 | • レポートコード：MRC-PRF26M0825 • 出版社/出版日：Prof Research / 2026年5月 • レポート形態：英語、PDF、97ページ • 納品方法：Eメール • 産業分類：電子 |
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レポート概要
半導体製造用炭化ケイ素（SiC）部品の市場概要
半導体業界は現在、プロセスノードの微細化、ワイドバンドギャップ（WBG）パワーエレクトロニクスの台頭、そして極限の製造効率の追求を特徴とするパラダイムシフトの真っ只中にあります。この進化の中心にあるのが、半導体製造環境で使用される高性能消耗品です。半導体製造用炭化ケイ素（SiC）部品は、こうした進歩を実現するための重要な要素として台頭しています。従来の石英や高純度シリコン部品とは異なり、SiC部品（特に化学気相成長法（CVD）によって製造されたもの）は、優れた熱伝導率、プラズマ侵食に対する卓越した耐性、および極限温度下での高い機械的強度を備えています。
これらの部品は主に、プラズマエッチングチャンバー、化学気相成長（CVD）システム、高温拡散炉など、半導体製造装置の「ホットゾーン」で使用されています。ファウンドリが3nmおよび2nmロジックノード、そしてますます複雑化する3D NAND構造へと移行するにつれ、従来の材料の物理的限界に近づきつつあります。構造的完全性を維持し、微粒子汚染を最小限に抑えるSiCの能力は、高歩留まりの先進ノード半導体製造において不可欠な材料となっています。現在の市場は、従来のシリコンベースのロジックおよびメモリ容量の拡大と、SiCパワー半導体産業自体の爆発的な成長という、二つの需要によって牽引されています。
市場規模と成長予測
半導体プロセスに使用される炭化ケイ素（SiC）部品の市場は、今後10年間にわたり堅調な成長が見込まれています。エッチングプロセスの強度増大と、先端材料に必要なより高い熱予算が、この拡大の主な要因となっています。
• 2026年の市場規模：2026年までに、世界市場規模は17億米ドルから35億米ドルの範囲に達すると推定されています。この推計には、半導体製造装置のOEM（Original Equipment Manufacturers）によって牽引される「初期導入（first-fit）」市場と、世界中の製造施設（ファブ）からの継続的な「アフターマーケット」需要の両方が含まれています。
• 長期CAGR（2026年～2031年）：2026年以降、市場は年平均成長率（CAGR）7.0%～10.0%で拡大すると予測されています。この成長は、成熟したファウンドリにおけるSiC部品の浸透が進んでいること、および世界的な8インチSiCウェハー生産施設の急速な拡大を反映しています。
地域別市場動向とトレンド
炭化ケイ素（SiC）部品の需要と生産は、半導体製造が集中している地域に集中しているが、高純度原材料のサプライチェーンは依然としてグローバルなものである。
• アジア太平洋地域：この地域は依然として最大かつ最もダイナミックな市場であり、推定シェアは65％から78％を占めている。この優位性は、韓国、台湾、中国、および中国本土に集中する製造拠点によって支えられている。韓国には、HANA MaterialsやSolmicsといった主要なSiC部品専門企業が拠点を置き、現地の巨大企業の膨大なメモリ製造ニーズに応えている。中国では、重慶振宝科技（Chongqing Zhenbao Technology）などの企業が、国内の現地化目標を達成するために急速に規模を拡大している。また、この地域は8インチウェハへの移行の中心地でもあり、これにはSiCベースの炉内構造の全面的な再設計が必要となる。
• 北米：推定市場シェア12%～18%を占める北米は、ハイエンドな材料科学および装置設計における重要な拠点です。この地域には、主要な装置OEMやオンセミ（Onsemi）のような大手SiCデバイスメーカーが拠点を置いています。国際的なグループによるシリコンカーバイド・プロダクツ（SCP）の買収など、米国における戦略的な動きは、専門的なSiC材料サプライチェーンにおける同地域の重要性を浮き彫りにしています。
• 欧州：推定市場シェア8％～12％を占める欧州は、パワーエレクトロニクスおよび自動車用半導体の分野で主導的な地位にある。南ウェールズのVishay Newport工場への2億5,000万ポンドの投資など、最近の投資動向は、欧州が垂直統合型のSiCエコシステムを構築しようとしていることを示唆している。欧州市場は、SiCボートや特殊な熱処理用コンポーネントに対する需要が高いことが特徴である。
• その他の地域：中東や東南アジアの一部を含むその他の地域は、市場の約2%から5%を占めています。これらの地域における成長は、多くの場合、現地での組立・試験、あるいは標準的な半導体ロジックを超えた特定の高温産業用途に関連しています。
製品タイプ別分析と開発動向
市場は、これらのコンポーネントが加工装置内で果たす具体的な機能役割によって区分されます：
• SiCリング（フォーカスリング／エッジリング）：これらは市場において最も重要な販売数量の牽引役です。プラズマエッチングにおいて、SiCフォーカスリングはウェーハを囲み、表面全体で均一なプラズマ密度を確保します。これらのリングは腐食性のプラズマに直接さらされるため、摩耗の激しい消耗品です。3D NANDエッチングで使用される化学薬品の腐食性がますます強まっているため、これに耐えられる超高純度CVD SiCリングへの移行が進んでいます。
• SiCボート（ウェーハキャリア）：主に高温拡散炉や酸化炉で使用されるSiCボートは、複数のウェーハを過酷な熱サイクルに耐えさせるために必要な熱的安定性と純度を提供します。業界が6インチから8インチのSiCウェーハ加工へと移行するにつれ、これらのボートの設計も、熱による反りなしに大きな負荷に対応できるよう進化しなければなりません。
• その他の部品：これには、SiCシャワーヘッド、インジェクター、台座、ベローズなどが含まれます。熱的および化学的環境がより過酷になるにつれ、ダウンタイムと汚染を低減するため、反応室内のほぼすべてのクリティカルパス部品において、石英やその他のセラミックに代わって炭化ケイ素が採用されています。
バリューチェーンと産業構造
SiC部品のバリューチェーンは技術的に高度で資本集約的であり、化学および精密加工の両方における専門知識を必要とします。
• 上流工程（原材料および粉末）：これには、高純度炭化ケイ素粉末の製造、またはCVDプロセス用の前駆体ガスの調達が含まれます。「半導体グレード」の純度を維持することが、この段階における主な課題です。
• 中流（CVDおよび焼結）：主に2つの製造経路があります。焼結SiCは構造部品に使用され、一方、CVD SiC（化学気相成長）は高純度のプラズマ接触部品に好んで使用されます。CVD SiCの製造には、基板上で材料を成長させる遅く高温のプロセスが伴い、多大なエネルギーと特殊なリアクターを必要とします。
• 加工・機械加工：SiCは既知の材料の中で最も硬いもののひとつであるため、フォーカスリングやボートのような複雑な形状に加工するには、ダイヤモンド工具と高度なCNCシステムが必要となる。これは多くの場合、最終製品における最大のコスト要因となる。
• 下流工程（OEMおよびファブ）：これらの部品は、Lam Research、AMAT、TELなどの装置メーカーに販売されるほか、IDM（集積デバイスメーカー）やファウンドリ（TSMC、サムスン、SKハイニックス、インテル）に直接販売され、交換用部品として使用されます。
主要市場プレイヤー
この市場には、老舗の材料科学企業と、半導体消耗品を専門とするサプライヤーが混在しています。
• HANA Materials：世界のメモリ産業と深い結びつきを持つ、韓国を代表する企業です。大規模なCVD SiC生産能力で知られ、大量生産向けエッチングプラットフォーム用のフォーカスリングの主要サプライヤーです。
• Worldex：もう一つの主要な韓国の専門企業であるWorldexは、半導体業界向けの高品質な交換部品の提供に注力しており、SiCおよび石英に関する専門知識を活用して包括的な消耗品ソリューションを提供しています。
• CoorsTek GK：工業用セラミック分野の世界的リーダー。CoorsTekは、その広範な研究開発能力を活用し、最新世代の装置が求める厳しい熱的・化学的基準を満たす高性能SiCコンポーネントを製造している。
• Solmics：SiCおよびアルミナコンポーネントを専門とするSolmicsは、東アジアの半導体サプライチェーンにおいて重要な役割を果たしており、フォーカスリングやその他のチャンバー内部部品の精密製造で知られている。
• 重慶振宝科技（Chongqing Zhenbao Technology）：中国国内市場における新興リーダー。同社の成長は、中国の半導体製造エコシステムの急速な拡大と、ハイエンド消耗品における自給自足を目指す国家的な取り組みによって後押しされている。
戦略的合併、買収、および投資
SiC部品およびデバイスの市場は、EVおよびエネルギー分野におけるSiCの戦略的重要性に牽引され、大幅な再編と投資が進んでいる。
• オンセミの戦略的垂直統合：2024年12月、オンセミはQorvoのSiC JFET技術およびUnited Silicon Carbideを1億1,500万ドルで買収すると発表した。この取引はデバイス技術に焦点を当てているが、オンセミはこれにより5年間で市場機会が13億ドル拡大すると見込んでいる。この垂直統合により、オンセミが自社の製造能力を拡大するにつれ、SiC加工部品に対する社内需要が増加する。
• SKグループのエコシステム統合：2025年3月、SKキーファウンドリー（SKハイニックスの子会社）は、250億ウォンでSKパワーテックの株式98.59%を取得した。この買収は、次世代の「複合半導体」市場を支配するという広範な戦略の一環である。SKハイニックスは、SiCパワーデバイスの専門知識をファウンドリ事業と同じ傘下に統合することで、SiCリングやボートを含むSiC加工用消耗品のための巨大な内部市場を創出している。
• Vishay Newportの拡張：2025年3月、英国の旧Newport Wafer Fab（現Vishay Newport）への2億5,000万ポンドの投資が発表され、欧州のSiC生産にとって重要なマイルストーンとなった。同施設は、EVや風力タービン向けSiC部品の生産に向けて設備更新が進められている。これは、欧州地域のSiC部品メーカーにとって、主要な新たな下流顧客の獲得を意味する。
• カーボランダム・ユニバーサル（CUMI）による米国企業買収：2024年末、インドのCUMIグループは米国のシリコンカーバイド・プロダクツ（SCP）を買収した。この買収により、CUMIは特殊SiC材料の米国市場において戦略的な足場を築き、SiC部品サプライチェーンのグローバルな性質を浮き彫りにした。
市場の機会
• 8インチSiCへの移行：半導体業界は現在、コスト効率を向上させるため、150mm（6インチ）SiCウェハーから200mm（8インチ）SiCウェハーへの移行を進めている。この移行には、炉内構造およびエッチング部品の全面的な刷新が必要です。8インチライン向けの大型・高純度SiCリングおよびキャリアを製造できるメーカーは、大きな先発者優位性を享受できます。
• 高度な3D NAND積層：3D NANDが232層、300層、あるいはそれ以上の層数に達するにつれ、エッチングが必要なホールのアスペクト比は極端なものとなります。これには、より長く強力なプラズマパルスが必要となり、標準的なシリコンリングの摩耗を加速させます。高耐久性のCVD SiC部品は、こうした環境下で唯一有効な解決策です。
• 垂直統合の動向：オンセミ（Onsemi）やSKハイニックスに続き、リードタイムの遅延を回避し、材料の純度を確保するために、SiC消耗品の供給を自社で管理しようとするIDMが増えています。これにより、専門のSiC部品メーカーにとって、長期的かつ独占的な供給パートナーシップを構築する機会が生まれています。
• 持続可能な製造：SiC部品における「循環型経済」への注目が高まっています。純度を損なうことなく寿命を延ばすために、使用済みのSiCリングを「再生」またはリサイクルする技術は、ファブが環境負荷と運用コスト（OpEx）の削減を目指す中で、成長するニッチな機会となっています。
市場の課題
• 極めて高い技術的障壁：CVD SiCの製造は時間がかかり、エネルギー集約的なプロセスです。大量の部品全体で均一な厚さと高純度を維持するには、高度なリアクター制御が必要です。成長プロセス中の不良率は高くなる可能性があり、利益率に影響を及ぼします。
• 高コストな機械加工：SiCは硬いため、機械加工が困難です。ダイヤモンド工具のコストや、精密研削・研磨に要する時間を考慮すると、SiC製部品は石英製のものよりも大幅に高価になります。ファブがSiCに切り替えるのは、性能上のメリット（稼働時間と歩留まり）が、高い単価を明らかに上回る場合に限られます。
• 地政学的要因によるサプライチェーンの脆弱性：SiC製造に必要な高純度ポリシリコンや前駆体ガスは、世界的なサプライチェーンの混乱の影響を受けやすい。さらに、半導体製造が国家安全保障上の問題となるにつれ、ハイエンドのSiC製造装置や材料に対する輸出規制により、特定の企業の市場参入が制限される可能性があります。
• OLEDおよび新興技術による代替：SiCはパワーエレクトロニクス分野で支配的ですが、半導体加工用部品の全体的な需要は、より広範なLCD/OLEDおよびロジック市場の動向に左右されます。世界の民生用電子機器需要が鈍化すれば、ファブの稼働率が低下し、SiC消耗品の買い替えサイクルが遅れる可能性があります。
目次
第1章 レポートの概要 1
1.1 調査範囲 1
1.2 調査方法 2
1.2.1 データソース 2
1.2.2 前提条件 4
1.3 略語および頭字語 5
第2章 エグゼクティブサマリー 7
2.1 市場の概要および基準年のハイライト 7
2.2 タイプ別市場セグメント 8
2.3 用途別市場セグメント 9
2.4 地域別主要インサイト 10
第3章 SiCコンポーネントの産業チェーンおよび製造分析 11
3.1 産業チェーン構造 11
3.2 上流原材料：高純度SiC粉末および前駆体 13
3.3 製造プロセス分析 15
3.3.1 化学気相成長（CVD）プロセス 15
3.3.2 焼結および精密機械加工 17
3.4 生産コスト構造の分析 19
第4章 市場の動向 21
4.1 市場の推進要因：300mmウェーハおよび次世代ノードへの移行 21
4.2 市場の制約要因：高い生産コストと材料の脆弱性 23
4.3 業界動向：高温プロセスにおける石英から SiC への移行 25
4.4 機会分析 27
第 5 章 タイプ別世界の SiC 部品市場 29
5.1 SiC リング 29
5.2 SiC ボート 31
5.3 その他の部品（フォーカスリング、ガスインジェクター、台座） 33
第6章 用途別世界SiCコンポーネント市場 35
6.1 エッチングプロセス 35
6.2 急速熱処理（RTP） 37
6.3 化学気相成長（CVD） 39
6.4 拡散および酸化 41
第7章 地域別世界市場分析 43
7.1 北米（米国、カナダ） 43
7.2 ヨーロッパ（ドイツ、フランス、英国、イタリア、オランダ） 46
7.3 アジア太平洋地域 49
7.3.1 中国 50
7.3.2 日本 51
7.3.3 韓国 52
7.3.4 台湾（中国） 53
7.3.5 東南アジア 54
7.4 ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコ） 55
7.5 中東およびアフリカ（UAE、サウジアラビア、南アフリカ） 57
第8章 競争環境 59
8.1 世界の主要企業の市場シェア分析 59
8.2 企業ランキングおよび市場集中度 61
8.3 最近の合併、買収、および生産能力の拡大 63
第9章 主要市場プレーヤーの分析 65
9.1 HANA Materials 65
9.1.1 会社概要および主な事業 65
9.1.2 HANA Materials SiCコンポーネントのSWOT分析 66
9.1.3 HANA Materials SiCコンポーネントの収益、コスト、粗利益率（2021-2026年） 67
9.1.4 HANA MaterialsのSiCコンポーネント市場シェア（2021年～2026年） 68
9.1.5 研究開発投資および戦略的ポジショニング 69
9.2 Worldex 70
9.2.1 会社概要および主な事業 70
9.2.2 WorldexのSiCコンポーネントに関するSWOT分析 71
9.2.3 Worldex SiC コンポーネントの収益、コスト、粗利益率（2021-2026） 72
9.2.4 Worldex SiC コンポーネントの市場シェア（2021-2026） 73
9.3 CoorsTek GK 74
9.3.1 会社概要および主な事業 74
9.3.2 CoorsTek GK SiC コンポーネントの SWOT 分析 75
9.3.3 CoorsTek GK SiC コンポーネントの収益、コスト、粗利益率（2021-2026） 76
9.3.4 CoorsTek GK SiC コンポーネントの市場シェア（2021-2026） 77
9.3.5 グローバルサプライチェーンおよび流通 78
9.4 Solmics 79
9.4.1 会社概要および主な事業 79
9.4.2 Solmics SiC コンポーネントの SWOT 分析 80
9.4.3 Solmics SiC コンポーネントの収益、コスト、粗利益率（2021-2026） 81
9.4.4 Solmics SiC コンポーネントの市場シェア（2021-2026） 82
9.5 重慶振宝科技 83
9.5.1 会社概要および主な事業 83
9.5.2 振宝科技 SiC コンポーネントの SWOT 分析 84
9.5.3 鎮宝科技の SiC 部品売上高、コスト、粗利益率（2021-2026） 85
9.5.4 鎮宝科技の SiC 部品市場シェア（2021-2026） 86
9.5.5 国内市場の拡大と品質管理 87
第10章 世界市場予測（2027-2031年） 88
10.1 世界売上高予測 88
10.2 地域別市場売上高予測 89
10.3 タイプおよび用途別市場予測 91
第11章 特許および技術ロードマップ 93
11.1 SiCコンポーネント製造における主要特許分析 93
11.2 技術動向：超高純度および大型コンポーネント 95
第12章 結論 97
表一覧
表1. 半導体プロセス用SiCコンポーネントの調査範囲 1
表2. 一次調査情報源 3
表3. 主要な経済および業界の前提条件 4
表4. 種類別世界SiCコンポーネント売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 8
表5. 用途別世界SiCコンポーネント売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 9
表6. SiC粉末および前駆体の主要サプライヤー 14
表7. CVD SiCコンポーネントの製造コスト内訳 19
表8. 地域別世界SiCリング売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 30
表9. 地域別世界SiCボート売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 32
表10. 地域別世界その他のSiC部品売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 34
表11. エッチングプロセスセグメントの地域別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 36
表12. RTPセグメントの地域別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 38
表13. CVDアプリケーションセグメントの地域別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 40
表14. 地域別拡散セグメント売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 42
表15. 北米市場における国別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 44
表16. 欧州市場における国別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 47
表17. アジア太平洋地域市場：国別売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 49
表18. 主要5社の市場ランキング（2025年） 60
表19. HANA MaterialsのSiCコンポーネント：売上高、原価、粗利益率（2021-2026年） 67
表20. WorldexのSiCコンポーネント売上高、原価、粗利益率（2021-2026年） 72
表21. CoorsTek GKのSiCコンポーネント売上高、原価、粗利益率（2021-2026年） 76
表22. SolmicsのSiCコンポーネントの売上高、原価、粗利益率（2021-2026年） 81
表23. Zhenbao TechnologyのSiCコンポーネントの売上高、原価、粗利益率（2021-2026年） 85
表24. 世界のSiCコンポーネント売上高予測（2027-2031年）（百万米ドル） 88
表25. タイプ別世界市場予測（2027-2031年）（百万米ドル） 91
図一覧
図1. 調査方法の概要 2
図2. 世界のSiCコンポーネント市場売上高（2021-2031年）（百万米ドル） 7
図3. 2026年のタイプ別世界市場シェア 8
図4. 2026年の用途別世界市場シェア 10
図5. 半導体消耗品産業チェーンマップ 12
図6. CVD SiC製造プロセスフローチャート 16
図7. 市場推進要因および抑制要因の影響分析 21
図8. 世界のSiCリング売上高および成長率（2021-2026年） 29
図9. 世界のSiCボート売上高および成長率（2021-2026年） 31
図10. 2026年の地域別世界市場売上高シェア 43
図11. 北米市場の売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 45
図12. 欧州市場の売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 48
図13. アジア太平洋市場の売上高（2021-2026年）（百万米ドル） 50
図14. 2025年の世界トップ5企業の市場シェア 59
図15. HANA MaterialsのSiCコンポーネント市場シェア（2021-2026年） 68
図16. WorldexのSiCコンポーネント市場シェア（2021-2026年） 73
図17. CoorsTek GKのSiCコンポーネント市場シェア（2021-2026年） 77
図18. SolmicsのSiCコンポーネント市場シェア（2021-2026年） 82
図19. Zhenbao TechnologyのSiCコンポーネント市場シェア（2021-2026年） 86
図20. 地域別世界売上高予測（2027-2031年） 90
図21. 用途別世界市場シェア予測（2031年） 92
図22. SiC半導体部品の特許出願動向（2015-2025年） 94
| ※半導体加工用炭化ケイ素部品は、半導体製造プロセスにおいて重要な役割を果たす素材です。炭化ケイ素（SiC）は、高温や高電圧に耐える特性を持っており、さまざまな種類の半導体デバイスに使用されています。この材料は、特にパワーエレクトロニクスや高周波アプリケーションでの優れた性能が求められています。 炭化ケイ素部品にはいくつかの種類があります。主なタイプとしては、炉内部の処理を行うための部品、エッチングや基板の移動に使用される部品、さらには絶縁体や基板自体として機能する部品が含まれます。これらの部品は、耐熱性や耐摩耗性、化学的安定性に優れた特性を持っており、半導体プロセスにおいて必要不可欠です。 用途においては、炭化ケイ素部品は多岐にわたります。例えば、高温プロセス炉や化学気相成長（CVD）装置で使用される部品により、効率的な半導体製造が実現します。また、エッチングプロセスにおいても、炭化ケイ素はエッチングガスの影響を受けにくく、その特性からエッチングチャンバーの構成部品として重宝されています。このように、半導体製造におけるさまざまなプロセスでの利用が進んでいます。 炭化ケイ素部品の関連技術も重要です。例えば、炭化ケイ素の形成に関する技術として、結晶成長、サブストレートの作成、加工プロセスの最適化があります。これらの技術は、炭化ケイ素を効率的に製造し、半導体加工用部品としての性能を最大化するために欠かせません。また、これらの技術は、製造コストの低減や生産性の向上にも寄与します。 さらに、炭化ケイ素は、環境への影響に関しても注目されています。従来のシリコンと比較して、高い効率でエネルギーの変換が可能であることから、グリーンエネルギー関連のアプリケーションにも活用されています。これにより、より持続可能な社会の実現にも寄与するとされています。 半導体市場の進化に伴い、炭化ケイ素部品の需要は増加しています。特に、電気自動車（EV）や再生可能エネルギー関連の製品は、パワーエレクトロニクスの高い性能を必要とするため、炭化ケイ素の使用が広まり続けています。これにより、炭化ケイ素の加工技術の向上や新材料の開発が促進され、さらなる技術革新が期待されています。 炭化ケイ素部品に関連する業界では、研究開発が活発に行われています。新しい材料や製造方法の開発は、デバイスの性能向上だけでなく、生産効率の向上にも関係しています。これにより、半導体製造の品質が向上し、最終的にはユーザーに対する価値が増します。 最後に、炭化ケイ素の利点は、他の材料と比較しても顕著です。高温での優れた安定性、低い熱膨張係数、並びに優れた電気的特性が、半導体製造において炭化ケイ素を選ばれる理由となっています。今後も技術の進展に伴って、炭化ケイ素部品の役割はますます重要になっていくでしょう。 |
• 日本語訳：半導体加工用炭化ケイ素部品の世界市場2026年
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