 | • レポートコード：MRC26JU-MM09451 • 出版社/出版日：Market Monitor Global / 2026年7月 • レポート形態：英語、PDF、101ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：New Technology |
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レポート概要
本レポートには、世界における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの市場規模および予測が含まれており、以下の市場情報が記載されています：
世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（2026年～2031年、単位：百万米ドル）
世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場は、2031年までに2億1,500万米ドルに達すると予測されています。
原子レベルの薄さを有する2次元半導体トランジスタは、原子レベルの薄さを有する2次元材料がチャネル、センシング層、またはその他の重要な機能層として機能する電界効果トランジスタおよび集積デバイスです。代表的な材料系には、MoS₂、WS₂、WSe₂などの遷移金属ジカルコゲナイド、グラフェン、h-BN、黒リン、その他のファンデルワールス材料が含まれます。 この技術は、原子スケールの厚さ、強力な静電ゲート制御、ダングリングボンドのない表面、および異種集積を活用して、キャリア輸送や表面電荷応答を制御する。 本研究は、2D-FET、GFET、2D半導体プロトタイプチップ、研究用トランジスタチップ、およびポストシリコンCMOS微細化、モノリシック3D集積、低消費電力のエッジコンピューティング、分子・バイオセンシング、光検出、フレキシブルエレクトロニクスに用いられるプロセスサービスに焦点を当てています。 主要な技術モジュールには、高品質な2次元材料の成長および転写、低抵抗コンタクト、ゲート絶縁膜の集積、300mmウェハ対応プロセス、低温BEOL集積、デバイスモデリング、および小規模トランジスタアレイの製造が含まれる。
我々の調査によると、原子レベルの薄さを有する2次元半導体トランジスタは、現時点では成熟した収益性の高い部品市場として扱うべきではない。 現在の業界は、先進的なロジック研究、初期段階のGFET商用化、2次元材料の供給、およびエンジニアリング検証プラットフォームによって形成された、新興の技術スタックとして捉える方が適切である。その戦略的根拠は明確である。シリコントランジスタの微細化が静電的、電力、およびコストの限界に近づくにつれ、原子1層厚のチャネル材料は、ポストシリコンCMOSやモノリシック3Dアーキテクチャに対して、より優れたゲート制御と新たな集積化の選択肢を提供する可能性がある。しかし、実験室での実証と大量生産との間には依然として大きな隔たりがある。 コンタクト抵抗、ゲート絶縁体の統合、材料の均一性、欠陥制御、熱予算、および300mmプロセスとの互換性は、依然として決定的なボトルネックとなっている。したがって、本レポートでは、すべての2次元材料やすべての先端半導体の売上高を広く計上するのではなく、GFETデバイス、2D-FETプロトタイプチップ、2次元材料のMPW（多プロジェクトウェハー）、および直接プロセスサービスを含む、限定的な売上高の範囲を採用している。
供給側の観点から見ると、グローバルなエコシステムは明確な3層構造を形成しつつある。第1層は、2次元材料トランジスタが将来の最先端ロジック・ロードマップに組み込まれるかどうかを決定づける、先進的なロジック・プラットフォームで構成される。第2層は、GFET、2次元材料の統合、MPW（多プロジェクト・ウェハー）製造、およびセンサー用途を中心に、商用製品やサービスの提供を開始した企業で構成される。 第3層には、大学、企業の研究開発チーム、および初期段階のデバイス開発向けに、ウェーハ、サンプル、結晶、薄膜、テスト基板、および関連する試作用素材を提供する材料・研究用ツールサプライヤーが含まれます。これが、戦略的重要性が高いにもかかわらず、現在の収益基盤が依然として小さい理由を説明しています。主要な競争要因は販売数量だけでなく、材料の品質、集積互換性、デバイスの再現性、そしてCMOSの設計およびプロセスエコシステムとの連携能力にもあります。
需要面では、短期的な購入は半導体研究開発チーム、大学、国立研究所、センサー開発者、およびパイロットラインのユーザーによって牽引されている。 中期的な成長は、GFET分子・バイオセンサー、低消費電力のエッジAIプロトタイプ、2D材料のMPW（多プロジェクトウェハ）サービス、およびBEOL（後工程）対応のヘテロジニアス集積化から生まれる可能性が高い。中国が公表した2D半導体実証ラインと2029年の量産目標は、同地域の産業政策が学術的な検証段階から、プロセスプラットフォームやプロトタイプチップの段階へと移行し始めていることを示唆している。とはいえ、2030年以前の市場については、依然として保守的な予測を立てるべきである。 もし300mm統合、低温成膜、ゲートスタック設計、低抵抗コンタクト技術が予想以上に急速に進展すれば、市場は研究用需要から、エンジニアリング検証および小ロット用途の需要へと移行する可能性がある。そうでなければ、当面は専門的な研究開発およびセンシング分野のニッチ市場にとどまるだろう。
MARKET MONITOR GLOBAL, INC（MMG）は、原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ関連企業および業界の専門家を対象に、売上高、需要、製品タイプ、最近の動向と計画、業界トレンド、推進要因、課題、障害、および潜在的なリスクについて調査を行いました。
セグメント別総市場規模：
タイプ別 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場、2026年～2031年（百万ドル）
タイプ別 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場のセグメント構成比
先進的な2D-FETの研究開発／パイロットデバイス
GFETチップおよびセンサーデバイス
2次元材料デバイスのMPW／プロトタイピングサービス
2D半導体プロトタイプIC
研究用テスト構造および基板
その他／未分類の製品形態
チャネル材料別、世界の原子レベルで薄い2D半導体トランジスタ市場セグメント構成比
TMDベースの2Dトランジスタ
グラフェン電界効果トランジスタ
h-BN／絶縁体対応2Dデバイス
黒リンおよびその他の2次元半導体
ハイブリッド／その他の低次元デバイス
デバイスアーキテクチャ別、世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場セグメントの割合
平面型2D-FET
トップゲート／デュアルゲート型2D-FET
GAA型2D-FET
2D-CFET／積層型2Dデバイス
GFETセンサーデバイス
その他の実験的アーキテクチャ
用途別世界原子レベル薄型2D半導体トランジスタ市場、2026年～2031年（百万ドル）
用途別世界原子レベル薄型2D半導体トランジスタ市場セグメント構成比
先進ロジックスケーリング
モノリシック3D集積
分子・バイオセンシング
オプトエレクトロニクスおよびフォトニクス
地域・国別 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場、2026年～2031年（百万ドル）
地域・国別 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場セグメントの割合
米国
欧州
アジア
中国
その他の地域
[競合分析]
本レポートでは、以下の主要市場参加者に関する分析も提供しています：
さらに、本レポートでは市場における競合他社のプロファイルを紹介しており、主要企業には以下が含まれます：
Graphenea S.A.
Paragraf Limited
AMO GmbH
VTT Technical Research Centre of Finland Ltd
CDimension
Melexis NV
Grolltex, Inc.
Archer Materials Limited
Grapheal SAS
LayerLogic AB
Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd.
imec
Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
IHP – Leibniz Institute for High Performance Microelectronics
1 調査・分析レポートの概要
1.1 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の定義
1.2 市場セグメント
1.2.1 タイプ別セグメント
1.2.2 チャネル材料別セグメント
1.2.3 デバイスアーキテクチャ別セグメント
1.2.4 用途別セグメント
1.3 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の概要
1.4 本レポートの特徴と利点
1.5 調査方法および情報源
1.5.1 調査方法
1.5.2 調査プロセス
1.5.3 基準年
1.5.4 レポートの前提条件および注意事項
2 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の総規模
2.1 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模：2025年対2032年
2.2 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模、見通しおよび予測：2026年～2032年
2.3 主要な市場動向、機会、推進要因および抑制要因
2.3.1 市場の機会と動向
2.3.2 市場の推進要因
2.3.3 市場の抑制要因
3 企業動向
3.1 世界市場における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの主要企業
3.2 世界の企業の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品および技術
4 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ企業のプロフィール
4.1 Graphenea S.A.
4.1.1 Graphenea S.A. 企業概要
4.1.2 Graphenea S.A. 事業概要
4.1.3 Graphenea S.A. の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.1.4 Graphenea S.A. の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタに関する研究開発および計画
4.2 パラグラフ・リミテッド
4.2.1 パラグラフ・リミテッドの企業概要
4.2.2 パラグラフ・リミテッドの事業概要
4.2.3 パラグラフ・リミテッドの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.2.4 パラグラフ・リミテッドの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.3 AMO GmbH
4.3.1 AMO GmbH 企業概要
4.3.2 AMO GmbH 事業概要
4.3.3 AMO GmbH 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.3.4 AMO GmbH 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.4 VTT Technical Research Centre of Finland Ltd
4.4.1 VTTフィンランド技術研究センター株式会社の概要
4.4.2 VTTフィンランド技術研究センター株式会社の事業概要
4.4.3 VTTフィンランド技術研究センター株式会社の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.4.4 VTTフィンランド技術研究センター株式会社の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.5 CDimension
4.5.1 CDimension 企業概要
4.5.2 CDimension 事業概要
4.5.3 CDimension 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.5.4 CDimension 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.6 Melexis NV
4.6.1 Melexis NVの企業概要
4.6.2 Melexis NVの事業概要
4.6.3 Melexis NVの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップと技術
4.6.4 Melexis NVの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.7 Grolltex, Inc.
4.7.1 Grolltex, Inc. 企業概要
4.7.2 Grolltex, Inc. 事業概要
4.7.3 Grolltex, Inc. 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.7.4 Grolltex, Inc. 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.8 アーチャー・マテリアルズ・リミテッド
4.8.1 アーチャー・マテリアルズ・リミテッドの企業概要
4.8.2 アーチャー・マテリアルズ・リミテッドの事業概要
4.8.3 アーチャー・マテリアルズ・リミテッドの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップと技術
4.8.4 アーチャー・マテリアルズ・リミテッドの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.9 グラフェアル（Grapheal SAS）
4.9.1 グラフェアル（Grapheal SAS）の企業概要
4.9.2 グラフェアル（Grapheal SAS）の事業概要
4.9.3 グラフェアル（Grapheal SAS）の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップと技術
4.9.4 グラフェアル（Grapheal SAS）の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.10 LayerLogic AB
4.10.1 LayerLogic AB 企業概要
4.10.2 LayerLogic AB 事業概要
4.10.3 LayerLogic AB 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.10.4 LayerLogic AB 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.11 Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd.
4.11.1 Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd. 企業概要
4.11.2 Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd. 事業概要
4.11.3 元基威科技（上海）有限公司の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.11.4 元基威科技（上海）有限公司の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.12 imec
4.12.1 imec 企業概要
4.12.2 imec 事業概要
4.12.3 imec 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.12.4 imec 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.13 原子力・代替エネルギー庁（CEA）
4.13.1 原子力・代替エネルギー庁（CEA）の概要
4.13.2 原子力・代替エネルギー庁（CEA）の事業概要
4.13.3 フランス原子力・代替エネルギー庁（CEA）の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップと技術
4.13.4 フランス原子力・代替エネルギー庁（CEA）の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
4.14 IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所
4.14.1 IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 企業概要
4.14.2 IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 事業概要
4.14.3 IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップおよび技術
4.14.4 IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの研究開発および計画
5 地域別動向
5.1 地域別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（2027年および2032年）
5.2 地域別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ売上高（2027年～2032年）
5.3 米国
5.3.1 米国における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの主要企業
5.3.2 米国における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの開発の現状と予測
5.4 欧州
5.4.1 欧州における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの主要企業
5.4.2 欧州における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの開発の現状と予測
5.5 中国
5.5.1 中国における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの主要企業
5.5.2 中国における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの開発の現状と予測
5.6 その他の地域
6 タイプ別動向
6.1 タイプ別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（2027年および2032年）
6.2 先進的な2D-FETの研究開発／パイロットデバイス
6.3 GFETチップおよびセンサーデバイス
6.4 2次元材料デバイスのMPW／プロトタイピングサービス
6.5 2次元半導体プロトタイプIC
6.6 研究用テスト構造および基板
6.7 その他／分類不能な製品形態
7 チャネル材料別市場動向
7.1 チャネル材料別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（2027年および2032年）
7.2 TMD系2次元トランジスタ
7.3 グラフェン電界効果トランジスタ
7.4 h-BN／絶縁体搭載型2次元デバイス
7.5 黒リンおよびその他の2次元半導体
7.6 ハイブリッド／その他の低次元デバイス
8 デバイスアーキテクチャ別市場動向
8.1 デバイスアーキテクチャ別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（2027年および2032年）
8.2 平面型2D-FET
8.3 トップゲート／デュアルゲート型2D-FET
8.4 GAA 2D-FET
8.5 2D-CFET／積層型2Dデバイス
8.6 GFETセンサーデバイス
8.7 その他の実験的アーキテクチャ
9 用途別展望
9.1 用途別 – 世界の原子レベルで薄い2D半導体トランジスタ市場規模（2027年および2032年）
9.2 先進的なロジックスケーリング
9.3 モノリシック3D集積
9.4 分子・バイオセンシング
9.5 オプトエレクトロニクスおよびフォトニクス
10 結論
11 付録
11.1 注記
11.2 クライアント事例
11.3 免責事項
表1. 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の機会と動向
表2. 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の推進要因
表3. 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の制約要因
表4. 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場の主要企業
表5. 世界の企業における原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品および技術
表6. Graphenea S.A. の企業概要
表7. Graphenea S.A. の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表8. Paragraf Limited の企業概要
表9. Paragraf Limited の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表10. AMO GmbHの企業概要
表11. AMO GmbHの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表12. VTT Technical Research Centre of Finland Ltdの企業概要
表13. VTT Technical Research Centre of Finland Ltdの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表14. CDimensionの企業概要
表15. CDimensionの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品ラインナップ
表16. Melexis NVの企業概要
表17. Melexis NVの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品ラインナップ
表18. Grolltex, Inc.の企業概要
表19. Grolltex, Inc.の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品ラインナップ
表20. Archer Materials Limited 企業概要
表21. Archer Materials Limited 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表22. Grapheal SAS 企業概要
表23. Grapheal SAS 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表24. LayerLogic AB 企業概要
表25. LayerLogic ABの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品ラインナップ
表26. Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd.の企業概要
表27. Yuanjiwei Technology (Shanghai) Co., Ltd.の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ製品ラインナップ
表28. imecの企業概要
表29. imecの原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表30. フランス原子力・代替エネルギー庁（CEA）の企業概要
表31. フランス原子力・代替エネルギー庁（CEA）の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表32. IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 企業概要
表33. IHP – ライプニッツ高性能マイクロエレクトロニクス研究所 原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの製品ラインナップ
表34. 地域別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの売上高（百万米ドル）、2027年および2032年
表35. 地域別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタの売上高（百万米ドル）、2027年～2032年
表36. タイプ別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（百万米ドル）、2027年および2032年
表37. チャネル材料別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（百万米ドル）、2027年および2032年
表38. デバイスアーキテクチャ別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（百万米ドル）、2027年および2032年
表39. 用途別 – 世界の原子レベルで薄い2次元半導体トランジスタ市場規模（百万米ドル）、2027年および2032年
| ※原子レベル薄さ2次元半導体トランジスタは、非常に薄い2次元材料を基にしたトランジスタです。従来の半導体デバイスは、厚みがナノメートルのスケールで数百ナノメートルからミクロンオーダーの材料を使用していましたが、2次元材料は原子1層分の厚みしか持たないため、極めて薄いデバイスが実現可能です。このような特性により、2次元半導体トランジスタは新しいタイプのエレクトロニクスの発展に寄与しています。 2次元半導体の代表的な材料としては、モリブデンジスルファイド（MoS2）、二酸化グラフェン、黒リン、タングステンディスルファイド（WS2）などがあります。これらの材料は、それぞれ異なる電子的特性を持ち、特定の用途に適した特性を提供しています。例えば、MoS2は、高い電子移動度とバンドギャップを持ち、トランジスタとしての性能が非常に高いことが知られています。グラフェンは極めて高い移動度を持っていますが、バンドギャップが無いため、スイッチングデバイスとしては制約があります。 2次元半導体トランジスタの主要な用途としては、次世代のエレクトロニクス、特に超高性能のマイクロプロセッサやメモリデバイスが挙げられます。また、柔軟性を持つデバイスも容易に製造できるため、ウェアラブルデバイスやフレキシブルエレクトロニクスが可能になります。さらに、量子コンピューティングやセンサーデバイス、さらには光エレクトロニクスの分野でもその応用が期待されています。これにより、2次元半導体トランジスタは新たなテクノロジーの革新を促進する可能性を秘めています。 関連技術としては、成膜技術やパターン形成技術が重要です。化学的蒸着法（CVD）や物理的蒸着法（PVD）のような薄膜技術が、2次元材料の成長に使用されます。このような成膜技術によって、高品質な2次元材料を得ることができ、トランジスタに必要な特性を最大限に引き出すことが可能になります。また、エッチング技術やフォトリソグラフィ技術も、デバイスの微細加工において重要な役割を果たします。これらの技術が組み合わさることで、高性能な半導体デバイスの製造が進んでいます。 また、エネルギー効率や動作速度の向上が期待されるため、2次元半導体トランジスタは省エネルギーなエレクトロニクスの実現にも寄与すると考えられています。特に、低消費電力なデバイスは、バッテリー技術と相まって、ポータブルデバイスやIoTデバイスにおいて非常に重要な要素です。これにより、持続可能な社会の実現に向けた新しい技術の確立が期待されています。 さらに、2次元材料はその特異な物理特性から、新たな物性研究の場ともなっています。量子効果やスピントロニクスなどの研究が進む中で、2次元半導体トランジスタの開発は、将来的な新技術の基盤を形成する可能性があります。このように、2次元半導体トランジスタの研究と応用は、エレクトロニクスの未来を変革する大きな力を秘めているのです。 今後の課題としては、スケールアップやコスト効率の向上が挙げられます。これらに取り組むことで、2次元半導体トランジスタの商業化が進み、様々な産業での実用化が実現するでしょう。そのため、材料科学、ナノテクノロジー、エレクトロニクス工学など、多方面からのアプローチが必要です。これらの技術が融合することで、原子レベルの薄さを持つ半導体デバイスが、私たちの生活にどのように影響を与えるのか、今後の展開に大いに期待が寄せられています。 |
• 日本語訳：世界の原子レベル薄さ2次元半導体トランジスタ市場2026年-2032年：先進的な2D-FETの研究開発／パイロットデバイス、GFETチップおよびセンサーデバイス、2D材料デバイスのMPW／プロトタイピングサービス
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