. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場におけるメーカー別売上高ベースの市場シェア（2021年～2026年）
表13. 世界の主要メーカーの順位変動（2024年対2025年）（売上高ベース）
表14. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高に基づく、ティア別（ティア1、ティア2、ティア3）の世界のメーカー別内訳（2025年）
表15. 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置のメーカー別平均粗利益率（%）（2021年対2025年）
表16. 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置のメーカー別平均販売価格（ASP）（千米ドル／台）、 2021年～2026年
表17. 主要メーカーのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の製造拠点および本社所在地
表18. 世界のSiCおよびGaN用物理気相成長装置市場の市場集中率（CR5）
表19. 主要な市場参入・撤退（2021年～2025年）－要因および影響分析
表20. 主要な合併・買収、拡張計画、研究開発投資
表21. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界販売数量（種類別）（台数）、2021-2026年
表22. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界販売数量（種類別）（台数）、2027-2032年
表23. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（種類別、百万米ドル）、2021年～2026年
表24. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（種類別、百万米ドル）、2027年～2032年
表25. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（ウェーハサイズ別）（台）、2021年～2026年
表26. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（ウェーハサイズ別）（台）、2027年～2032年
表27. ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2021年～2026年
表28. ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2027年～2032年
表29. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（構造別）（台）、2021年～2026年
表30. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（構造別）（台）、2027年～2032年
表31. 構造別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2021年～2026年
表32. 構造別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2027年～2032年
表33. 主要製品タイプ別の技術仕様
表34. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（用途別）（台）、2021年～2026年
表35. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売台数（用途別）（台）、2027年～2032年
表36. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の成長著しいセクターにおける需要の年平均成長率（CAGR）（2026-2032年）
表37. 用途別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2021-2026年
表38. 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2027年～2032年
表39. 地域別主要顧客
表40. 用途別主要顧客
表41. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界生産台数（台）、2021年～2026年
表42. 地域別SiCおよびGaN生産用物理気相成長装置の世界生産台数（台）、2027年～2032年
表43. 北米のSiCおよびGaN成長用物理気相成長装置の成長促進要因と市場障壁
表44. 北米のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高成長率（CAGR）：国別（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表45. 北米のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（台）：国別 （2021年対2025年対2032年）
表46. 欧州におけるSiCおよびGaN成長用物理気相成長（PVD）装置の成長促進要因と市場障壁
表47. 欧州におけるSiCおよびGaN成長用物理気相成長（PVD）装置の売上高成長率（CAGR）：国別（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表48. 欧州におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（国別）（2021年対2025年対2032年）
表49. アジア太平洋地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高成長率（CAGR）（地域別）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
表50. アジア太平洋地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（国別）（2021年対2025年対2032年）
表51. アジア太平洋地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の成長促進要因と市場障壁
表52. 東南アジアにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の地域別売上高成長率（CAGR）：2021年対2025年対2032年（百万米ドル）
表53. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の投資機会と主要な課題
表54. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高成長率（CAGR）：国別（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表55. 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長（PVD）装置の投資機会と主な課題
表56. 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長（PVD）装置の売上高成長率（CAGR）（国別、2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
表57. アプライド・マテリアルズ社（Applied Materials, Inc.）の企業情報
表58. アプライド・マテリアルズ社の概要および主要事業
表59. アプライド・マテリアルズ社の製品モデル、説明および仕様
表60. アプライド・マテリアルズ社の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表61. アプライド・マテリアルズ社の2025年における製品別売上高構成比
表62. アプライド・マテリアルズ社の2025年における用途別売上高構成比
表63. アプライド・マテリアルズ社の2025年における地域別売上高構成比
表64. アプライド・マテリアルズ社のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置のSWOT分析
表65. アプライド・マテリアルズ社の最近の動向
表66. エバテックAGの企業情報
表67. エバテックAGの概要および主要事業
表68. エバテックAGの製品モデル、説明および仕様
表69. エバテックAGの生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル/台）、粗利益率（2021年～2026年）
表70. 2025年のエバテックAGの製品別売上高構成比
表71. 2025年のエバテックAGの用途別売上高構成比
表72. 2025年のEvatec AGの地域別売上高構成比
表73. Evatec AGのSiCおよびGaN向け物理気相成長（PVD）装置のSWOT分析
表74. Evatec AGの最近の動向
表75. KLA Corporation（SPTS Technologies）の企業情報
表76. KLA Corporation（SPTS Technologies）の概要および主要事業
表77. KLA Corporation（SPTS Technologies）の製品モデル、説明および仕様
表78. KLA Corporation（SPTS Technologies）の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表79. KLA Corporation（SPTS Technologies）の2025年における製品別売上高構成比
表80. KLA Corporation（SPTS Technologies）の2025年における用途別売上高構成比
表81. KLA Corporation（SPTS Technologies）の2025年における地域別売上高構成比
表82. KLA Corporation（SPTS Technologies）のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置のSWOT分析
表83. KLA Corporation（SPTS Technologies）の最近の動向
表84. NAURA Technology Group Co., Ltd.の企業情報
表85. NAURA Technology Group Co., Ltd. の概要および主要事業
表86. NAURA Technology Group Co., Ltd. の製品モデル、説明および仕様
表87. NAURA Technology Group Co., Ltd. の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表88. NAURA Technology Group Co., Ltd.の2025年における製品別売上高構成比
表89. NAURA Technology Group Co., Ltd.の2025年における用途別売上高構成比
表90. NAURA Technology Group Co., Ltd.の2025年における地域別売上高構成比
表91. NAURA Technology Group Co., Ltd.のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のSWOT分析
表92. NAURA Technology Group Co., Ltd.の最近の動向
表93. 広東恵城真空技術有限公司の企業情報
表94. 広東恵城真空技術有限公司の概要および主要事業
表95. 広東恵城真空技術有限公司の製品モデル、説明および仕様
表96. 広東恵城真空技術有限公司の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表97. 広東恵城真空技術有限公司の2025年における製品別売上高構成比
表98. 広東恵城真空技術有限公司の2025年における用途別売上高構成比
表99. 広東恵城真空技術有限公司の2025年における地域別売上高構成比
表100. 広東恵城真空技術有限公司のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のSWOT分析
表101. 広東恵城真空技術有限公司の最近の動向
表102. キヤノン・アネルバ株式会社の企業情報
表103. キヤノン・アネルバ株式会社の概要および主要事業
表104. キヤノン・アネルバ株式会社 製品モデル、説明および仕様
表105. キヤノン・アネルバ株式会社 生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表106. キヤノン・アネルバ株式会社 最近の動向
表107. ULVAC, Inc. 企業情報
表108. ULVAC, Inc.の概要および主要事業
表109. ULVAC, Inc.の製品モデル、説明および仕様
表110. ULVAC, Inc.の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル/台）および粗利益率（2021年～2026年）
表111. ULVAC, Inc.の最近の動向
表112. KDF Technologiesの企業情報
表113. KDF Technologiesの概要および主要事業
表114. KDF Technologiesの製品モデル、説明および仕様
表115. KDF Technologies社の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表116. KDF Technologies社の最近の動向
表117. PVD Products, Inc.社の企業情報
表118. PVD Products, Inc.の概要および主要事業
表119. PVD Products, Inc.の製品モデル、概要および仕様
表120. PVD Products, Inc.の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）および粗利益率（2021-2026年）
表121. PVD Products, Inc.の最近の動向
表122. SJI-SEMI Co., Ltd.の企業情報
表123. SJI-SEMI Co., Ltd.の概要および主要事業
表124. SJI-SEMI Co., Ltd.の製品モデル、説明および仕様
表125. SJI-SEMI Co., Ltd.の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、価格（千米ドル／台）、粗利益率（2021年～2026年）
表126. SJI-SEMI Co., Ltd.の最近の動向
表127. スカイテック社の企業情報
表128. スカイテック社の概要および主要事業
表129. スカイテック社の製品モデル、概要および仕様
表130. スカイテック社の生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表131. スカイテック社の最近の動向
表132. プラズマ・サーム社の企業情報
表133. プラズマ・サームLLCの概要および主要事業
表134. プラズマ・サームLLCの製品モデル、概要および仕様
表135. プラズマ・サームLLCの生産能力、販売台数、売上高（百万米ドル）、単価（千米ドル／台）および粗利益率（2021年～2026年）
表136. Plasma-Therm LLCの最近の動向
表137. 主要原材料の分布
表138. 主要原材料サプライヤー
表139. 重要原材料のサプライヤー集中度（2025年）およびリスク指数
表140. 生産技術の進化におけるマイルストーン
表141. 販売代理店一覧
表142. 市場動向および市場の変遷
表143. 市場の推進要因および機会
表144. 市場の課題、リスク、および制約要因
表145. 本レポートの調査プログラム／設計
表146. 二次情報源からの主要データ情報
表147. 一次情報源からの主要データ情報
図表一覧
図1. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製品写真
図2. タイプ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場規模の成長率（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図3. マグネトロンスパッタリングシステムの製品写真
図4. 蒸着PVDシステムの製品写真
図5. イオンビームおよびHiPIMSシステムの製品画像
図6. ハイブリッドPVDシステムの製品画像
図7. その他の製品の画像
図8. ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場規模の成長率（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図9. ウェハーサイズ150 mm以下の製品の画像
図10. 200 mmウェーハ用システムの製品画像
図11. 300 mmウェーハ用システムの製品画像
図12. マルチサイズ対応フレキシブルシステムの製品画像
図13. その他の製品の画像
図14. 構造別 SiC および GaN 用物理気相成長装置の世界市場規模の成長率（2021年対2025年対2032年） （百万米ドル）
図15. クラスター型PVDシステムの製品画像
図16. スタンドアロン型PVDシステムの製品画像
図17. インライン型PVDシステムの製品画像
図18. 用途別SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場規模成長率（2021年対2025年対2032年）（百万米ドル）
図19. SiCデバイス
図20. GaNデバイス
図21. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の調査対象期間
図22. 世界のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年対2025年対2032年
図23. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図24. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高（CAGR）：2021年対2025年対2032年 （百万米ドル）
図25. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図26. 世界SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（台）、2021年～2032年
図27. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（CAGR）：2021年対2025年対2032年（台）
図28. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売市場シェア（2021年～2032年）
図29. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界生産能力、生産量、稼働率（台数）、2021年対2025年対2032年
図30. 2025年のSiCおよびGaN向け物理気相成長装置販売数量における上位5社および上位10社の市場シェア
図31. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高ベースの市場シェアランキング（2025年）
図32. 売上高構成比によるティア別分布（2021年対2025年）
図33. 2025年のマグネトロンスパッタリングシステムのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図34. 2025年の蒸着式PVDシステムのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図35. 2025年のイオンビームおよびHiPIMSシステムのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図36. 2025年のハイブリッドPVDシステムのメーカー別売上高ベースの市場シェア
図37. 2025年のその他製品におけるメーカー別売上高ベースの市場シェア
図38. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場におけるタイプ別販売数量ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図39. SiCおよびGaN向け物理気相成長装置の世界市場におけるタイプ別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図40. 世界のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のタイプ別平均販売価格（ASP）（千米ドル／台）、2021年～2032年
図41. 世界のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のウェーハサイズ別販売数量ベースの市場シェア （2021年～2032年）
図42. SiCおよびGaN向け世界物理気相成長装置のウェーハサイズ別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図43. ウェハーサイズ別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界平均販売価格（ASP）（千米ドル／台）、2021-2032年
図44. 構造別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界販売数量ベースの市場シェア （2021年～2032年）
図45. SiCおよびGaN向け世界物理気相成長装置の構造別売上高ベースの市場シェア（2021年～2032年）
図46. SiCおよびGaN向け世界物理気相成長装置の構造別平均販売価格（ASP）（千米ドル／台）、2021年～2032年
図47. 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界市場シェア（2021-2032年）
図48. 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界売上高ベースの市場シェア（2021-2032年）
図49. 用途別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界平均販売価格（ASP）（千米ドル／台）、2021年～2032年
図50. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の世界生産能力、生産量および稼働率（台数）、2021年～2032年
図51. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産市場シェア（2021年～2032年）
図52. 生産能力の促進要因と制約要因
図53. 北米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産成長率（台数）、2021年～2032年
図54. 欧州におけるSiCおよびGaN生産用物理気相成長装置の成長率（台数）、2021-2032年
図55. 中国におけるSiCおよびGaN生産用物理気相成長装置の成長率（台数）、2021-2032年
図56. 日本におけるSiCおよびGaN生産用物理気相成長装置の成長率（台数）、2021年～2032年
図57. 北米におけるSiCおよびGaN生産用物理気相成長装置の販売台数の前年比（台数）、2021年～2032年
図58. 北米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図59. 北米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置のトップ5メーカーの売上高（百万米ドル、2025年）
図60. 北米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（単位）：用途別（2021年～2032年）
図61. 北米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）：用途別（2021年～2032年）
図62. 米国におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図63. カナダにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図64. メキシコにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図65. 欧州におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（前年比）（台）、2021年～2032年
図66. 欧州におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図67. 欧州のSiCおよびGaN用物理気相成長装置メーカー上位5社の売上高（百万米ドル、2025年）
図68. 欧州におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（単位）：用途別（2021年～2032年）
図69. 欧州におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）：用途別（2021年～2032年）
図70. ドイツにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図71. フランスにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図72. 英国におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図73. イタリアにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図74. ロシアにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図75. アジア太平洋地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（前年比）、2021年～2032年
図76. アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図77. アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置のトップ8メーカーの売上高（百万米ドル、2025年）
図78. アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量（台数）の用途別推移（2021年～2032年）
図79. アジア太平洋地域のSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）の用途別推移（2021年～2032年）
図80. インドネシアにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図81. 日本におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図82. 韓国におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図83. 中国台湾におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図84. インドにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図85. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（前年比）（台）、2021年～2032年
図86. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高の前年比（百万米ドル）、2021年～2032年
図87. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置のトップ5メーカーの売上高（百万米ドル、2025年）
図88. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量（台数）の用途別推移（2021年～2032年）
図89. 中南米におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売収益（百万米ドル）の用途別推移（2021年～2032年）
図90. ブラジルにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図91. アルゼンチンにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図92. 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売台数（前年比）（台）、2021年～2032年
図93. 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（前年比）（百万米ドル）、2021年～2032年
図94. 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置のトップ5メーカーの販売売上高（百万米ドル）、2025年
図95. 中東・アフリカ地域におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の販売数量（台数）の用途別内訳 （2021年～2032年）
図96. 中東・アフリカにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の用途別売上高（百万米ドル）（2021年～2032年）
図97. GCC諸国におけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図98. トルコにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図99. エジプトにおけるSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021-2032年
図100. 南アフリカのSiCおよびGaN用物理気相成長装置の売上高（百万米ドル）、2021年～2032年
図101. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の産業チェーンマップ
図102. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製造拠点分布（％）
図103. SiCおよびGaN用物理気相成長装置の製造プロセス
図104. 地域別SiCおよびGaN用物理気相成長装置の生産コスト構造
図105. 流通チャネル（直接販売対代理店販売）
図106. 本レポートにおけるボトムアップおよびトップダウンアプローチ
図107. データの三角測量
図108. インタビュー対象となった主要幹部
| ※SiC・GaN用物理気相成長装置は、次世代半導体デバイスの製造において極めて重要な役割を果たす装置です。物理気相成長（PVD: Physical Vapor Deposition）とは、真空中で固体材料を物理的な方法（加熱やイオン衝突など）で気化させ、それを基板表面に堆積させることで薄膜を形成する技術全般を指します。特にSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といった化合物半導体は、その優れた電気的特性（高耐圧、高速スイッチング、低損失）から、電気自動車、鉄道、データセンター、5G/6G通信などのパワーデバイスや高周波デバイスで急速に普及が進んでおり、これらのデバイスの性能を最大限に引き出すためには、高品質な薄膜形成が不可欠となります。PVD装置は、これらの半導体デバイスにおける電極膜、保護膜、パッシベーション膜、誘電体膜などの形成に広く用いられています。 PVD装置の主要な種類には、スパッタリング法と蒸着法があります。スパッタリング法は、高真空チャンバー内でアルゴンなどの不活性ガスを導入し、プラズマを発生させることで、ターゲット（成膜したい材料）から原子や分子を叩き出し、基板上に堆積させる手法です。直流（DC）スパッタリングは金属膜の成膜に、高周波（RF）スパッタリングは絶縁膜や化合物膜の成膜に適しており、マグネトロンスパッタリングは磁場を用いてプラズマをターゲット表面に閉じ込めることで、成膜レートの向上と基板へのダメージ低減を実現します。一方、蒸着法は、抵抗加熱や電子ビーム（EB）照射によって固体材料を直接加熱・蒸発させ、その蒸気を基板に堆積させる方法です。抵抗加熱蒸着は比較的低融点材料に、EB蒸着は高融点材料や多層膜の精密な制御に適しており、高純度な金属膜の形成に強みがあります。これらのPVD手法は、成膜する材料の種類、求められる膜質、生産性などに応じて最適なものが選択されます。 SiC・GaNデバイスにおけるPVDの用途は多岐にわたります。SiCパワーデバイスでは、オーミック電極やショットキー電極を形成するための金属膜（Al, Ti, Ni, Auなど）、デバイス表面を保護し絶縁するパッシベーション膜（SiO2, SiNなど）、あるいはゲート絶縁膜などの形成にPVDが利用されます。GaN高周波デバイス、例えばHEMT（高電子移動度トランジスタ）では、高周波特性に優れたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを形成するためにPVDが不可欠です。また、窒化ガリウム層と基板との密着性を高めるバッファ層や、素子間の絶縁層形成にもPVD技術が活用されます。PVDは、比較的低温で成膜が可能であるため、熱に敏感な化合物半導体基板への熱的ダメージを最小限に抑えつつ、多様な材料の薄膜を形成できる点が大きな利点となっています。 SiC・GaNデバイスの高性能化と量産化が進むにつれて、PVD装置にはより高度な技術と機能が求められています。主な関連技術としては、まず高真空技術が挙げられます。成膜中の不純物混入を防ぎ、膜質の均一性を確保するためには、極めて清浄な真空環境の維持が不可欠です。次に、精密なガス流量制御技術とプラズマ制御技術は、スパッタリングプロセスにおける成膜レート、均一性、および膜の組成を正確に制御するために重要です。また、大口径ウェハへの均一な成膜能力、高い膜厚精度と再現性、成膜プロセス中のパーティクル（微粒子）発生の極小化、そして低ダメージな成膜による高品質な界面形成技術なども、デバイス特性を左右する重要な要素です。さらに、自動ウェハ搬送システム、プロセス中のリアルタイム膜厚モニタリング、インサイチュー（in-situ）での膜質評価技術なども、高スループットと信頼性の高いデバイス製造には欠かせません。 SiC・GaN半導体市場は、今後も電気自動車の普及や再生可能エネルギーの導入拡大などを背景に、著しい成長が見込まれています。これに伴い、PVD装置には、さらなる高性能化、高生産性、低コスト化が求められており、装置メーカーは絶えず技術革新を進めています。例えば、新しいターゲット材料への対応、多層膜の連続成膜能力の向上、さらにはアニールやエッチングといった前後工程との統合によるインライン化なども進展しており、これにより次世代半導体デバイスの製造効率と品質が飛躍的に向上することが期待されています。PVD装置は、SiC・GaNデバイスの進化を支える基盤技術として、今後もその重要性を増していくでしょう。 |
• 日本語訳：SiC・GaN用物理気相成長装置の世界市場展望・分析・予測（～2032年）：マグネトロンスパッタリング装置、蒸着PVD装置、イオンビームおよびHiPIMS装置、ハイブリッドPVD装置、その他
• レポートコード：MRC6TCOQ01905 ▷ お問い合わせ（見積依頼・ご注文・質問）